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這兩天中興的事情出來後，我把答覆翻了出來，放在下面和大家分享；《科技日報》今天恰好也有一篇專欄文章，談到了光刻機技術瓶頸的問題，我把文章放在下面，讓大家瞭解中國芯片技術的多個側面。
中國的芯片技術現在達到了什麼水平？
芯片製造主要分為三大環節：晶圓加工製造、芯片前期加工、芯片後期封裝。
其中技術難度最大最核心的是芯片前期加工這個環節，分為上百道製程，每道製程都有相應的裝備。在這些裝備裡面，技術難度最大的就是光刻技術。
中國半導體技術主要是在第一和第三環節。第二個環節中的技術裝備大部分處於空白，所以高端的整個芯片都需要進口。
現在，我們已經攻克了前期加工裝備的蝕刻技術，達到了7納米的國際領先水平。目前等待技術明珠——光刻技術的突破。
是什麼卡了中國頂級光刻機的脖子？
指甲蓋大小的芯片，密佈千萬電線，紋絲不亂，需要極端精準的照相機——光刻機。光刻機精度，決定了芯片的上限。高精度光刻機產自ASML、尼康和佳能三家；頂級光刻機由ASML壟斷。
“十二五”科技成就展覽上，上海微電子裝備公司（SMEE）生產的中國最好的光刻機，與中國的大飛機、登月車並列。它的加工精度是90納米，相當於2004年上市的奔騰四CPU的水準。國外已經做到了十幾納米。
光刻機跟照相機差不多，它的底片，是塗滿光敏膠的硅片。電路圖案經光刻機，縮微投射到底片，蝕刻掉一部分膠，露出硅面做化學處理。製造芯片，要重複幾十遍這個過程。
位於光刻機中心的鏡頭，由20多塊鍋底大的鏡片串聯組成。鏡片得高純度透光材料+高質量拋光。SMEE光刻機使用的鏡片，得數萬美元一塊。
ASML的鏡片是蔡司技術打底。鏡片材質做到均勻，需幾十年到上百年技術積澱。
另外，光刻機需要體積小，但功率高而穩定的光源。ASML的頂尖光刻機，使用波長短的極紫外光，光學系統極複雜。
有頂級的鏡頭和光源，沒極致的機械精度，也是白搭。光刻機裡有兩個同步運動的工件臺，一個載底片，一個載膠片。兩者需始終同步，誤差在2納米以下。兩個工作臺由靜到動，加速度跟導彈發射差不多。
相當於兩架大飛機從起飛到降落，始終齊頭並進。一架飛機上伸出一把刀，在另一架飛機的米粒上刻字，不能刻壞了。
而且，溫溼度和空氣壓力變化會影響對焦。機器內部溫度的變化要控制在千分之五度，得有合適的冷卻方法，精準的測溫傳感器。
SMEE最好的光刻機，包含13個分系統，3萬個機械件，200多個傳感器，每一個都要穩定。像歐洲冠軍盃決賽，任何一個人發揮失常就要輸球。
發展光刻機，需要高素質的人群。這需要用五十年、一百年的長遠眼光去做事情，而不是期望幾個月解決問題。
如今，我國的光刻技術主要應用於中低端市場。而國際巨頭仍在前進，發展浸沒式光刻機（光在水中波長更短）、磁懸浮驅動（減少工作面震動）、反射鏡代替透鏡技術、真空腔體的極紫外光學系統……
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