三星今日宣佈開始量產512GB eUFS 3.1芯片，其連續寫入速度超過1.2GB/s，是其前代產品寫入速度的3倍。
三星方面表示，與前代產品、固態硬盤及MicroSD卡相比，eUFS 3.1芯片將為智能手機提供更快的數據傳輸體驗。據瞭解，新eUFS 3.1芯片的連續寫入速度是SATA硬盤（540MB / s）的兩倍以上，是 UHS-I microSD 卡（90MB / s）的十倍以上，其處理速度比市面上常見的 UFS 3.0 快 60%，擁有2,100MB/s的順序讀取速度以及100,000 IOPS（每秒輸入/輸出操作）和70,000 IOPS的隨機讀取速度和寫入速度。
此外三星的eUFS 3.1系列還將提供256GB和128GB容量，目前三星位於平澤工廠的P1生產線已開始生產第六代V-NAND。同時，位於中國西安的新X2生產線已開始生產第五代V-NAND。
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