128层QLC闪存芯片,已研发成功

4月13日消息,长江储存在官网宣布其128层QLC 3D NAND闪存芯片产品研发成功,型号为X2-6070,并且目前该芯片已经在多家控制器厂商的SSD等终端储存产品上通过验证。

长江存储表示,X2-6070目前是行业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存,拥有目前业内已知型号产品当中单位面积更高的储存密度。在传输速度以及单颗NAND闪存芯片容量方面也同样做到了行业内的顶尖水准。

128层QLC闪存芯片,已研发成功

根据官方给出的消息来看,每一颗X2-6070所提供的闪存芯片都拥有1.33TB的储存容量,并且在IO读写性能方面,X2-6070也可以在1.2V Vccq电压下实现近1.6Gbps的数据传输速率,这样的参数品质可以说在目前的闪存芯片市场中相当具有竞争力。

128层QLC闪存芯片,已研发成功

并且长江储存官方也表示,公司只用了短短的三年的时间,便实现了从32层到64层再到128层之间的跨越,并且该芯片也将会在2020年年底至2021年中旬陆续量产,目标将达到月产能10万片。

128层QLC闪存芯片,已研发成功

而对于产品而言,长江储存表示,将装有长江储存QLC 3D NAND的SATA固态硬盘作为系统盘装装进Windows 10系统进行开机测试,开机速度已经做到了12-15秒的水准,不得不说在工程样品的阶段还是一个非常不错的成绩,而在后续的优化中,性能提升自然是无需多疑的。

128层QLC闪存芯片,已研发成功

而这个数据如果真的属实,那么相信在接下来的闪存市场内,长江储存的这款芯片产品也将会被陆续加入到各家SSD产品或是其他储存设备中,并且目前供应链消息透露,这款闪存产品已经送样,在接下来不久的时间内就会和我们见面,那么大家对于这款新的闪存芯片有怎样的看法呢,都可以在下方评论区中说出你的想法。



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