今天湖北省新型冠狀病毒感染肺炎疫情防控指揮部發布通告，宣佈從3月25日零時起，武漢市以外地區解除離鄂通道管控。此舉也意味著國內的疫情防控已經取得了階段性的勝利。
不過，目前歐美疫情仍不容樂觀，歐洲多國及美國的確診病例仍在持續暴漲。以美國為例，僅昨天一天就新增了一萬多例確診病例。相比之下，日本和韓國的疫情似乎已趨於平穩，目前每日新增病例都已經降至了100例以下。但需要警惕的是，韓國和日本是目前全球存儲產業重鎮，在當地疫情仍未結束之前，仍不可掉以輕心。此前韓國的三星手機工廠和SK海力士工廠均出現了確診病例。另外美國疫情的爆發，也對在美國本土的美光存儲工廠造成不利影響。
此外，為應對疫情，意大利、馬來西亞、新加坡、菲律賓、印度等全球多個國家和地區開始採取短期“封國”、“封城”等措施，而由此造成的交通阻斷和工廠停工也在一定程度上影響全球存儲芯片的供求情況。
值得注意的是，雖然近期智能手機和PC市場出現了大幅的下滑，但是存儲芯片價格卻出現了大幅的上漲。業內消息顯示，自今年年初到現在，存儲芯片價格最高已上漲了近60%。
那麼，隨著全球疫情的持續發展，對於存儲芯片行業影響究竟有多大呢？未來存儲芯片價格是繼續上漲還是會下跌？
一、存儲芯片產業的全球格局以及日韓廠商地位如何？
存儲芯片產業 2019 年全球約 1200 億美元銷售額，對比全球 4000 億美元的半導體市場，佔比約 30%，地位顯著。其中 DRAM 全球銷售額約 620 億美元，NAND Flash 全球銷售額約 570 億美元，這兩大主要市場是本文重點討論的對象。存儲芯片行業週期約 3~4年，由於前期產能擴張和去庫存因素，2019 年存儲芯片價格下跌較多，帶來銷售額週期回落，由於 2019 年廠商已削減擴產計劃，預計 2020 年全球存儲芯片市場有望恢復增長。
DRAM 全球格局高度集中。根據TrendForce的數據顯示，2019年四季度三星、SK 海力士、美光三家廠商佔全球DRAM市場份額接近 95%。兩家韓國廠商三星、SK 海力士合計佔比約 72.7%。
NAND Flash 全球前六家廠商份額佔 99%以上，其中包括韓國廠商三星、SK 海力士，以及日本廠商 KIOXIA（鎧俠，原東芝存儲，2019 年被美國貝恩資本為首的財團收購，總部和運營地在日本）。根據TrendForce的數據顯示，2019年四季度，這三家日韓廠商份額達到了63.8%。
日韓廠商在 DRAM、NAND Flash 兩大類存儲芯片產業乃至全球半導體產業中均佔有重要的產業地位。這一地位具有一定歷史發展因素。日本、韓國在 20 世紀 80 年代、90年代分別集中政府、學界、商界力量研發和佈局存儲芯片產業，以十年計長期逆週期投資，成就當今地位。我國目前在 DRAM 和 NAND Flash 兩大產業中尚處於起步階段，國內相關佈局的廠商分別是合肥長鑫（DRAM，兆易創新合作開發）和長江存儲（NAND Flash，紫光集團旗下）。鑑於日韓兩國在全球半導體產業鏈中的重要地位，疫情升級無疑牽動著全球半導體產業鏈的脈搏，在存儲芯片領域這種關注尤甚。
二、主要存儲芯片廠區及其產能分佈情況以及現狀如何？
韓國：共 12 條產線，主要位於京畿道地區，受疫情影響小韓國共有 12 條產線，分佈在京畿道與忠清北道，總產能約 1200kwpm（千片/月，12吋晶圓，下同），本土總產能佔比逾 8 成。
三星的 DRAM 產能全部集中在韓國本土的華城（Fab12、Fab13、Fab15、Fab16、 Fab17）、平澤（P1、P2）兩地，NAND Flash 產能也有約 75%位於本土（Fab12、Fab16、Fab17、P1、P2），另有 25%的產能則位西安（西安一期、二期）。
SK 海力士有超過 60%的 DRAM 產能位於韓國本部，主要集中在利川市M10 廠，其餘產能位於無錫（無錫一期、二期），而其 NAND Flash 產能則全部位於本土的清州（M11、M22、M15）、利川（M14、M16）兩地，其中利川的 M14、M16（在建）廠為 NAND Flash 與 DRAM 混合廠。
