MOSFET，金属氧化物半导体场效应晶体管，诞生于1959年。MOSFET使得芯片从10U一直微缩至22NM。在22NM时MOSFET已经不再适用。其后出现了FD-SOI和FinFET两种新的芯片结构。
FD-SOI，全耗尽SOI。FinFET，鳍式场效应晶体管。在英特尔、IBM等巨头的主导下，现在大多数芯片以FinFET结构为主。
FinFET使得芯片从22NM微缩到7NM。从1959年至今，从MOSFET到FinFET，芯片实现了100多倍的微缩。
然而FinFET发展到7NM，芯片制程的微缩再次遭遇了重大瓶颈。许多专家认为，芯片已经无法再进行微缩，摩尔定律即将破产，芯片要继续进行微缩必须要由硅基转向非硅基。
但是，2017年，GAAFET出现了。GAAFET, Gate-All-Around闸极环绕场效应晶体管。在2017年IBM利用GAAFET实现了5NM芯片制程。在今年5月份，在美国举行的SFF 2018 USA之上，三星宣布将利用GAAFET结构，实现5nm、4nm、3nm工艺。
GAAFET的出现，让芯片再次出现微缩的空间，使得芯片更小的NM制程成为可能。芯片微缩的尽头在哪里呢，目前谁也没有定论！
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