MOSFET，金屬氧化物半導體場效應晶體管，誕生於1959年。MOSFET使得芯片從10U一直微縮至22NM。在22NM時MOSFET已經不再適用。其後出現了FD-SOI和FinFET兩種新的芯片結構。
FD-SOI，全耗盡SOI。FinFET，鰭式場效應晶體管。在英特爾、IBM等巨頭的主導下，現在大多數芯片以FinFET結構為主。
FinFET使得芯片從22NM微縮到7NM。從1959年至今，從MOSFET到FinFET，芯片實現了100多倍的微縮。
然而FinFET發展到7NM，芯片製程的微縮再次遭遇了重大瓶頸。許多專家認為，芯片已經無法再進行微縮，摩爾定律即將破產，芯片要繼續進行微縮必須要由硅基轉向非硅基。
但是，2017年，GAAFET出現了。GAAFET, Gate-All-Around閘極環繞場效應晶體管。在2017年IBM利用GAAFET實現了5NM芯片製程。在今年5月份，在美國舉行的SFF 2018 USA之上，三星宣佈將利用GAAFET結構，實現5nm、4nm、3nm工藝。
GAAFET的出現，讓芯片再次出現微縮的空間，使得芯片更小的NM製程成為可能。芯片微縮的盡頭在哪裡呢，目前誰也沒有定論！
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