在很長一段時間，宏旺半導體帶來了存儲各個版塊的乾貨，可以翻閱往期文章查閱，今天宏旺半導體將做個小總結，系統闡述存儲器，有不出入的地方歡迎指出哦。
存儲介質基本分類：ROM和RAM
RAM：隨機訪問存儲器(Random Access Memory)，易失性。是與CPU直接交換數據的內部存儲器，它可以隨時讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統或其他正在運行中的程序的臨時數據存儲媒介。它的作用是當開機後系統運行佔一部分外，剩餘的運行內存越大，手機速度越快，運行的程序越多，剩餘越少。
ROM：只讀存儲器(Read Only Memory)，非易失性。一般是裝入整機前事先寫好的，整機工作過程中只能讀出，而不像隨機存儲器那樣能快速地、方便地加以改寫。ROM所存數據穩定，斷電後所存數據也不會改變。計算機中的ROM主要是用來存儲一些系統信息，或者啟動程序BIOS程序，這些都是非常重要的，只可以讀一般不能修改，斷電也不會消失。關於ROM的一些新發展，宏旺半導體也在之前的文章中詳細講過。
今天要帶來的內容就在下面一張圖裡，先來講講RAM和ROM，兩者相比，的最大區別是RAM在斷電以後保存在上面的數據會自動消失，而ROM不會自動消失，可以長時間斷電保存。
隨機訪問存儲器：RAM
隨機訪問存儲器分為兩類：靜態的和動態的。靜態的RAM（SRAM）比動態RAM（DRAM）更快，但也貴很多。SRAM用來作為高速緩存存儲器，既可以在CPU芯片上，也可以在片下。DRAM用來作為圖形系統的幀緩衝區。
SRAM：SRAM存儲器單元具有雙穩態特性，只要有電，它就會永遠的保持它的值（有點類似ROM易失性）。即使有干擾來擾亂電壓，當干擾消除時，電路就會恢復到穩定值。
DRAM：動態RAM。
SDRAM：同步DRAM。
DDR SDRAM（Double Data-Rate Synchronous DRAM）：雙倍數據速率同步 DRAM。
DDR2：不同類型的DDR SDRAM。
DDR3：不同類型的DDR SDRAM。
RAM斷電時將丟失其存儲內容，故主要用於存儲短時間使用的程序。現在手機中的RAM一般是由LPDDR擔當，尤其是速度快功耗低的LPDDR4X在市面上的旗艦手機中佔比較大，宏旺半導體今年也推出了LPDDR4X 8GB，滿足市場應用所需，廣泛應用於手機、平板、超薄筆記本等領域。
只讀存儲器：ROM
計算機存儲器在其上數據已被預先記錄。一旦將數據寫入ROM 芯片，就無法將其刪除，只能讀取。與主存儲器（RAM）不同，即使計算機關閉，ROM也會保留其內容。ROM被稱為非易失性，現在有很多非易失性存儲器。由於歷史原因，雖然ROM中有的類型可以讀也可以寫，但是整體上都被稱為只讀存儲器（Read Only Memory）。ROM是以它們能夠被重新編程（寫）的次數和對它們進行重編程所用的機制來區分的。
PROM（Programmable ROM）：可編程ROM，只能被編程一次。
EPROM（Erasable Programmable ROM，EPROM）：可擦寫可編程ROM，擦寫可達1000次。
EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM）電子可擦除EPROM。
閃存（flash memmory）：基於EEPROM，它已經成為一種重要的存儲技術。固態硬盤（SSD）U盤等就是一種基於閃存的存儲器。
nor flash ：NOR Flash的讀取和我們常見的SDRAM的讀取是一樣，用戶可以直接運行裝載在NOR FLASH裡面的代碼，這樣可以減少SRAM的容量從而節約了成本。
nand falsh：NAND Flash沒有采取內存的隨機讀取技術，它的讀取是以一次讀取一塊的形式來進行的，通常是一次讀取512個字節，採用這種技術的Flash比較廉價。用戶不能直接運行NAND Flash上的代碼，因此好多使用NAND Flash的開發板除了使用NAND Flah以外，還作上了一塊小的NOR Flash來運行啟動代碼。
希望這篇文章能給大家帶來幫助，更系統地瞭解存儲器，有任何有疑問的地方都可以來找宏旺半導體，歡迎關注哦~
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