根據以上產線 4Q19 月均投片量預估，三星與 SK 海力士在本土的 DRAM 與 NAND Flash 總產能水平分別約為 675kwpm 及 545kwpm，佔總產能的比重達到 83%及 82%。
△資料來源：TrendForce、中信證券研究部
從本土廠區所屬區域的疫情情況來看，三星的本土存儲芯片廠區都位於京畿道，而SK 海力士本土存儲芯片廠區則分佈與京畿道與忠清北道，均沒有位於疫情嚴重區域。截至3月20日零時，京畿道和忠清北道這兩個區域目前確診病例數分別為309例和33例，疫情尚不算嚴重。目前兩大廠商產線正常運轉。
韓國的疫情始發於教會的聚集性感染，疫情最嚴重的地區為大邱和慶尚北道，目前已度過高峰期，形勢逐步得到控制。韓國前期的新增人數確診高峰階段是 2 月底，相當於國內推後約 1 個月，目前已度過高峰期，新增確診人數逐步下降。
韓國中央防疫對策本部24日通報，當地時間23日0時至24日0時，韓國新增76例新冠肺炎確診病例，累計確診9037例，死亡增至119例。由於發生聚集性感染的新天地教會總部位於大邱市，當地成為韓國國內疫情最嚴重的地區，截至3月24日0時，大邱累計確診人數達6442人，不過23日的新增已降至31例。
而存儲廠商主要位於疫情不嚴重的京畿道和忠清北道，仍然正常運轉。由於疫情已逐步得到控制，且存儲芯片廠商尚未受到影響，預計後續對產能影響較小。
日本：共 7 條產線，位於三重、巖手兩縣，受疫情影響小日本共有 7 條產線，位於三重、巖手兩縣，兩地幾乎未受疫情影響。
日企鎧俠（原東芝存儲）與其合作伙伴西部數據的 NAND Flash 產線集中在日本本土的三重縣四日市（Fab2、Fab3、Fab4、Fab5、Fab6），另外，其即將投產的 K1 廠與 2020 年計劃新建的Fab7 廠則位於本土的巖手縣。鎧俠本土廠區所位於的三重、巖手兩縣目前的確診病例數分別為 9 例、0 例（截至3月19日），兩地在日本本土不屬於人口集中的地區，也幾乎沒有受到疫情影響，我們認為疫情影響產能的可能性較小。
日本前期的新增確診人數高峰發生在 2 月中旬左右，相當於國內的 1 月底-2 月上旬，延後約半個月，主要系停靠在橫濱港的鑽石公主號郵輪上持續發現新冠感染患者。
截至當地時間3月23日23時，日本新增39例新冠肺炎確診病例，累計新冠肺炎確診病例達到1140例，包括“鑽石公主”號郵輪確診的乘客及乘務人員確診712例和包機歸國的14例。各行政區域中，也只有北海道、愛知縣、大阪府、東京都和兵庫縣確診人數超過 100例。
△注：上圖的日本各地疫情數據截止於3月15日，因此部分區域的顏色區分與最新的有差異。
中國：共 12 條產線，長江存儲位於疫情嚴重的武漢地區
中國地區共有 12 條存儲芯片產線，其中中國大陸 8 條，中國臺灣 4 條，DRAM 產線7 條、NAND Flash 產線 5 條。
從國際廠商在中國的產線分佈情況來看，三星與 SK 海力士的 DRAM 產能合計約 30%以上位於中國大陸，其中三星 NAND Flash 有約 25%的產能位於西安廠，SK 海力士則有約 40%的 DRAM產能位於無錫廠。英特爾的所有 NAND Flash產能都集中在大連廠。
大陸本土企業方面，合肥長鑫與長江存儲的廠區分別位於合肥、武漢兩地。此外，美光有超 6 成的 DRAM 產能位於中國臺灣（臺中、桃園）。目前包括長江存儲在內的存儲廠都在正常運轉，預計疫情不會對各個廠商產線正常運轉造成太大影響。
此外，中國地區也是全球主要廠商存儲芯片封裝的重要基地。除了鎧俠/西數，所有主要廠商都在中國地區佈局了封裝基地，廣泛分佈在中國中部的上海、無錫、蘇州、西安、成都、重慶等地區，沒有位於湖北省的主要封測廠。上述地市的疫情防控情況良好，存量確診人數均不過百。封裝測試廠相比於存儲廠對員工需求更多，若員工到崗不足可能影響復工率，目前隨著國內疫情控制穩定，企業正陸續積極復工，復工率逐步恢復。
