三极管的三个引脚是什么意思?

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在我看来,提问者提出的问题是根据元器件外观来提出的,其实三极管总的来说有两种类型三极管,一种是电流控制型三极管,我们根据它的特性又给起了个名字叫双极结型晶体管;另一种是电压控制型三极管,我们也给它起个名字叫场效应管,(又称FET管)。下面我们就以上两大类三极管个大家聊一聊它们的故事。

我们先拿绝缘栅晶体管来说吧,随着半导体技术的发展,这种器件也有着庞大的家族体系,我们着重讲讲常用的几种:

结型场效应管(JFET)

这种器件在外观上看有三个引脚,我们分别给它起的名称是栅极G、漏极D、源极S。我们再从内部结构看,这种器件在内部结构上又分为N沟道结构和P沟道结构,下图 左边是N沟道结构。右边是P沟道结构。

它们的工作过程是通过外部电压控制两个PN结,就像控制两扇“大门”开合一样,来调节管子的工作电流的。

绝缘栅型场效应管(MOSFET)

我们简称这个器件为MOS场效应管,它的全名叫金属-氧化物-半导体场效应管,从外观看它也有三个引脚,引脚名字与结型场效应管叫法一样,分别叫栅极G、漏极D、源极S,但从内部结构看尤其是栅极结构两者是不一样的。根据栅极结构我们又把它分成两种,一个是增强型MOS场效应管;另一个是耗尽型MOS场效应管。其原理图符号如下图所示。

绝缘栅双极晶体管(IGBT)

这个器件是场效应管家族中重要的成员之一,它是具有三极管的大电流密度特性,也具有绝缘栅型晶体管电压控制的特点,它把两者完美的结合起来。因此它在这个家族中显得很“高贵”,这种器件使用也很普遍。例如在家用电磁炉、工控用的变频器里都能见到它的“身影”。这种器件也是伸出了三个引脚,我们分别叫它栅极G(也叫控制极)、漏极C(也叫集电极)、源极E(又称发射极)。这种器件的特点是电流密度大、输入阻抗高、导通电阻低、开关速度快、击穿电压高、安全工作区大。

电力电子器件

从外观看电力电子器件有三个引脚,我们举个例子来说明,比如单向晶闸管俗名叫单向可控硅(SCR),从外观看它有三个引脚,分别称为控制极G(又称门极)、阳极A、阴极K。这种管子一般在可控整流、交流调压、逆变电源或者开关电源等能见到它们的身影。

三极管器件

三极管在电子元器件家族中的充当重要角色,我们顾名思义就能猜出,这类元件也有三个引脚,这类元件的功能与上面所说的不通,它具有电流放大和开关作用。它可以把微弱的输入信号“放大”出一定强度的输出信号,其实这种“放大”就是一种“控制”能量转换的过程,其实质是把电源的能量转换成信号的能量输出。它的重要参数就是电流放大倍数β。

从外部结构看三极管同样有三个极,分别叫基极B、集电极C、发射极E,在三极管基极有微弱的电流,其集电极和发射极就有较大的电流,他们的电流分配满足如下,集电极电流Ic=βIb,Ie=(β+1)Ib。

从内部结构看三极管又可分为NPN型和PNP型两类。

总之:不管是NPN型还是PNP型,所谓的电流被“放大”并不是将基极电流IB放大,只是用较小的基极电流IB来控制较大的集电极电流IC值,从外部来看就好像是IB被放大一样,这就是三极管的电流放大作用。

以上就是本人对这个题的回答,有不同问题欢迎参与讨论、感谢关注、欢迎转载!


电子及工控技术


三极管是电子电路中最常用的基本元器件,因为有三个极:基极集电极发射极,所以称之为三极管,也称之为双极型晶体管 BJT (Bipolar Junction Transistor)。

三极管的三个引脚分别是:基极,用字母B表示(Base);集电极,用字母C表示(Collector)和发射极,用字母E表示(Emitter),下图是三极管的基本结构。

三极管的结构

三极管的电路图符号

三极管是由两个PN结经过特殊的工艺制作而成的,以NPN三极管为例,

基极:掺杂浓度最低,也是最薄的,基极是三极管的控制端,相当于水龙头的开关,控制水流量。

集电极:面积最大,发射极:掺杂的浓度最高,所以当三极管施加一定的电压时,电子按特定的方向运动,形成电流。

三极管的结构示意图

NPN三极管的电流放大原理

实例说明

下面举个简单的实例说明三极管的功能,下图为使用NPN三极管控制LED指示灯的原理。

NPN三极管控制LED指示灯原理


给基极输入一定的电压,当输入电压大于0.6V时(注:0.6V为三极管的开启电压,硅材料三极管0.6V左右,锗材料三极管0.3V左右),三极管开始有基极电流Ib,集电极和发射极也有电流,集电极电流Ic=βIb,Ie=(β+1)Ib,β为三极管的放大倍数。当输入电压慢慢变大时,基极电流慢慢变大,集电极电流也慢慢变大,此区间三极管处于线性放大区,当基极电流增大时,集电极电流不再变大,此时三极管已达到饱和状态。

控制输入端的电压可以控制三极管集电极的电流,也就是控制流过LED指示灯的电流。

以上是本人的观点,希望本人的回答能够帮助提问者和头条的初学者们,若有不明白的地方可以评论区下方留言,记得点赞哦,谢谢支持!

