正所謂科技強國的道理並非這來風，畢竟縱觀全球各國之間的競爭不再僅限於軍事和經濟層面，更多的則是科技實力的比拼。因為，科技的發展將會對國家的綜合實力起到積極的推動作用，而這一點也成為了世界公認的道理，同時從細化分領域進行分析，科技的發展與科學家又有著直接的關係。
很顯而易見，美國之所以能夠在科技領域，以絕對的優勢處於全球第一的位置，無非是因為美國硅谷彙集了來自全球各地的頂尖科學家，也因為較為超前的發展水平，硅谷也成為了眾多科技人才所向往的地方。但是有這樣一箇中國人，卻做出了讓人為之驚訝的舉動，他就是尹志堯。
根據資料顯示，尹志堯於1968年畢業於中國科技大學化學物理系，在1980年前往美國加利福尼亞大學洛杉磯分校進行深造，並且以較為出色的成績獲得了加利福尼亞大學物理化學博士學位。同時為了挽留如此優秀的人才，硅谷更是以高薪待遇，聘請尹志堯在硅谷工作，尹志堯本人在硅谷，一干就是16年。
眾所周知，即便美國會聘請外籍員工，但是較為關鍵技術的崗位卻從不聘用海外人員，不過由於尹志堯個人能力較為出色，所以他也擔任了硅谷中國工程師協會主席，並被業內稱之為最成功的硅谷華人。如此稱譽足以看出尹志堯個人能力不比尋常人。
雖然身居要職，並且得到了硅谷的肯定，但是心繫祖國的尹志堯毅然辭職回國，並堅定表達決心要報效祖國。於是在回國後，尹志堯創辦了中微半導體，並在擔任董事長的情況下，積極參與到研發工作當中，但由於在發展初期，中微半導體也遇到了與其他企業相類似的難題，資金的短缺就是其中之一。為此中微半導體投入5000萬美元研發資金，在業內引來了不小的轟動，但要知道美國同類型的公司每年在研發方面至少投入上億。
即便環境較為苛刻，尹志堯也並沒有就此放棄，毅然帶領著團隊相繼研發，出了65 45 28 20 14 17nm工藝製成的離子蝕刻設備，要知道這樣的成績，已經打破了美國技術壟斷，讓中國科技逐漸與國際接軌，所以在中微半導體發展形勢一片大好的情況下，也讓美國感到後悔。
在2017年尹志堯所帶領的團隊正式宣佈，目前已經突破了5nm技術難關，同時還發布了最為先進的5nm蝕刻機。如此勁爆的消息也從側面反映出目前我國已成功打破了美國在半導體領域的壟斷，帶領著中國半導體走向世界。當然除了尹志堯本人外，近兩年來隨著國家經濟的不斷髮展，越來越多的華人，華裔科學家紛紛選擇撤離美國，重回祖國懷抱，併為中國科技發展貢獻出一己之力，而這也是特朗普無法阻止的。
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