截至3月23日0—24時，國內累計報告確診病例81171例（現有確診病例4735例），新增確診病例78例，其中74都是境外輸入確診病例。目前來看疫情得到了基本控制，更多需要注意境外輸入病例。
另外，根據中國臺灣地區流行疫情指揮中心23日公佈的信息顯示，島內新增26例新冠肺炎確診病例，其中25例為境外輸入，1例本土案例，臺灣地區累計確診病例達195例。疫情影響相對較輕。
三、單看供給端，疫情影響大不大？
從行業特點出發，從短期來看，我們認為疫情對產能的直接影響有限。
首先，半導體制造的潔淨控制級別高，人員病毒傳播風險小，且產線自動化程度高，對人工的依賴不大。晶圓廠內對汙染控制要求十分嚴格，以免影響芯片工藝良率。普通空氣經處理後才能進入潔淨室，潔淨室內部每 1 平方英尺所含超過 0.5μm 微粒總數一般在1 以下（城市空氣中為 500 萬），甚至要求空氣中顆粒尺寸小於 0.1μm（飛沫核尺寸一般在 0.7~2.1μm），無塵室級別遠高於醫藥、食品工業等。
另外，生產工序中員工穿著的工業級防靜電無塵服並佩戴口罩，能夠減少空氣中的塵埃吸附，自帶一定的防護效果，高規格的工業級防塵服可以起到一定程度醫療防護服的效果。加之晶圓廠採取必要措施管控，預計疫情對晶圓廠產能影響小。對於封測廠商而言，封測廠商內也具有較好的潔淨控制措施，標準略低於晶圓製造廠。封裝測試廠相比於製造廠對員工需求更多，若員工到崗不足可能影響復工率，目前隨著國內疫情控制穩定，企業正陸續積極復工，復工率逐步恢復。
其次，半導體制造的晶圓廠一般為 365 天 24 小時不停轉，不存在停復工問題，且不會輕易停工。與鋼鐵、能源、化工等重資產基礎產業類似，半導體晶圓廠產線停工對廠商來說代價過大。
2018 年 3 月，三星平澤 NAND 廠遭遇停電事故，雖然停電僅半小時，仍損壞了 5000~6000 片晶圓，約佔其當月投片量的 11%，相當於該月全球供應量的 3.5%，估算的經濟損失約 3 億元人民幣。
以長江存儲為例，其廠區位於疫情核心區域武漢，早在1 月份，長江儲存便向外界表示：停工停產不在其計劃之內。由於廠區距離市中心 30 公里，地理位置相對獨立，且得益於高效的疫情應對手段，目前長江存儲產線運轉正常，材料運送也通過申請特殊通道得到了保障，尚未出現設備維護與材料的運輸問題，乃至客戶端受需求下滑影響而減緩產品認證速度等情況。因此我們認為各大廠商產線停工可能性不大，晶圓廠仍會保持 365 天不停轉，預計短期內生產不會受到太大影響。
中期角度來看，疫情將對長江存儲的新產能建設造成一定延後。受建築工人節前返鄉的影響，目前長江存儲一期廠區 B、C、D 標段等仍待建設收尾，但均無施工跡象，且無明確的復工時間表。中期來看長江存儲的產能爬坡計劃預計將出現一定延後。
原材料運輸保障是關鍵，日韓政府政策措施後續仍需關注。更進一步，考慮運輸影響，隨著海外疫情發展進入加速期，需關注日韓政府是否會效仿武漢採取封城措施，如封城是否會造成原材料、產成品運輸困難，海關是否會攔截或增加檢驗時間，如果運輸層面出現嚴重問題則可能直接造成產品短缺、短期價格上漲。晶圓廠原材料庫存水平通常保持在 2~3個月，因而短期原材料運輸問題可以緩解，但長期斷供將對整個產業鏈造成較大沖擊。
例 如 2019 年 7 月份日韓爆發貿易戰，日本作為全球最重要的半導體原材料及設備供應方限制向三星等韓企供應聚酰亞胺、光刻膠、蝕刻氣體等核心原料，日本斷供導致三星原料告 急，含氟聚酰亞胺庫存僅能維持 1 個月，包括蘋果、亞馬遜、微軟、谷歌在內的眾多終端廠商緊急派出高層赴韓評估事態影響及確認後續供應計劃。在三星高層及韓國政府的多方斡旋下，日方恢復這些核心材料的短期供給。可見原材料供應對晶圓廠生產影響較大，並且會影響到下游產品供應。
截止目前，日本疫情數據增長有限，但是韓國疫情數據增長較快，如若兩國政府後續所採取的更嚴厲防控措施影響到運輸環節，可能將對存儲芯片供貨端造成一些衝擊，但參考中國大陸地區疫情期間各廠商的運營狀況來看，即便是武漢區域的長江存儲也申請採取了特別通行的政策保障企業生產，只要應對得當，預計影響是有限的。綜合來看我們不認為疫情會對短期存儲芯片供給帶來太大的影響。
