128層QLC閃存芯片,已研發成功

4月13日消息,長江儲存在官網宣佈其128層QLC 3D NAND閃存芯片產品研發成功,型號為X2-6070,並且目前該芯片已經在多家控制器廠商的SSD等終端儲存產品上通過驗證。

長江存儲表示,X2-6070目前是行業內首款128層QLC規格的3D NAND閃存,擁有目前業內已知型號產品當中單位面積更高的儲存密度。在傳輸速度以及單顆NAND閃存芯片容量方面也同樣做到了行業內的頂尖水準。

128層QLC閃存芯片,已研發成功

根據官方給出的消息來看,每一顆X2-6070所提供的閃存芯片都擁有1.33TB的儲存容量,並且在IO讀寫性能方面,X2-6070也可以在1.2V Vccq電壓下實現近1.6Gbps的數據傳輸速率,這樣的參數品質可以說在目前的閃存芯片市場中相當具有競爭力。

128層QLC閃存芯片,已研發成功

並且長江儲存官方也表示,公司只用了短短的三年的時間,便實現了從32層到64層再到128層之間的跨越,並且該芯片也將會在2020年年底至2021年中旬陸續量產,目標將達到月產能10萬片。

128層QLC閃存芯片,已研發成功

而對於產品而言,長江儲存表示,將裝有長江儲存QLC 3D NAND的SATA固態硬盤作為系統盤裝裝進Windows 10系統進行開機測試,開機速度已經做到了12-15秒的水準,不得不說在工程樣品的階段還是一個非常不錯的成績,而在後續的優化中,性能提升自然是無需多疑的。

128層QLC閃存芯片,已研發成功

而這個數據如果真的屬實,那麼相信在接下來的閃存市場內,長江儲存的這款芯片產品也將會被陸續加入到各家SSD產品或是其他儲存設備中,並且目前供應鏈消息透露,這款閃存產品已經送樣,在接下來不久的時間內就會和我們見面,那麼大家對於這款新的閃存芯片有怎樣的看法呢,都可以在下方評論區中說出你的想法。



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