IT之家5月2日消息 在本週的季度收益電話會議上，臺積電方面透露，該公司預計其大部分7nm“N7”工藝客戶最終將轉型至其即將推出的6nm“N6”工藝製造節點。即將到來的“N6”工藝節點將使用與“N7”節點相同的設計規則，使客戶更容易轉換到更新，更密集的節點。而且，如果臺積電的預測成真，N6毫無疑問將成為臺積電下一個廣泛使用，長期服務的流程節點。
此前有消息報道，臺積電的N6工藝技術採用極紫外光刻（EUVL），通過減少多圖案化所需的曝光次數來降低製造複雜性（目前需要這種曝光，因為TSMC的N7僅使用DUV光刻）。臺積電沒有明確說明在N7+或N6上有多少層使用EUVL，但已經證實後者與前者相比增加了一個額外的EUVL層。
雖然臺積電的N6採用新的生產設備，晶體管密度比N7製造技術高出18％，但N6採用與N7相同的設計規則，使芯片設計人員能夠重複使用相同的設計生態系統（例如工具等） ，這將使他們降低開發成本。相比之下，N7+使用不同的設計規則，但與N7相比，它還提供了比N6更多的優勢。
雖然臺積電的合作伙伴採用了N7和N7+兩種工藝，並且全球最大的芯片合約製造商預計這兩種技術在2019年將佔其晶圓收入的25％以上，但前者看起來比後者更受歡迎。與此同時，臺積電預計今天使用N7的大多數客戶將轉向N6，然後轉向N5跳過N7+。考慮到N7的普及程度，N6也可能會非常受歡迎。
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