存儲密度一年之內翻5倍是什麼概念？去年你還用著16G的乞丐版結結巴巴過日子，突然之間換成64GB馬上翻身不用愁。閃存發展即將迎來近幾年最具革命性的突破，2T ROM的手機、8T容量的固態硬盤，馬上就要成真！
所有這些希望來自東芝BiCS4 - 96層堆疊式QLC閃存，單芯片的最小容量為1.33T位，約為166GB，比目前的64層3D TLC閃存高出520％密度！採用堆疊芯片封裝，下圖中此類閃存的存儲容量預計將達到2.66TB。
在iPhone 7的小夥伴中，您可能正在使用其前身 - 東芝BiCS2 3D TLC閃光燈。
在iPhone X的小型合作伙伴中，您喜歡採用64層堆疊技術的東芝BiCS3 3D TLC閃存，與iPhone 7中的BiCS2（48層堆疊）相比，其存儲密度增加了40％。
BiCS3還用於東芝原有的SSD，包括TR200（SATA接口）和RC100（M.2NVMe接口），以提供更高的容量和更快的讀寫性能。
即將推出的下一代東芝BiCS4的容量增加，除了從64層堆棧升級到96層堆棧外，得益於全新的3D QLC架構，每個存儲單元最多包含16個狀態，表達4位信息。
存儲在每個單元中的數據位數量的增加會產生不穩定性，但作為閃存世界的創始人，東芝顯然有信心解決複雜的技術問題。 BiCS使用的Charge Trap結構（比特成本可擴展）比平板閃存時代的浮動門結構更耐用。
根據東芝提供的數據，3D QLC類型的BiCS4閃存仍然具有傳統2D MLC的1.5倍的耐久性優勢和2D TLC的3倍：
BiCS4 3D QLC的單芯片內存容量為166GB。採用16die封裝，單個閃存顆粒的存儲容量將達到2.5TB或更高。最近，其工程樣品將可供東芝合作伙伴和SSD主開發人員使用，而固態硬盤產品將於今年年底上市。
明年旗艦手機的最大ROM容量已超過2TB並已穩定下來。預計東芝迷你M.2 NVMe SSD在MCP多芯片封裝中的最大容量將再次增加。未來筆記本電腦的M.2插槽預計將從M.2 2280縮小到M.22242甚至M.2 2230，從而帶來全新，更小，更輕，更薄和更快的筆記本電腦體驗。
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