格力20亿入股三安光电,再次加大芯片投入

格力11月11日晚发布公告,拟以自有资金20亿元认购三安光电非公开发行的股份,三安光电此次非公开发行A股股票,拟募集资金总额不超过70亿元,先导高芯拟认购其余50亿元,此次募集资金将投入半导体研发与产业化项目(一期)。

该项目总投资约138亿元。此次募投项目主要投向中高端产品,包括高端氮化镓LED外延芯片、高端砷化镓LED外延芯片、Mini/Micro LED、大功率三基色激光器、车用LED照明、大功率高亮度LED、紫外/红外LED、太阳能电池芯片等。

格力20亿入股三安光电,再次加大芯片投入

图片来源三安光电公告

根据进度安排,本次募集资金投资项目建设期为4年,达产期为7年,预计达产年销售收入82.44亿元(不含税),达产年净利润19.92亿元。

格力在公告中表示,三安光电是LED芯片龙头,在化合物半导体领域具有先发优势。此次对三安光电的战略性股权投资,有助于公司中央空调、智能装备、精密模具、光伏及储能等板块打入半导体制造行业。格力期望和三安光电进行合作研发,借助后者在碳化硅(SiC)半导体领域的技术先发优势,提升空调芯片性能。

为什么入股三安光电?

SiC是由硅和碳组成的化合物半导体材料,在热、化学、机械方面都非常稳定。SiC从上个世纪70年代开始研发,2001年SiCSBD商用,2010年SiCMOSFET商用,SiCIGBT还在研发当中。随着6英寸SiC单晶衬底和外延晶片的缺陷降低和质量提高,使得SiC器件制备能够在目前现有6英寸Si基功率器件生长线上进行,这将进一步降低SiC材料和器件成本,推进SiC器件和模块的普及。

相对于Si器件,SiC器件更具优势,体现在三个方面:降低电能转换过程中的能量损耗、更容易实现小型化、更耐高温高压。

降低能量损耗。SiC材料开关损耗极低,全SiC功率模块的开关损耗大大低于同等IGBT模块的开关损耗,而且开关频率越高,与IGBT模块之间的损耗差越大,这就意味着对于IGBT模块不擅长的高速开关工作,全SiC功率模块不仅可以大幅降低损耗还可以实现高速开关。

低阻值使得更易实现小型化。SiC材料具备更低的通态电阻,阻值相同的情况下可以缩小芯片的面积,SiC功率模块的尺寸可达到仅为Si的1/10左右。

更耐高温。SiC的禁带宽度3.23ev,相应的本征温度可高达800摄氏度,承受的温度相对Si更高;SiC材料拥有3.7W/cm/K的热导率,而硅材料的热导率仅有1.5W/cm/K,更高的热导率可以带来功率密度的显著提升,同时散热系统的设计更简单,或者直接采用自然冷却。

格力20亿入股三安光电,再次加大芯片投入

目前,全球SiC产业格局呈现美国、欧洲、日本三足鼎立态势。其中美国全球独大,全球SiC产量的70%~80%来自美国公司,典型公司是Cree、Ⅱ-Ⅵ;欧洲拥有完整的SiC衬底、外延、器件以及应用产业链,典型公司是英飞凌、意法半导体等;日本是设备和模块开发方面的领先者,典型公司是罗姆半导体、三菱电机、富士电机等。

国内企业在SiC方面也多有布局。SiC衬底方面,天科合达、山东天岳、同光晶体等均能供应3英寸~6英寸的单晶衬底。SiC外延片方面,厦门瀚天天成与东莞天域生产3英寸~6英寸SiC外延片。

SiC器件IDM方面,中电科55所是国内少数从4-6寸碳化硅外延生长、芯片设计与制造、模块封装领域实现全产业链的企业单位,其6英寸碳化硅中试线已投入运行,旗下的控股子公司扬州国扬电子为“宽禁带电力电子器件国家重点实验室”的重要实体单位,专业从事以碳化硅为代表的新型半导体功率模块的研制和批产,现有一条于2017年投产、产能50万只/年的模块工艺线。泰科天润已经量产SiCSBD,产品涵盖600V/5A~50A、1200V/5A~50A和1700V/10A系列。深圳基本半导体拥有独创的3DSiC技术,推出的1200VSiCMOSFET性能达到业界领先水平。

SiC器件Fabless方面,上海瞻芯电子于2018年5月成功地在一条成熟量产的6英寸工艺生产线上完成SiCMOSFET的制造流程。

代工方面,三安光电旗下的三安集成于2018年12月公布商业版本的6英寸碳SiC晶圆制造流程,并将其加入到代工组合当中。根据公司新闻稿,目前三安SiC工艺技术可以为650V、1200V和更高额定电压的肖特基势垒二极管(SBD)提供器件结构,公司预计在不久后会推出针对900V、1200V和更高额定电压的SiCMOSFETs产品。

整体而言,SiC产业链全球来看仍处于起步阶段,国内企业更是大部分处于早期研发阶段,远未成熟。三安光电旗下三安集成业务是国内稀缺宽禁带半导体制造企业,布局基本对标Cree,从LED芯片到LED应用,从SiC晶圆到GaN代工,三安光电的布局前瞻且具备可行性,有望在宽禁带领域延续其在LED产业的竞争力,这可能也是格力参与投入三安光电项目的原因。

格力还投资了哪些半导体项目?

2018年5月,董明珠高调宣称,未来几年要投重金搞芯片研发,不能让别人卡脖子,不能受制于人。格力要长期持续发展,必须掌握核心技术。董明珠所说的核心技术,就是芯片。

2018年8月,格力投资10亿元成立空调芯片设计公司。这家公司名为“珠海零边界集成电路有限公司”,注册资本为10亿元,格力100%控股,法定代表人董明珠。公司的主营业务就是芯片设计,其中以研究高端变频驱动芯片和主机芯片为主。

格力20亿入股三安光电,再次加大芯片投入

图片来源天眼查

2018年10月,格力30亿元战略投资闻泰科技收购Nexperia HoldingB.V.(安世集团)项目,投资后格力持有闻泰科技12.33%股份。

格力20亿入股三安光电,再次加大芯片投入

图片来源格力公告

安世集团是一家欧洲芯片企业,位于荷兰奈梅亨,为全球领先的半导体标准器件供应商,

专注于分立器件、逻辑器件及MOSFET器件的设计、生产、销售。

安世集团脱胎于半导体行业巨头恩智浦半导体公司的标准产品分部。过去,恩智浦旗下共有7个从事标准产品业务的子公司,安世半导体便是恩智浦为置出资产和承接业务而新设的全资子公司,用于管控上述7家子公司。

此后,经过一系列并购及资本运作,安世集团成为安世半导体的实际控制主体。据了解,安世半导体拥有“半导体设计+晶圆制造+封装测试+集成电路设备+销售部门”的完整产业链。

西南证券研报显示,2018年安世半导体全球市占率14%,二极管全球第一,逻辑器件全球第二,汽车MOS管全球第二,小信号MOS管全球第三。2018年全年生产总量超过1000亿颗,稳居全球第一。


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