哈嘍，大家好，我是八兩
２０１６年內存價格還在不斷下滑
但到了現在
內存價格一年漲三倍的形式
你慌了嗎？？？
Ｑ：怎麼樣的內存才算好？
我們選購內存時通常會注意的是內存的代數、容量和內存頻率，但有超頻需求的朋友需要關注時序這個參數，也就是內存條上面的４個數字，當內存的代數、容量和內存頻率一致時，時序越低，內存越好。
Ｑ：時序究竟是什麼？
我們對內存時序的介紹一般數字“A-B-C-D”分別對應的參數是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，它們的含義依次為：CAS Latency（簡稱CL值）內存CAS延遲時間，它是內存的重要參數之一，某些牌子的內存會把CL值印在內存條的標籤上，第一個數字最為重要，表示註冊讀取命令到第一個輸出數據之間的延遲（CAS Latency），即CL值，單位是時鐘週期。這是縱向地址脈衝的反應時間第二個數字表示 內存行地址控制器預充電時間（RAS Precharge），即tRP。指內存從結束一個行訪問到重新開始的間隔時間。第三個數字表示從內存行地址到列地址的延遲時間（RAS to CAS Delay），即tRCD。第四個數字表示內存行地址控制器激活時間Act-to-Precharge Precharge Delay（tRAS）。這是玩家最關注的4項時序調節，在大部分主板的BIOS中可以設定，內存模組廠商也有計劃的推出了低於JEDEC認證標準的低延遲型超頻內存模組，在同樣頻率設定下，最低“2-2-2-5”這種序列時序的內存模組確實能夠帶來比“3-4-4-8”更高的內存性能，幅度在3至5個百分點。
Ｑ：內存和總延遲時間，又有什麼關係呢？
舉個例子來計算一下總延遲時間，比如一條DDR333內存其存取時間為6ns，而其內存時鐘週期為6ns（DDR內存時鐘週期=1X2/內存頻率，DDR400內存頻率為400，則可計算出其時鐘週期為5ns）。我們在主板的BIOS中將其CL設置為2.5，則總的延遲時間=
6ns X2.5+6ns=21ns，而如果CL設置為2，那麼總的延遲時間=6ns X2+6ns=18 ns，就減少了3ns的時間。延遲參數意味著內存的反應速度，以DDR3 1600CL9和DDR3 1866CL11舉例1600 CL9 的意思就是：
1600MHz 的頻率下延遲9個時鐘，（1/1600MHz）*9 = 5.625 納秒
1866 CL11：（1/1866MHz）*11 = 5.895 納秒
再看帶寬：（這裡按雙通道算，也就是內存位寬位 128bit）
1600： 1600MHz * 128bit / 8 = 25600MB/S
1866： 1866MHz * 128bit / 8 = 29856MB/S
Ｑ：上面的完全看不懂，能不能再簡單點？
我們將CPU在讀寫內存時的過程立體化，將CPU比作boss將內存比作員工BOSS將帶寬比作員工人數 延遲指員工的工作效率，BOSS首先要通知員工，我需要哪份報告的數據，當員工收到這條指令後，他從準備材料到收集完成為止這段時間就是內存的延遲參數，當材料準備好以後，CPU開始讀寫內存，這個時候，內存帶寬起主要作用，直到數據傳輸完成。然後CPU下一次要讀寫內存的時候重複以上動作。如果我們進行視頻渲染等內存佔用高且連續的時候，那麼帶寬影響大；如果我們只是進行日常操作時，則延遲影響大需要注意的是如果電腦插上了一根2400mhz和2666mhz的ddr4 電腦也會自動將參數較高的內存參數降低到2400mhz來運行。
隨便舉個例子DDR4 2400 14 CL 和DDR4 2400 16CL在我們日常使用過程體驗差中完全可以忽略不計，但是如果在價格差距不大，且頻率相同CL（時序）更低的情況下，我們儘量選擇時序較低的內存條進行購買，因其所採用的顆粒大部分質量較好，更容易超頻穩定運行例如三星的B die顆粒，如果你是一名超頻愛好者，可以選擇較高頻率切時序較低的內存，雖然對遊戲和日常使用的提升不明顯，但畢竟蚊子腿也是肉嘛。
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