從產能利用及擴張情況來看，供給端產能總量平穩，預計 2020 年 DRAM 和 NANDFlash 產能擴增幅度分別為 3%、9.1%。2018~2019 年存儲價格下跌期間 DRAM 和 NAND Flash 廠商均推遲了擴產計劃。同時，由於 CIS（CMOS 圖像傳感器）受益於智能手機多攝需求景氣，三星、SK 海力士還將部分較老製程的 DRAM 產線轉換為 CIS 產線，造成DRAM 總體產能下降。
DRAM市場端，雖然目前存儲芯片價格 2019 年 12 月開始已經重回上行週期，但出於維持價格上行的需要，主要 DRAM 廠商 2019 年 Q4 的投片量並沒有明顯擴張，2020 年，部分之前新增產線有望陸續投產，加之三星等廠商產線靈活度高，可從其他業務線調配產能，因而 DRAM 端的產能具有彈性，供給有保障，但廠商主動調升產能的幅度並不高。
根據 Trendforce 數據，預計 2020 年相較於 2019 年 DRAM 產能擴增幅度在 3%左右。NAND Flash 端，鎧俠/西數與美光在 Q4 的投片量已經明顯上揚以應對需求增加和價格反彈，而 2020 年長江存儲的產能擴張計劃受到疫情影響可能會延後 1~2 個季度左右。根據 Trendforce 數據並調整了長江存儲的產能擴張節奏後，我們預計 2020 年相較於 2019 年 NAND Flash 產能擴增幅度在 9.1%左右。
四、再看需求端，中日韓及全球需求可能如何變化？
以智能手機為主的終端廠商出貨量減少短期內勢必會對需求端造成一定影響，但鑑於存儲芯片終端需求市場結構的變化，以及疫情對服務器級產品的需求可能還將有一定的促進作用。綜合來看，對存儲芯片市場全年需求的影響不大。
存儲芯片需求：手機、服務器、PC 端需求合計約佔 85%從應用領域的角度看，手機、服務器、PC 分別佔存儲芯片需求的 37%、28%、20%。根據 Trendforce 的數據，在 DRAM 的下游應用領域中，手機、服務器、PC 分別佔 41%、 32%、13%。根據 IHS 的數據，NAND Flash 的下游應用領域中，手機、PC、服務器分別佔 33%、26%、24.5%。由於 DRAM 和 NAND Flash 產值規模接近且兩者相加基本構成存儲芯片總產值，因此綜合來看，手機、服務器、PC 分別佔存儲芯片需求的 37%、28%、 20%。以下分三類應用分別展開分析。
手機端：銷量下行，平均單機存儲芯片容量上升，存儲芯片需求上升
線下銷售渠道受衝擊，預估 2020Q1 國內手機銷量同比-40%，全年同比下滑10%。國內智能手機線下銷量佔比約 7 成，分品牌來看，我們估算 2019 年華為（含榮耀）線下銷量佔比 6~7 成，小米線下佔比 4~5 成，OPPO、vivo 線下佔比 8~9 成。整體來看，2016-2019年，中國及全球智能手機銷量連年下降。我們預測，受本次新冠疫情衝擊，2020Q1 中國智能手機銷量將同比-40%，全年同比-10%。海外短期需求亦受到疫情影響，整體來看預計全球 Q1 同比下滑15~20%，全年同比下滑5~10%。
線上銷售、5G 換機將部分對沖疫情對於 2020 年手機銷量的衝擊。2020 年智能手機銷售有 2 個主要變化：
1）受疫情影響，國內智能手機的部分銷售將從線下轉為線上，消費者線上購買佔比提升。2020 年 1 月中國智能手機線上銷量（HOVMS 天貓旗艦店銷量，華為包含榮耀）101.8 萬部，環比+12%；
2）5G 手機銷量將快速增長。隨著全球更多地區開始 5G 商用部署、各品牌陸續推出 5G 機型，5G 手機銷量有望快速增長。據 IDC 預測，2020 年 5G 手機出貨量將佔總出貨量的 8.9%，達到 1.235 億部。而 2020 年 1 月國 內 5G 手機線上銷量 15.82 萬部，環比+9.18%，佔手機線上總銷量的 15.5%。
