長江存儲
隨著社會的進步發展，科技越來越被重視，科技的發展程度也一定程度上決定了國家的發展程度。在科技的發展上，中國屬於後來者，作為先行者的美國，本就在科技發展上領先中國，卻還處處限制中國，對中國設下層層封鎖。在缺少外部幫助的情況下，中國仍然能夠經常逆襲。最近，長江存儲又傳出了十分給力的好消息。
近日，長江存儲科技有限責任公司宣佈其128層QLC 3D NAND 閃存研發成功，並已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。這是全球首款128層QLC規格的3D NAND閃存芯片，也是業內已知型號產品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量。歷時3年，長江存儲實現了從32層到128層的跨越，讓中國在芯片上實現“跳級”追趕。
長江存儲研發的128層3D閃存芯片
存儲芯片是智能手機、電腦等許多電子設備的重要部件，多層芯片很難造，不過成本效率更高，因為它們可以容納在一個單晶片上。雲計算、5G等技術也是基於存儲芯片技術的發展。而長江存儲的出現則填補了我國在3D NAND閃存芯片領域的空白，長江存儲也是目前中國唯一能夠在存儲芯片領域實現量產的廠商。長江存儲一直在努力追趕外國競爭對手，以打造一個完全本土化的半導體行業為目標。存儲器是半導體產業的重要分支，長江存儲128層QLC 3D NAND 閃存芯片的出現，一下子就躍居該領域第一的位置。
中國芯片
此前，三星、美光、SK海力士和凱俠等國際大廠一直在芯片領域佔據領先位置，原本按照正常發展，長江存儲在2019年下半年推出64層芯片後，下一個應該是96層芯片，目前這些國際大廠生產的就是96層3D閃存芯片。但沒想到長江存儲跳過96層芯片，直接推出了128層3D閃存芯片，打了這些國際大廠一個措手不及。同樣感到措手不及的應該還要算上美國，長江存儲的動作讓美國對中國的技術封鎖又少了一個。
半導體材料加工
隨著中國發展得越來越快，讓美國有了強烈的危機感，美國害怕中國在科技上超過美國。因此，從很早以前開始，美國就有意地對中國進行技術封鎖，同時還限制向中國出口半導體等材料，企圖拖慢中國發展的腳步。半導體是製造芯片的關鍵材料，而芯片又能極大地推動科技的發展。不過，近年來，中國在半導體材料和芯片方面都有了重大突破，美國之前對中國設下的封鎖正在被一層層地撕碎。（餘果）
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