如同鋼鐵、石油是工業時代的“糧食”一樣，芯片是通信產業發展最重要的“糧食”。沒有芯片，個人電腦、智能手機、數碼消費產品、通信基站、光通信等設備都無法正常運轉。
一、什麼是存儲芯片
存儲芯片作為集成電路的三大品類之一，目前廣泛應用於內存、消費電子、智能終端和固態存儲硬盤等領域，其銷售額佔整個芯片產業的比重超過25%，反映了一個國家或地區的半導體發展水平。它與數據相伴而生，哪裡有數據，哪裡就會需要存儲芯片。而且隨著大數據、物聯網等新興產業的發展，存儲產業與信息安全等亦息息相關。
存儲芯片根據斷電後所儲存的數據是否會丟失，可以分為易失性存儲器和非易失性存儲器，其中DRAM與NAND Flash分別為這兩類存儲器的代表。儘管存儲芯片種類眾多，但從產值構成來看，DRAM與NAND Flash已經成為存儲芯片產業的主要構成部分。
根據SIA數據，2018年5月，全球半導體營收結構中，存儲芯片仍以32%的佔比位居第一。隨著下游應用的需求，存儲芯片開始成為集成電路產業的主力，成為半導體行業發展的主要驅動力。
2018年5月全球半導體營收結構（單位：%）
二、我國存儲芯片行業現狀
2017年，中國集成電路產品的市場格局，排在前三位的為：存儲芯片佔比30%，專用集成電路佔比28%及模擬集成電路佔比17%。中國作為全球電子產品的製造基地，一直以來都是存儲器產品最大的需求市場。
2017年中國集成電路產品銷售額細分結構佔比（單位：%）
中國作為最大的集成電路消費國，自身企業的市場佔有率卻很低，極大的消耗量，自給率卻很低，擁有者鉅額的進口，截至2018年上半年，我國集成電路進口額一達到1467.12億美元。
得益於國產智能手機快速發展，我國成為全球最大存儲芯片採購國，且主要採購國外存儲芯片。2014年，我國採購了全球約兩成的存儲芯片，採購金額高達100億美元，2015年我國採購的存儲芯片金額約為全球存儲芯片市場的三成。
全球DRAM、NAND存儲芯片基本由美日韓企業壟斷，三星、SK海力士、美光、東芝等巨頭順勢賺得盆滿缽滿。受制於資金和技術上的缺陷，我國本土的芯片製造企業仍然數量少、規模小、產品落後。
三、國內主要存儲芯片企業
近兩年全球存儲芯片價格持續上漲對中國產生了巨大影響，導致本來就利潤微薄的行業飽受其苦，要打破這種局面發展自己的存儲芯片無疑是最好的辦法。
目前，在存儲芯片領域，中國企業開始後起發力，形成三足鼎立的局面——投入NAND Flash市場的長江存儲、專注於移動存儲芯片DRAM的合肥長鑫以及致力於普通存儲芯片的晉華。1、長江存儲
從無到有，長江存儲是中國第一艘衝破國際巨頭壟斷的存儲基地，堪稱中國集成電路產業向空白地帶探索的一艘航空母艦。
2016年7月，由紫光集團、國家集成電路產業投資基金、湖北省集成電路產業投資基金、湖北科投在武漢新芯的基礎上組建長江存儲。其中紫光集團出資197億元，佔股51.04%，從而對長江存儲形成控股。
作為一家集芯片設計、工藝研發、晶圓生產與測試、銷售服務於一體的半導體存儲器企業，長江存儲為全球客戶提供先進的存儲產品和解決方案，廣泛應用在移動通信，計算機，數據中心和消費電子等領域。
長江存儲以武漢新芯現有的12英寸先進集成電路技術研發與生產製造能力為基礎，採取自主研發與國際合作雙輪驅動的方式，已於2017年研製成功了中國第一顆3D NAND閃存芯片，填補了國內空白。
公司3座全球單座潔淨面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、1座總部研發大樓和其他若干配套建築，核心廠區佔地面積約1717畝，預計項目建成後總產能將達到30萬片/月，2023年年產值達1000億人民幣。
近日，長江存儲發佈了全新3D NAND架構XtackingTM，該技術將為3D NAND閃存提高I/O高性能、存儲密度，縮短產品上市週期。目前長江存儲已將該技術應用於到第二代3D NAND產品的開發。
2、福建晉華
另一大存儲器製造基地福建晉華在2017年11月即已完成了封頂，現今廠房外觀已接近完工。福建晉華力爭在2018年7月開始遷入機臺設備，並於2018年第三季度一期項目開始投入生產。
福建省晉華集成電路有限公司由福建省電子信息集團、晉江能源投資集團有限公司等共同出資設立的先進集成電路生產企業。公司與臺灣聯華電子開展技術合作，投資56.5億美元，在福建省晉江市建設12吋內存晶圓廠生產線，開發先進存儲器技術和製程工藝，並開展相關產品的製造和銷售。
臺聯電與晉華曾簽署了技術合作協議，接受晉華委託並開發DRAM存儲器相關的製程技術，晉華則提供DRAM特用設備並依開發進度支付技術報酬金作為開發費用，開發成果由雙方共同擁有。
此外，晉華集成電路已納入中國“十三五”集成電路重大生產力佈局規劃，公司將以實現集成電路芯片國產化為己任，旨在成為具有先進工藝與自主知識產權體系的集成電路內存（DRAM）製造企業。
原本預計2018年9月試產，並達到6萬片/月的產能規模，現今整個項目正在加速推進中。
3、合肥長鑫
在長江存儲順利開始生產國內首款32層3D NAND閃存芯片的同時，合肥長鑫的存儲基地也在緊鑼密鼓的進行中。2018年4月16日，據媒體報道，合肥長鑫12英寸存儲器晶圓製造基地所需的300臺研發設備已基本全部到位，待裝機完成之後，從2018下半年開始便全力投入試生產的環節。
相比於長江存儲，合肥長鑫的成立要低調得多，直到2017年5月25日，由合肥市政府支持的合肥長鑫公司宣佈，預計由合肥長鑫投資72億美元，興建12吋晶圓廠以發展DRAM產品，未來完成後，預計最大月產將高達12.5萬片規模。
此後，在NOR Flash 市場位居世界第三的兆易創新公告與合肥產投簽署了合作協議，雙方合作開發19nm的12英寸晶圓存儲器（含DRAM等）研發。
在管理層和技術人員方面，合肥長鑫也是強強聯合，目前擔任公司董事長的王寧國，此前任全球第一大半導體生產設備公司美國應用材料公司全球執行副總裁、華虹集團CEO、中芯國際CEO；人才方面，公司大舉招聘海力士、爾必達、華亞科等的員工組成研發隊伍，華亞科前資深副總劉大維也成為了合肥長鑫的員工。
最新的消息顯示，王寧國在合肥集成電路重大項目發佈會上表示，合肥長鑫DRAM內存芯片一期（一廠廠房）已於2018年1月完成建設，並開始安裝設備；2018年底就將開始生產8Gb DDR4存儲器的工程樣品；2019年底有望達到2萬片/月的產能；2020年再開始規劃二廠廠房的建設；2021年要完成對17nm工藝節點的技術研發。
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