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在CES 2019展会上，金士顿正式发布了他们的A2000和KC2000系列NVMe固态硬盘，与上一代产品相比，每款固态硬盘都具有更高的性能。新的SSD现在都使用64层3D TLC NAND，并且已经从Phison控制芯片切换到更新的Silicon Motion控制芯片。 A2000还采用了PCIe 3.0 x4配置，允许NVMe SSD访问更多带宽以提高传输速度。
两款新SSD都将提供256GB，512GB和1TB型号，高端KC2000 SSD也提供2TB版本。较低价格的A2000将提供2000 / 1500MB/s的连续读/写速度，而KC2000将提供3000 / 2000MB/s的连续读/写速度。下表详细说明了这些规范与上一代产品的对比情况。
这两款SSD预计将在3月底或4月初上市。定价信息和其他规格将在稍后公布。
PCIE gen4的规范目前尚末在显卡上普及（实际上PCIE gen3 X 8通道都够喂饱显卡了），而且最先来到了固态硬盘。同时，这个主控是8通道，支持DDR4（貌似也是全球第一个~），支持TLC和QLC。
测试中采用了一个250GB容量的样品，颗粒末知，最高读取为4071MB/s，最高写入为4224MB/s，温度仅为37度！所以，推测用了比较先进的生产工艺。
群联董事长潘健成指出PS5016-E16是群联最新一代以及目前市场上唯一的PCIe Gen4x4 NVMe SSD旗舰控制芯片，搭配群联第四代LDPC的纠错引擎 (ECC Engine)以及最新的3D NAND Flash (闪存) 技术，最高连续读写效能超过4000MB/s。而这一波由5G带出的相关应用，包含云端运算 (Cloud Computing)、自动驾驶、智能医疗、智慧家居、智能物联网等，在数据数据不断倍增的趋势下，储存的需求不仅不断增加，更是所有运算应用中不可或缺的。
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反正我是受不了tlc硬盘掉速问题！连intel760p持续写入读取都只有300m左右，和我之前买的一般的mlc硬盘差不多。像那些杂牌低端的tlc硬盘持续读写都不到100m的。
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