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美光宣佈，已經成功試產了
全球第一個將LPDDR5 DRAM內存顆粒、96層堆疊3D NAND閃存顆粒整合封裝在一起的芯片“uMCP5”，面向追求高速內存、高性能存儲的主流和旗艦5G智能手機，當然用在中高端4G手機裡也沒問題。如今的5G旗艦手機已經將LPDDR5內存、UFS 3.0/3.1閃存作為標準配置，而且都是大容量，但由於傳統手機中的內存都是與SoC處理器整合封裝，閃存則是獨立芯片，會佔用不少空間，加之5G手機內部元器件急劇增加、結構非常複雜，整體設計難度也大大增加。
美光uMCP5單芯片整合了12GB容量、6400MHz頻率、第二代10nm工藝製造的雙通道LPDDR5內存，256GB容量、96層堆疊、UFS接口的3D TLC閃存，以及板載控制器，對外則是297針標準BGA封裝。
美光表示，uMCP5相比傳統內存、閃存雙芯片組合可以節省40％的面積，同時內存和存儲帶寬比上代方案提升50％。
美光表示，uMCP5芯片已經向特定客戶提供樣品，但未披露具體都有誰。
閃存資料圖
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