在半導體領域，國產企業的存在感一直都不是很強，距離國際頂尖水平還有一段差距，這幾年在半導體領域，國產企業也頻頻遭遇美國的“打壓”，發展路程比較艱辛，如今國產廠商也紛紛擔起重任，在半導體領域加速產品研發，助力國產企業的發展。
過去放眼NAND閃存市場，三星、東芝等日韓廠商牢牢把控市場，沒有國產廠商的一席之地。為了縮小和國外廠商之間的差距，長江存儲實現跨越式發展，直接跳過了三星、東芝等廠商近兩年來力推的96層堆棧，發展128層堆棧。今天，長江存儲傳來好消息，其宣佈成功研發了128層QLC3D NAND閃存X2-6070，該產品在多家控制器廠商的SSD等終端產品上通過驗證。現如今，長江存儲實現突圍也有助於加強國產廠商的信心，推動國內閃存朝著更好的方向邁進。需要注意的是，三星、美光等廠商的128層NAND閃存也預計在今年問世，這樣一來，就意味著國產128層NAND閃存將和國際廠商站在同一條起跑線上，甚至還能夠擁有一些領先優勢。
而且值得一提的是，長江存儲從32層發展到128層NAND閃存僅僅只用了3年的時間，發展速度驚人，當然這背後付出的努力和辛酸只有長江存儲自己知道。但不管怎樣，現在長江存儲成功研發出128層QLC3D NAND閃存是值得高興的，日後長江存儲也會繼續努力，追趕國際廠商的步伐，爭取早日實現反超。
不過，現在受疫情的影響，長江存儲這款128層閃存產品何時能實現量產還存在很大的不確定性。但長江存儲CEO楊士寧表示，儘管因為疫情，128層閃存的研發速度受到一定的阻礙，但現在長江存儲已經完全復工了，也在加快追趕產能，不影響到整體進度，爭取按照原計劃在今年實現128層閃存量產，最晚也要明年上半年實現量產，朝著月產能10萬片的目標前進。
與此同時，長江存儲此次還發布了128層512Gb TLC規格閃存芯片X2-9060，存儲容量達到1.33Tb，I/O讀寫性能方面，在1.2V Vccq電壓下，X2-6070和X2-9060的傳輸速率都能夠達到1.6Gbps，速度很快。
總而言之，隨著5G和AI時代的來臨，人們對存儲的需求也越來越高，此次長江存儲推出的128層QLC3D NAND閃存也將在消費級固態硬盤中得到應用，並且逐步融入到企業級服務器、數據庫中，為合作伙伴和用戶創造更大的價值。
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