智能手機 DRAM、NAND Flash 的平均單機容量均呈現出明顯增長趨勢，平均單機容量增速大於手機銷量下滑速度。TrendForce 數據顯示，DRAM 在智能手機上的平均單機容量 2010-2019 年 CAGR 為 25.1%，預測 2020 年同比增長 13%。數據顯示，NAND Flash 在智能手機上的平均單機容量 2014-2019 年 CAGR 為 31.2%。平均單機存儲芯片容量增速仍大於國內 2020 年智能手機銷量同比下降幅度（-10%）。
綜合手機銷量和手機平均單機存儲芯片容量來看，存儲芯片在智能手機領域的需求將呈上升趨勢。2020 年，智能手機的銷量下行將對存儲芯片需求造成一定負面影響，但手機線上銷售、5G 換機等因素將抵消部分消極影響；除此之外，平均單機 DRAM、NAND Flash 容量增速仍大於目前推測的國內 2020 年智能手機銷量同比下降幅度，完全抵消了手機銷量下降對於存儲芯片需求的負面影響。綜合來看，存儲芯片在智能手機領域的需求將呈上升趨勢。
PC 端：銷量下行，平均單機存儲芯片容量上升，存儲芯片需求上升
預計 PC 出貨量在 2020 年後呈下降趨勢，2020-2022 年 CAGR 為-2.5%。2011-2018年，全球 PC出貨量連年下降，根據 Gartner的數據，2019年全球 PC出貨量同比增長0.6%， 達 2.61 億臺。Gartner 預測，PC 出貨量預計仍將在 2020 年及以後呈下降趨勢，預計2020-2022 年 CAGR 為-2.5%。微軟在 2020 年 1 月 14 日放棄對 Windows 7 的支持，Windows 10 將通過定期更新進行系統升級，因此未來 Windows 操作系統升級帶動的 PC硬件升級週期將會結束。
PC 的平均單機 DRAM、NAND Flash 容量呈上升趨勢，平均單機容量增速大於 PC銷量下滑速度。2019 年下半年 PC 的主流機型搭載的 DRAM 容量為 8GB。而根據 Yole預測，2024 年 PC 的 DRAM 平均單機容量超過 10GB，保守估計 2019-2024 年 DRAM 平均單機容量 CAGR 為 4.6%以上，高於 PC 銷量下跌幅度，相應預估 2020 年 PC 的 DRAM平均單機容量約 8.4GB。DRAMeXchange 的數據顯示，目前 PC 的平均單機 NAND Flash搭載量在 500GB 左右。據 Yole 預測，2024 年，PC 的平均單機 NAND Flash 搭載量高於1000GB，且 SSD 在消費類 PC 中的滲透率不斷提升，則保守估計 2019-2024 年 PC 的NAND Flash 平均單機容量 CAGR 為 14.9%以上，高於 PC 銷量下跌幅度，抵消了 PC 銷量下跌對存儲芯片需求的影響。
綜合 PC 銷量和 PC 平均單機存儲芯片容量來看，存儲芯片在 PC 領域的需求將呈上升趨勢。2020 年，PC 銷量下行將對存儲芯片需求造成一定負面影響，但 PC 平均單機DRAM、NAND Flash 容量增速（預計分別為 20%、39%）大於 PC 銷量同比下降幅度（預 計-2.5%），抵消了 PC 銷量下降對於存儲芯片需求的負面影響。綜合來看，存儲芯片在 PC領域的需求將呈上升趨勢。
服務器：雲廠商資本開支上行週期，疫情強化服務器的存儲芯片需求增長趨勢
2020 年全球雲廠商資本支出仍處於上行週期，未來幾年仍是國內雲廠商大規模資本投入週期，帶動 2020 年服務器市場回升。根據 IDC 數據，2019 年全球服務器出貨量為 1133 萬臺，2019 年上半年為上一輪服務器景氣週期底部。2019Q4 全球一線雲廠商資本支出同比-4%，繼續處於復甦通道。
目前看來，雲廠商資本支出仍處於週期性上行階段，預計將至少能持續到 2020H1，主要廠商谷歌、微軟、亞馬遜、Facebook 等亦表示 2020年將維持資本支出穩健增長。
