2020 年 3 月 27 日，崑山市科技創新發展推進會暨祖沖之攻關計劃表彰儀式舉行。
華天科技（崑山）電子有限公司的“12 英寸圓片級高密度硅基扇出型封裝技術的研發及產業化”項目榮獲首屆“金π獎”，也是唯一獲得金π獎的項目。
華天崑山 2015 年開始扇出封裝技術開發，2018 年開發成功具有自主知識產權的埋入硅基板扇出型封裝技術 eSiFO®（embedded Silicon Fan-out）並進入量產。與使用模塑料塑封不同，eSiFO®使用硅基板為載體，通過在硅基板上刻蝕凹槽，將芯片正面向上放置且固定於凹槽內，芯片表面和硅圓片表面構成了一個扇出面，在這個面上進行多層佈線，並製作引出端焊球，最後切割，分離、封裝。
華天科技 eSiFO®示意圖
eSiFO®技術具有如下優點：
可以實現多芯片系統集成 SiP，易於實現芯片異質集成
滿足超薄和超小芯片封裝要求
與標準晶圓級封裝兼容性好，無汙染
良好的散熱性和電性
可以在有源晶圓上集成
工藝簡單，翹曲小，無塑封 / 臨時鍵合 / 拆鍵合
封裝靈活：WLP/BGA/LGA/QFP 等
與 TSV 技術結合可實現高密度三維集成
由於技術的創新型和巨大應用潛力，2018 年 3 月獲評集成電路產業技術創新聯盟創新獎。
該技術目前有三個主要應用領域，多芯片系統級封裝，5G 毫米波射頻以及三維扇出堆疊。在 5G 射頻領域，其中多芯片堆疊產品包括 4G 射頻前端，毫米波芯片。2018 年 11 月，華天科技與微遠芯發佈新聞，成功完成 40GHz 毫米波 eSiFO®封裝技術開發，性能優異。
2018 年華天崑山進一步開發了基於硅基板的三維扇出技術，值得一體的是埋入硅基板扇出型 3D 封裝結構已獲得國家發明專利授權（授權號 CN105575913B）。該技術的特點是利用 TSV 作為垂直互聯，互連密度可以大大高於目前的臺積電 InFO 技術。
臺積電與華天三維晶圓級技術比較
eSiFO®封裝技術為後摩爾時代高性能芯片集成封裝提供了新的解決方案，隨著產品應用的不斷豐富，必將推動整個行業的技術發展。
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