西部数码目前已经推出了它的第一个UFS-3.1产品——iNAND EU521（上图）。目前，存储空间有128 GB或256 GB的闪存，适合智能手机的5G通信。
5G移动标准规定数据传输速率高达10Gbit/s（总速率），与4G时代相比显著降低了传输延迟。然而，为了充分利用这一能力，智能手机也必须相应地配备可以快速存储数据，不仅要有合适的5G调制解调器，还要有强大的大容量存储。
UFS 3.1，未来发挥5G的全部潜力
正如Western Digital所解释的，虽然UFS 2.1的性能几乎足以处理至少5G的最大数据速率，但只有UFS 3.0才有可能实现全吞吐量工作。西数称，为了能够充分发挥5G的潜力，而不仅仅是读取和存储数据，UFS3.1的改变再次是必要的。人们越来越关注数据的创建和共享。
5G需要快速存储（图片：Western Digital）
根据UFS 3.1规范，JEDEC存储机构在1月底推出了一些有关智能手机存储性能和性能的创新。
根据JEDEC规定，UFS 3.1的创新：
-Write Booster：一种非易失性SLC缓存，它可以提高写入速度
-深度睡眠：一种新的UFS设备低功耗状态，目标是与其他功能共享UFS电压调节器的低成本系统
-性能限制通知：允许UFS设备在存储性能因高温而受到限制时通知主机
其中一点就是所谓的“写助推器”，西数NAND闪存的一部分以SLC模式（单级单元）操作，每个存储单元只有一个位，这特别显著地加快了写入过程。只有在空闲阶段才会永久保存数据。对于用户来说，只要数据适合有限的SLC缓冲区，中间缓冲存储就意味着更大的功率。对于制造商来说，这也意味着能够使用更便宜但速度较慢的多级单元存储器，每个单元有更多的位和更多的存储空间。实际上，所有使用TLC-NAD（3位/单元）的用户固态硬盘都具有这样一个伪SLC缓存，而使用QLC-NAD（4位/单元）则更加重要。
西数 iNAND EU521在缓存中写入速度为800 MB/s
西数Western Digital iNAND EU521它是第四代3D NAND（BiCS4），采用96层架构，与合作伙伴Kioxia（以前的东芝存储器）共同开发，并作为TLC和QLC变体提供。WD称之为SmartSLC的SLC turbo的最大写入功率指定为800mb/s。iNAND EU521在BGA包中同时测量128 GB和256 GB的容量11.5到13到1.0 mm。
在UFS 3.1市场方面，三星（Samsung）和SK海力士（SK Hynix）也将推出首款UFS-3.1产品。
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