由於國內雲市場的發展路徑整體與北美市場相似，主要差異在於國內雲市場發展整體滯後北美市場 4-5年，底層基礎設施的建設進度預計落後2-3年，因此預計未來幾年仍是國內雲廠商大規模資本投入週期，包括對大型 IDC 的租賃需求，對服務器、存儲的採購需求等等。據 Gartner 預測，在雲、AI 等新型 IT 基礎設施建設的推動下，2020 年服務器市場有望回升。
疫情期間服務器行業受益於擴容需求增加，短期需求暴漲。受到新冠疫情影響，遠程辦公、遠程教育、短視頻、電商/新零售、互聯網醫療等的需求急劇上升。以遠程辦公行業為例，釘釘和企業微信的在線辦公人數都創新高，分別超過了 1000 萬家和達到數百萬家。根據騰訊雲公眾號的數據，從 1 月 29 日開始到 2 月 6 日，騰訊會議日均擴容雲主機接近1.5 萬臺，8 天總共擴容超過 10 萬臺雲主機。此外，阿里釘釘在 2 月 3 日也通過阿里雲緊急擴容 1 萬臺服務器，2 月 4 日再度擴容 1 萬臺雲服務器，以應對群直播和語音視頻會議的流量洪峰。此次疫情帶來的遠程辦公、音視頻會議等需求暴漲有望帶來服務器需求邊際改善，我國服務器市場將迎來新一輪增長。
服務器的平均單機 DRAM、NAND Flash 容量呈顯著上升趨勢。據 DRAMeXchange預測，服務器的 DRAM 平均單機容量將從 2019 年的 304GB 上升至 2020 年的 397GB，漲幅達 30%。根據 ChinaFlashMarket 數據測算，服務器的 NAND Flash 平均單機容量將從 2019 年的 2300GB 增至 2020 年的 2700GB，增幅達 17%。綜合服務器出貨量、服務器平均單機存儲芯片容量等 2 個增長因素，存儲芯片在服務器領域的需求將呈顯著上升趨勢。
疫情對全球存儲芯片需求影響的推演：疫情全球蔓延下的需求變化
我們把存儲芯片需求分為手機、PC、服務器、其他共 4 個部分（前 3 個應用領域合計佔存儲芯片需求的約 85%），其中，疫情對於存儲芯片需求產生負面影響的主要是手機、PC 領域，服務器 2020 年的出貨量預期呈上升態勢，疊加疫情影響更強化了增長的預期。下面我們主要對疫情蔓延下手機、PC、服務器端的需求作出測算，並與疫情前的預期做比較。
悲觀情形假設疫情在全球主要市場全面蔓延。目前疫情在全球呈快速蔓延趨勢，各國政府採取不同程度的防控措施，最終疫情得到基本控制的時點具有不確定性，因此我們作出 2 種情景假設，中性情形假設中國國內的疫情在 4 月底得到基本控制，生產消費活動恢復，全球疫情在 2020Q2 結束前得到基本控制；悲觀情形假設疫情在全球全面蔓延，2020Q3得到基本控制。
手機端：出貨量萎縮，疊加單位存儲容量增長，中性和悲觀情形下預計 2020 年 DRAM需求分別同比+9.1%、+1.1%，NAND Flash 需求分別同比+26.7%、+17.4%，均低於疫情前預測。
1）在中性情形下，我們預計 2020Q1 中國地區手機出貨量同比下降 40%，Q2手機出貨量同比下降 7%，根據亞太其他地區、歐美等不同國家目前的疫情發展程度，對其 2020Q1、Q2 的手機出貨量作出假設，並假設 2020 年 Q2 結束前疫情得到基本控制，全球手機需求只是推遲而沒有消失，假設 2020 下半年全球出貨量同比+6%。經測算，2020年全球手機出貨量同比-3.5%，中國手機出貨量同比-6%，與 TrendForce 在 3 月 5 日發佈的預測相近。中性情形下，手機出貨量萎縮疊加了單機存儲容量增加的影響後，預計 2020年智能手機 DRAM 需求同比+9.1%（低於 Trendforce 在疫情前給予的智能手機 DRAM需求預測+17.1%），智能手機 NAND Flash 需求同比+26.7%（低於 ChinaFlashMarket在疫情前給予的 NAND Flash 整體需求預測+45%）。
