相比三星、东芝、美光等公司，中国现在DRAM内存、NAND闪存技术上要落后许多，不过中国的科研人员也一直在追赶最新一代技术。
近期中国宣布投资130亿元开建PCM相变内存，性能是普通存储芯片的1000倍！更厉害的是复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏带领的团队正在研发一种新的二维非易失性存储芯片，他们使用了半导体结构，研发的存储芯片性能优秀。简单来说性能可以达到传统二维存储芯片的100万倍，刷新时间是传统内存的156倍，也就是说具备更强的耐用性。
虽然短时间内还没有办法量产，不过前段时间爆出的国产cpu等产品，也意味着国产的电子硬件正在补缺。相信以中国的钻研能力，一定能在电子硬件领域内占有一席之地！届时也可以用一套“国产”硬件组装一台中国主机！
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