很快，臺積電和三星的5nm工藝即將量產，與此同時，臺積電和三星的3nm工藝也在持續的研發當中。而對於5nm及以下工藝來說，都必須依靠EUV（極紫外）光刻機才能實現。而目前全球只有一家廠商能夠供應EUV光刻機，那就是荷蘭的ASML。
目前ASML出貨的EUV光刻機主要是NXE:3400B及改進型的NXE:3400C，兩者基本結構相同，但NXE:3400C採用模塊化設計，維護更加便捷，平均維修時間將從48小時縮短到8-10小時，支持7nm、5nm。
此外，NXE:3400C的產能也從之前的125WPH（每小時處理晶圓數）提升到了175WPH。
隨著去年臺積電、三星7nm EUV工藝的量產，對於ASML的EUV光刻機的需求也是快速增長。
根據今年1月ASML發佈的2019年Q4季度及全年財報顯示，2019年全年營收118.2億歐元，同比增長了8%，毛利率從46%小幅下滑到了44.7%，全年淨利潤25.92億歐元，維持不變。
其中，僅在去年四季度，ASML就出貨了8臺EUV光刻機，並收到了9臺EUV光刻機訂單。全年EUV光刻機訂單量達到了62億歐元，總計出貨了26臺EUV光刻機，比2018年的18臺有了明顯增長，使得EUV光刻機的營收佔比也從23%提升到了31%。要知道目前一臺EUV光刻機的價格可超過1億美元。
而隨著今年臺積電、三星5nm工藝的量產，則對於EUV光刻機的需求進一步提高。根據ASML預計，2020年將會交付35 臺EUV光刻機， 2021年則會進一步提高到45臺到50臺的交付量。
此外，針對後續更為先進的3nm、2nm甚至是1nm工藝的需求，ASML也針對性的規劃了新一代的EUV光刻機EXE:5000系列。
據瞭解，EXE:5000系列將物鏡系統的NA（數值孔徑）提升到了0.55（數字越大越好，上一代的NXE:3400B/C的NA都是0.33）,可實現小於1.7nm的套刻誤差，產能也將提升至每小時185片晶圓以上，其主要合作伙伴是卡爾蔡司和IMEC比利時微電子中心。
根據ASML公佈的信息，EXE:5000系列光刻機最快在2021年問世，不過首發的還是樣機，估計2022或者2023年左右才能夠量產交付給客戶。
而按照目前臺積電的和三星的進度來看，今年會量產5nm工藝，而3nm工藝雖然目前已有突破，但是可能也要等到2022年才會量產。
按照三星的規劃，在6nm LPP之後，還有5nm LPE、4nm LPE兩個節點，隨後進入3nm節點，分為GAE（GAA Early）以及GAP（GAA Plus）兩代。去年5月，三星的3nm GAE設計套件0.1版本已經就緒，以幫助客戶儘早啟動3nm的設計，但是量產應該要等到2022年以後了。
而臺積電的目標也是在2022年量產3nm工藝。據瞭解，目前臺積電的3nm進展順利，已經開始與早期客戶進行接觸。而臺積電新投資6000億新臺幣的3nm寶山廠也於去年通過了用地申請，將於今年正式動工。
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