格力11月11日晚發佈公告，擬以自有資金20億元認購三安光電非公開發行的股份，三安光電此次非公開發行A股股票，擬募集資金總額不超過70億元，先導高芯擬認購其餘50億元，此次募集資金將投入半導體研發與產業化項目（一期）。
該項目總投資約138億元。此次募投項目主要投向中高端產品，包括高端氮化鎵LED外延芯片、高端砷化鎵LED外延芯片、Mini/Micro LED、大功率三基色激光器、車用LED照明、大功率高亮度LED、紫外/紅外LED、太陽能電池芯片等。
圖片來源三安光電公告
根據進度安排，本次募集資金投資項目建設期為4年，達產期為7年，預計達產年銷售收入82.44億元(不含稅)，達產年淨利潤19.92億元。
格力在公告中表示，三安光電是LED芯片龍頭，在化合物半導體領域具有先發優勢。此次對三安光電的戰略性股權投資，有助於公司中央空調、智能裝備、精密模具、光伏及儲能等板塊打入半導體制造行業。格力期望和三安光電進行合作研發，藉助後者在碳化硅（SiC）半導體領域的技術先發優勢，提升空調芯片性能。
為什麼入股三安光電？
SiC是由硅和碳組成的化合物半導體材料，在熱、化學、機械方面都非常穩定。SiC從上個世紀70年代開始研發，2001年SiCSBD商用，2010年SiCMOSFET商用，SiCIGBT還在研發當中。隨著6英寸SiC單晶襯底和外延晶片的缺陷降低和質量提高，使得SiC器件製備能夠在目前現有6英寸Si基功率器件生長線上進行，這將進一步降低SiC材料和器件成本，推進SiC器件和模塊的普及。
相對於Si器件，SiC器件更具優勢，體現在三個方面：降低電能轉換過程中的能量損耗、更容易實現小型化、更耐高溫高壓。
降低能量損耗。SiC材料開關損耗極低，全SiC功率模塊的開關損耗大大低於同等IGBT模塊的開關損耗，而且開關頻率越高，與IGBT模塊之間的損耗差越大，這就意味著對於IGBT模塊不擅長的高速開關工作，全SiC功率模塊不僅可以大幅降低損耗還可以實現高速開關。
低阻值使得更易實現小型化。SiC材料具備更低的通態電阻，阻值相同的情況下可以縮小芯片的面積，SiC功率模塊的尺寸可達到僅為Si的1/10左右。
更耐高溫。SiC的禁帶寬度3.23ev，相應的本徵溫度可高達800攝氏度，承受的溫度相對Si更高；SiC材料擁有3.7W/cm/K的熱導率，而硅材料的熱導率僅有1.5W/cm/K，更高的熱導率可以帶來功率密度的顯著提升，同時散熱系統的設計更簡單，或者直接採用自然冷卻。
目前，全球SiC產業格局呈現美國、歐洲、日本三足鼎立態勢。其中美國全球獨大，全球SiC產量的70%~80%來自美國公司，典型公司是Cree、Ⅱ-Ⅵ；歐洲擁有完整的SiC襯底、外延、器件以及應用產業鏈，典型公司是英飛凌、意法半導體等；日本是設備和模塊開發方面的領先者，典型公司是羅姆半導體、三菱電機、富士電機等。
國內企業在SiC方面也多有佈局。SiC襯底方面，天科合達、山東天嶽、同光晶體等均能供應3英寸~6英寸的單晶襯底。SiC外延片方面，廈門瀚天天成與東莞天域生產3英寸~6英寸SiC外延片。
SiC器件IDM方面，中電科55所是國內少數從4-6寸碳化硅外延生長、芯片設計與製造、模塊封裝領域實現全產業鏈的企業單位，其6英寸碳化硅中試線已投入運行，旗下的控股子公司揚州國揚電子為“寬禁帶電力電子器件國家重點實驗室”的重要實體單位，專業從事以碳化硅為代表的新型半導體功率模塊的研製和批產，現有一條於2017年投產、產能50萬隻/年的模塊工藝線。泰科天潤已經量產SiCSBD，產品涵蓋600V/5A～50A、1200V/5A～50A和1700V/10A系列。深圳基本半導體擁有獨創的3DSiC技術，推出的1200VSiCMOSFET性能達到業界領先水平。
SiC器件Fabless方面，上海瞻芯電子於2018年5月成功地在一條成熟量產的6英寸工藝生產線上完成SiCMOSFET的製造流程。
代工方面，三安光電旗下的三安集成於2018年12月公佈商業版本的6英寸碳SiC晶圓製造流程，並將其加入到代工組合當中。根據公司新聞稿，目前三安SiC工藝技術可以為650V、1200V和更高額定電壓的肖特基勢壘二極管（SBD）提供器件結構，公司預計在不久後會推出針對900V、1200V和更高額定電壓的SiCMOSFETs產品。
整體而言，SiC產業鏈全球來看仍處於起步階段，國內企業更是大部分處於早期研發階段，遠未成熟。三安光電旗下三安集成業務是國內稀缺寬禁帶半導體制造企業，佈局基本對標Cree，從LED芯片到LED應用，從SiC晶圓到GaN代工，三安光電的佈局前瞻且具備可行性，有望在寬禁帶領域延續其在LED產業的競爭力，這可能也是格力參與投入三安光電項目的原因。
格力還投資了哪些半導體項目？
2018年5月，董明珠高調宣稱，未來幾年要投重金搞芯片研發，不能讓別人卡脖子，不能受制於人。格力要長期持續發展，必須掌握核心技術。董明珠所說的核心技術，就是芯片。
2018年8月，格力投資10億元成立空調芯片設計公司。這家公司名為“珠海零邊界集成電路有限公司”，註冊資本為10億元，格力100%控股，法定代表人董明珠。公司的主營業務就是芯片設計，其中以研究高端變頻驅動芯片和主機芯片為主。
圖片來源天眼查
2018年10月，格力30億元戰略投資聞泰科技收購Nexperia HoldingB.V.（安世集團）項目，投資後格力持有聞泰科技12.33%股份。
圖片來源格力公告
安世集團是一家歐洲芯片企業，位於荷蘭奈梅亨，為全球領先的半導體標準器件供應商，
專注於分立器件、邏輯器件及MOSFET器件的設計、生產、銷售。安世集團脫胎於半導體行業巨頭恩智浦半導體公司的標準產品分部。過去，恩智浦旗下共有7個從事標準產品業務的子公司，安世半導體便是恩智浦為置出資產和承接業務而新設的全資子公司，用於管控上述7家子公司。
此後，經過一系列併購及資本運作，安世集團成為安世半導體的實際控制主體。據瞭解，安世半導體擁有“半導體設計+晶圓製造+封裝測試+集成電路設備+銷售部門”的完整產業鏈。
西南證券研報顯示，2018年安世半導體全球市佔率14%，二極管全球第一，邏輯器件全球第二，汽車MOS管全球第二，小信號MOS管全球第三。2018年全年生產總量超過1000億顆，穩居全球第一。
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