紫光集團旗下的長江存儲已經開始量產64層的3D TLC NAND芯片，作為存儲另一部分的DRAM(動態隨機存儲器)的進展同樣受到業界關注。
長鑫存儲技術有限公司(CXMT)已開始生產基於19nm工藝的計算機存儲器，公司制定最少兩條10nm級製程的路線圖，計劃在未來生產各種類型的動態隨機存儲器(DRAM)。作為中國製造2025項目的一部分，其有望支撐全球一半左右的DRAM需求。
長鑫存儲使用10G1技術(19nm工藝)製造4Gb和8Gb DDR4存儲器芯片，目標是2020年第一季度商業化並投放市場，該技術還將用於2020下半年生產的LPDDR4X存儲器。預計長鑫存儲的10G5工藝將使用HKMG和氣隙位線技術，並在未來使用柱狀電容器、全能柵極晶體管以及極紫外光刻(EUVL)工藝。
從路線圖來看，長鑫存儲還規劃DDR4、LPDDR4X、DDR5以及LPDDR5的10G3(17nm工藝)產品。
長鑫存儲的月產能約為2萬片，但隨著訂單量的增長，產量還會提升。預計到2020年底，長鑫存儲10nm級工藝技術的12英寸晶圓的產能將達到12萬片，可媲美SK海力士在中國無錫的工廠。長鑫存儲還計劃建造兩座晶圓廠，用於提升產能。儘管目前尚無法撼動業內老牌競爭對手，但長鑫存儲相當重視創新工藝的研發和產能的擴張。
長鑫存儲前身是成立於2016年的合肥睿力集成電路(Innotron Memory)，下設一座擁有65000㎡潔淨室的晶圓廠。目前擁有3000多名員工，其中77%員工都是從事研發相關工作的工程師。公司藉助奇夢達的IP授權，已順利完成早期積累。
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