与非网 1 月 7 日讯，由于三星在 7nm 工艺节点上采用更加激进的 EUV 技术，7nm 工艺量产要比台积电晚一年。在进入 10nm 节点后，半导体工艺制造越来越困难，但需求却在不断提升，导致台积电、三星通过改进工艺，便推出号称新工艺的产品。
三星未能赶超台积电的主要原因是三星在 16 纳米和 12 纳米工艺之后开发 7 纳米工艺的时间很晚。台积电通过其 7 纳米技术，垄断了苹果（最大的无晶圆厂客户）的 AP 供应。
为了再进一步与台积电竞争，三星则开始发展 6nm 制程产线与台积电竞争，而且也在 2019 年 12 月开始进行量产。三星希望藉由 6nm 制程的量产，进一步缩小与台积电之间的差距。
有媒体报道指出，三星于去年 4 月向全球客户提供 7 纳米产品，自开始大规模生产 7nm 产品以来，三星仅在八个月内就推出了 6nm 产品。三星的微加工工艺技术升级周期正在缩短，特别是向 6nm EUV 工艺的过渡有望缩小与全球第一大晶圆代工厂台积电（TSMC）的差距。
消息人士透露，三星晶圆制造业务的高管已经确认 6nm 工艺的芯片出货量产，交付给北美的客户。虽然三星官方没有提及具体信息，但这个北美客户应该是高通，只是目前无法确定是哪款芯片。如果 6nm 量产成功，那三星进入量产阶段的工艺就有 7nm EUV、6nm LPP 两种，可以更好地从台积电手中抢市场。
三星的 6nm 工艺实际上也就是 7nm 工艺的改进版，在 7nm EUV 基础上应用三星独特的 Smart Scaling 方案，可以大大缩小芯片面积，带来超低功耗。三星还希望在 6nm 之后，2020 年推出 5nm EUV 工艺，台积电预计在 2020 年上半年量产 5nm EUV 工艺，三星总算上追上台积电的工艺进度，但三星没有公布采用 5nm 工艺的客户有哪些。
三星真正有希望超越台积电的工艺是 3nm，他们是第一家官宣使用全新 GAA 晶体管的，在 3nm 节点将会用 GAA 环绕栅极晶体管取代 FinFET 晶体管，三星希望 2021 年量产 3nm 工艺，而今年上半年完成 3nm 工艺开发。
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