2）在悲觀情形下，假設疫情在亞太多個國家、歐美全面蔓延，對亞太其他地區、歐美的 Q1 出貨量影響均為-20%，對兩者Q2 的影響均為-40%，對非洲及中東、拉美等其他地區在 2020Q2 的影響是-10%。並假設2020 年 Q3 左右疫情得到基本控制。經測算，2020 年全球手機出貨量同比-10.5%，中國手機出貨量同比-12%，與 Strategy Analytics 在 3 月 3 日發佈的預測相近。悲觀情形下，手機出貨量萎縮疊加了單機存儲容量增加的影響後，預計 2020 年智能手機 DRAM 需求同 比+1.1%（大幅低於 Trendforce 在疫情前給予的智能手機 DRAM 預測+17.1%），智能手機 NAND Flash 需求同比+17.4%（低於 ChinaFlashMarket 在疫情前給予的 NAND Flash整體需求預測+45%）。
PC 端：出貨量萎縮，疊加單機容量增加影響，中性和悲觀情形下預計 DRAM 需求分別同比+1.2%、-2.6%，NAND Flash 需求分別同比+11.2%、+7.0%。
1）在中性情形下，我們採用 Canalys 的預測，假設 2020Q1 全球 PC 出貨量同比下降 10%，Q2 出貨量同比下降 9%，下半年需求+2.3%，2020 年全年出貨量-3.2%。中性情形下，PC 出貨量萎縮疊加單機容量增加影響，預計 2020 年 PC 端 DRAM 需求同比+1.2%（低於 Trendforce 疫情前給予的 PC 端 DRAM 需求預測+11.4%），PC 端 NAND Flash 需求同比+11.2%（低於 ChinaFlashMarket 在疫情前給予的 NAND Flash 整體需求預測+45%）。
2）在悲觀情形下，疫情在全球其他主要市場蔓延，假設 2020Q1 全球 PC 出貨量同比下降 20%，Q2出貨量同比下降 15%，下半年需求+2.3%，則 2020 年全年出貨量-6.9%。悲觀情形下，PC 出貨量萎縮疊加單機容量增加影響，預計 2020 年 PC 端 DRAM 需求同比-2.6%（低於 Trendforce 疫情前給予的 PC 端 DRAM 預測+11.4%），PC 端 NAND Flash 需求的同比+7.0%（低於 ChinaFlashMarket 在疫情前給予的 NAND Flash 整體需求預測+45%）。
服務器端：疫情刺激雲計算需求，疊加單機容量提升，中性和悲觀情形下預計 DRAM需求分別同比+40%、+42%，NAND Flash 需求分別同比+25%、+27%。
1）中性情形下，我們假設在疫情刺激下，2020Q1、Q2 全球服務器出貨量分別同比增長 10%、8%，下半年同比+5%，2020 年全年出貨量+6.9%。中性情形下，服務器出貨量增加疊加單機容量增加影響，預計 2020 年服務器 DRAM 需求同比+39.8%，NAND Flash 需求同比+25.4%。
2）在悲觀情形下，疫情在全球其他主要地區蔓延，對雲服務需求進一步擴大，假設 2020Q1全球服務器出貨量同比+15%，Q2 出貨量同比+10%，下半年需求+5%，則 2020 年全年出貨量+8.5%。悲觀情形下，服務器出貨量增加疊加單機容量增加影響，預計 2020 年DRAM 需求同比+42.0%，NAND Flash 需求的同比+27.3%。
△表 8：服務器出貨量變動對於存儲芯片需求的影響測算
基於以上測算，我們預計 DRAM 需求受疫情的負面影響小於 NAND Flash，NANDFlash 需求低於疫情前預估但仍將保持 25%以上增速。
