原標題：“NAND閃存+SSD主控”自主格局將形成？憶芯科技第二代SSD主控芯片性能顯著提升
摘要：國內公司在SSD主控領域是新興力量，但成長空間廣闊，憶芯科技就是其中之一。近日，憶芯科技在2018美國硅谷閃存峰會上正式推出其第二代NVMe主控STAR1000P，對比第一代STAR1000，STAR1000P有了不錯的性能提升。
集微網消息（文/小北）近日，憶芯科技在2018美國硅谷閃存峰會上正式推出其第二代NVMe主控STAR1000P，這是繼去年11月推出首代產品STAR1000之後的又一重要舉措。
助力數據中心關鍵應用，滿足工業及企業級高可靠性
全新的STAR1000P具有高性能低功耗的特點，由於引入了DVFS技術、優化了動態時鐘門控，在全性能模式下的功耗僅為2W左右。STAR1000P主機接口為PCIe Gen3 x4，支持NVMe 1.3協議、8閃存通道、最大8TB Flash容量，可實現3.5GB/s和3GB/s的順序讀寫、600K IOPS的隨機讀寫性能以及最低8us的寫延遲。對比第一代STAR1000 3GB/s和2GB/s順序讀寫的性能指標，STAR1000P有了不錯的提升。
同樣，STAR1000P的目標應用市場比第一代更為廣泛。第一代STAR1000的定位是“高端消費級入門企業級”的高性能NVMe SSD主控芯片，而STAR1000P可以助力數據中心關鍵應用、滿足工業及企業級高可靠性。
以上性能指標的提升為助力數據中心關鍵應用提供了保障。此外，STAR1000P除支持國際AES加密標準以外，也全面支持中國商密（SM2/3/4）安全方案；引入了第三代4K LDPC糾錯碼技術，可輕鬆應對3D TLC/QLC挑戰，提升閃存糾錯能力；增強了NVMe PI、EEEC、In-line ECC等軟錯誤處理技術。這為滿足工業及企業級高可靠性要求提供了保障。
國內SSD主控廠商成長可期
對於固態硬盤（SSD）而言，決定其性能和價格的核心部門就是NAND閃存和主控，物料成本的70%或更多為NAND閃存、10~15%為主控芯片。隨著我國發力NAND閃存，國內廠商也紛紛投資SSD主控芯片領域，業內人士表示，“NAND閃存+SSD主控”的自主化格局將逐漸形成。
目前，主控芯片領域主要以美國Marvell 、韓國三星及中國臺灣廠商慧榮（SMI）、群聯（phison）、智微 （JMicron） 等公司為主導，國內公司在主控領域依然是新興力量，很多公司都是最近三五年才成立的，但成長空間廣闊，憶芯科技就是其中之一。
憶芯科技成立於2015年11月，是國內最早致力於高性能SSD主控芯片研發的初創企業，其創始人沈飛表示，“憶芯科技從創立至今，NVMe閃存控制技術數次迭代，快速經歷了SSD主控MB1000原型驗證，第一代NVMe主控STAR1000量產出貨，到今天正式發佈第二代高性能NVMe主控STAR1000P，核心技術完全自有可控，達到世界一流水平，充分展現了憶芯深厚的存儲技術能力及強大的芯片研發能力。”
憶芯科技第一代NVMe主控STAR1000是當時國內首款被業界主流SSD廠商（光寶集團）所選用的主控芯片。據悉，憶芯科技和多家國內外知名廠商基於第二代STAR1000P的SSD產品已經展開了聯合開發，這將幫助STAR1000P快速進入OEM渠道及客戶級／企業級市場。
目前看，國產主控芯片在性能上逐漸追上國際水平，儘管市場份額還很小，但也逐步導入市場中。此外，國產主控芯片還有一個獨特的優勢——支持國內認證的安全加密，比如STAR1000P就支持中國商密（SM2/3/4）安全方案，這既是自主可控的要求，也是軍工、特種行業的必備要求。同樣，挑戰與機遇同在，國產主控芯片需要與國產閃存經歷一段磨合期，才能真正實現“NAND閃存+SSD主控”的自主格局。（校對/春夏）
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