技术闲聊


以NPN三极管为例:发射极(e)在基极(b)的上面,而集电极(c)在基极的下面,呈e_b_c排列状况。且体积和面积e极最小,b极最薄,c极最大。

e极和c极为N型参杂多自由电子,b极为p型参杂多空穴。且参杂浓度: e极比c极高一个~数量级,比b极高两个数量级(b区近似看成没有参杂),也就是说,参杂浓度: Ce>>Cc>>Cb。

三级管不加电压的自由状态时,在b-e之间由于多子扩散形成发射结: e区侧电子扩散到b区,形成e区指向b区的电场,阻止e区自由电子的进一步向b区扩散。同样,在b-c交界处形成集电结,c区自由电子扩散到b区,形成c区指向b区的电场,阻止c区电子进一步扩散到b区。这样,发射结和集电结都在b区占住一定厚度的体积区域,但是,在发射结和集电结之间还有一段距离,发射结和集电结在b区没有重叠;而且,由于参杂浓度Ce>>Cc,发射结厚度也远大于集电结厚度。

现将b极接地保持零电位,e极接负电位-Ve,给c极接正电位+Vc。这样,发射结上外加了一个b→e的电场,抵消或减弱了发射结内原来平衡的自有电场,这时候e区自由电子再次向b区扩散,直到发射结内自有电场与外加电场以及自由电子扩散达成新的平衡,这样,发射结厚度增加,在b区内向c区靠近。由于发射结电场和自由电子达到平衡,此时发射结在小的-Ve作用下,并没有形成规模电流,只有极小的扩散泄露电流,此时发射结处于截止状态Ie≈0。

而集电结在+Vc作用我集电结内c→b电场加上,集电结厚度减小,集电结b区自由电子部分回流到c区。此时,集电结反接,没有电流流过,也处于截止状态Ic≈0。

继续将发射极电位拉低-Ve↓,同时拉高集电极电位+Vc。发射结继续增厚,直至占住整个b区;集电结继续减薄,直至c→b的自有电场消失,甚至在b区和c区间形成b→c的电场。在发射结未到达c区前,由于b区多子(极少),无法形成规模电流。此阶段仍为截止状态,Ie和Ic都近似为零。

再继续将发射极电位拉低-Ve↓,同时拉高集电极电位+Vc。发射结厚度占住整个b区,到达c区。发射结内电场与集电结内电场重叠,且方向一致(e→b→c)。此时b区内全部被发射结占住,内部充满了e区过来的自由电子,这些自由电子与b区内的空穴复合后仍有大量富余。此时b区内发射结内的自由电子在e→b→c的电场作用下,分别流向b极和c极。由于集电极面积和体积最大,同时集电结电位又最高,大量自由电子拥向集电结,形成Ic,而只有少部分自由电子流向b极形成Ib;此时e极电位-Ve继续拉低(或者是升高b极电位),则将增大e区自由电子向b区运动的流量。可是增大的部分电流也大部分被集电极c区吸收,从而形成了β=Ic/Ib状态的放大区。

-Ve拉低到一定状态,e区再没有多余电子增大电流,即便-Ve继续拉低(或b极电位升高),Ib和Ic都不再有明显变化,反而是β=Ic/Ib的比值下降。此时三极管处于饱和状态。

再继续拉低-Ve(或升高b极电位),到一定程度,e极和b极发生击穿,三极管即烧毁了。


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单片机的三个引脚分别是发射极e、集电极c、基极b,不管NPN还是PNP都是这三个引脚。三极管的电路符号如下图所示。

三极管最常用的封装是直插TO-92和贴片SOT-23-3,这两个封装对应的实物图如下图所示。

对于TO-92而言,面对平面,从左到右,三个引脚依次为:发射极e、基极b、集电极c。SOT-23-3贴片三极管引脚分布分别是基极b、发射极e、集电极c。

除此之外,贴片三极管比较常用的还有SOT-89。SOT-89的图片如下所示。

从左至右,依次为基极b、集电极c、发射极e。这个封装的三极管其过电流能力比SOT-23要大一点。还有TO-252-2L封装的三极管,这种三极管的过电流能力比较大。其图片如下所示。

从左到右,三个引脚分别为:基极b、集电极c、发射极e。

以上就是三极管几种常用封装引脚的解释。

以上就是这个问题的回答,感谢留言、评论、转发。

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半导体三极管设计了三个引脚线:基极b、发射极e、和集电极c。三个引脚线又可以设置不同的放大电路:分别是共发射极、共集电极、以及共基极放大电路。常用较多的是共发射极放大电路。此时的集电极是输出负载,特点是输出阻抗高,电流放大系数大。同时根据需要,也会设置共基极放大电路、和共集电极放大电路——发射极为输出负载——输出的阻抗低、常用于负载阻抗的变换——例如:不用变压器,直接驱动耳机等。而共基极放大电路的电流放大系数少于1!其输出阻抗也是最高的!


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电流控制集电极电流,就是b端相当于水龙头开关,c,b是水管,b控制流量



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1、如图所示、实物图是一种插装的NPN三极管

3根引脚中,基极(B)是控制引脚,基极电流大小控制着集电极(C)和发射极(E)电流的大小。

2、在3个电极中,基极电流最小(且远小于另外两个引脚的电流),发射极电流最大,集电极电流其次。


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所谓三极管,全称晶体三极管。其实三极管是受控的能量转换器件。常规是利用了硅,锗材料的半导体电子复合特性。国内以管脚数量命名,日本以PN结数量命名。一般,集电极是能量输入极,基极是控制极,发射极是回路输出极。此种设计延续了电子管的阳栅阴工作原理。 早先三极管因材料杂质较多,离散指标也大,尤其受温度影响。故有估算晶体三极管的静态工作点。


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提问者所提问题一知半解,是问电子三极管还是晶体三极管还是场效应管?这些管子都有三个电极,工作原理与作用确大不相同。


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普通三极管的三个引脚分别是基极(B)集电极(C)和发射极(D)但是场效应管除外。一般中间脚都是集电极,三极管有NPN和PNP之分,种类和型号繁多,型号不同,其作用也不一样!


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