集微網消息（文/Vivian），據快科技報道，SK海力士宣佈，已經與Xperi Corp旗下子公司Invensas簽訂新的專利與技術授權協議，獲得了後者DBI Ultra 2.5D/3D互連技術的授權。
據瞭解，DBI Ultra是一種專利的裸片-晶圓(die-wafer)混合鍵合互連技術，使用化學鍵合來連接不同的互聯層，無需銅柱和底層填充，不會增加高度，從而大大降低整體堆疊高度，釋放空間，可將8層堆疊翻番到16層堆疊，獲得更大容量，每平方毫米的面積裡可以容納10萬個到100萬個互連開孔，相比每平方毫米最多625個互連開孔的傳統銅柱互連技術，可大大提高傳輸帶寬。
DBI Ultra的生產需要使用新的工藝流程，但是良品率更高，也不需要高溫，而高溫正是影響良品率的關鍵因素。
與其他下一代互連技術類似，DBI Ultra也靈活支持2.5D、3D整合封裝，還能集成不同尺寸、不同工藝製程的IP模塊，因此不但可用來製造DRAM、3DS、HBM等內存芯片，也可用於高集成度的CPU、GPU、ASIC、FPGA、SoC。
目前，SK海力士還未透露會將DBI Ultra封裝技術用在哪裡，但DRAM、HBM顯然是最佳選擇。（校對/ Jurnan ）
分享到:
閱讀更多 半導體投資聯盟 的文章