綜合手機、PC、服務器三個主要應用的預測，在中性情形下，我們預計 2020 年全球 DRAM 需求同比增長 17.45%，與Trendforce 在疫情前預測的全年增長率 17.59%接近，這主要是由於手機和 PC 端的出貨量下滑與服務器端的需求增長相對沖。中性情形下預計 2020 年全球 NAND Flash 需求同比增長 32.45%，低於 ChinaFlashMarket 疫情前預估的全年增長率 45%，主要是由於NAND Flash 市場中服務器應用佔比相對較小，因此其需求增長不及手機及 PC 端出貨量下滑的影響。在悲觀情形下，我們預計 2020 年全球 DRAM、NAND Flash 需求分別同比增長 13.53%、26.06%，較疫情前預估的增速分別下滑 4pcts、19pcts。綜合考慮疫情對手機、PC 銷售的阻礙以及對雲計算服務器需求的刺激，我們認為 DRAM 需求受疫情的負面影響小於 NAND Flash，主要是由於 DRAM 在服務器端需求具有 30%以上的佔比，對沖了其他應用帶來的下滑。NAND Flash 需求低於疫情前預估但預計仍將保持 25%以上較快增速。
五、漲價後續還能否持續？對國內企業有何影響？
綜合上文分析，我們認為供給端晶圓廠產能受到疫情直接影響較小，主要關注新廠房建設、設備材料運輸和過關、封測廠復工率問題，綜合判斷短期產能仍有小幅擴張。預計2020 年 DRAM 和 NAND Flash 產能擴增幅度分別為+3%、+9.1%。需求端，我們認為疫情加重了智能手機和 PC 銷量下行，同時刺激了雲服務器需求，兩影響因素部分對沖，疊加單機存儲芯片容量增長後，整體需求仍然維持增長態勢。中性情形下，預計 2020 年DRAM、NAND Flash 需求同比+17.45%、+32.45%，悲觀情形下，預計 2020 年 DRAM、NAND Flash 需求同比+13.53%、+26.06%。均較疫情前預測的增長率+17.59%、+45%有所下滑。DRAM 和 NAND Flash 的需求增速仍高於供給擴產增速。我們預計當前供給擴張小於需求成長的狀況尚不會出現明顯轉換，後續漲價趨勢仍有望持續。
對於未來價格走勢，還可以在存儲價格週期視角下加以判斷。
DRAM 價格週期大概 3~4 年，目前處於週期底部復甦階段，後續仍有價格上漲動力。2019 年 12 月，DRAM 價格階段性觸底，基本接近 2016H1 的價格底部。2019 年 12 月~2020年 2 月價格上漲約 20%，但總體仍處於底部區間。根據前文分析，供給和需求端目前都較為平穩，我們預計隨著疫情形勢逐漸走向樂觀，相關需求恢復，價格仍將有較大的上漲空間。因此認為 DRAM 價格下行空間不足，未來上漲概率較大。同時，如果日韓疫情出現嚴重變化，出現不利於供給端局面，考慮到下游可能有增加備貨、渠道囤貨，庫存水平提高，不排除價格短期快速上漲可能性。
NAND Flash 價格週期同樣大概 3~4 年，目前處於週期底部復甦階段，後續仍有價格上漲動力。2019 年年中，NAND Flash 價格階段性觸底，低於 2016 年年中的前一輪底部價格，伴隨雲端需求改善，隨後半年內價格開始出現回升。目前價格仍然處於總體底部區間，在供求平穩的狀態下，後續仍然具備上漲空間。同時，如果日韓疫情出現嚴重變化，出現不利於供給端局面，考慮到下游可能有增加備貨、渠道囤貨，庫存水平提高，不排除價格短期快速上漲可能性。
△資料來源：inSpectrum Tech，中信證券研究部
對國內存儲企業而言，行業景氣有利於其快速成長。目前國內 DRAM項目廠商主要是合肥長鑫，NAND Flash項目廠商主要是長江存儲，均處於研發成功後逐步建設產能階段。從產能來看目前兩家在全球佔比均較為微小，截至2019 年底合肥長鑫和長江存儲產能均在 2 萬片/月左右。從技術來看，目前兩家均較三星等國際領先大廠落後一代左右，例如合肥長鑫目前節點為 1x nm（大致 17~19nm），而三星產能在 1y nm（大致 14~16nm），逐漸向 1z nm（11~13nm）進軍；長江存儲目前研發出 64 層 NAND Flash，正在研發 128 層，而三星產能已達 92 層，逐漸向 128 層進軍。若後續存儲芯片繼續漲價，行業景氣將有利於兩家廠商的銷售和擴張。
資料來源：中信證券《疫情升級對存儲芯片行業影響五問五答》
注：在原資料基礎上有更新相關數據（特別是最新的疫情數據）和內容
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