775890709
高通驍龍835採用10nm先進工藝，其尺寸比以往減少35%，能耗減少25%。10nm的製作工藝也會帶來性能上的提升發熱降低，有更優秀的表現。
cpu方面 ，835搭載了自主。Kryo 280核心，其中包括4×2.45Ghz性能核心以及4×1.9Ghz效率核心。
Gpu方面，835內置了Adreno540，支持包括OpenGL ES 3.2，完整的OpebCL2.0,Vulkan API以及DirectX 12 API
835內置X16 LTE調制解調器，下行支持誇張的4×20Mhz載波聚合，配合256-QAMK調製，峰值下行寬帶達到1Gbps,達到cat 16級別而上行方面則支持2*2MHz的載波聚合，配合64-QAM調製，峰值也達到了150Mbps，達到Cat 13級別。
Spectra 180雙ISP引擎
驍龍835內置Spectra 180雙ISP，最高支持3200萬像素單攝像頭或1600萬像素雙攝像頭，支持混合自動對焦（包括了激光對焦、相位對焦、對比度對焦等等）、光學變焦、高動態HDR視頻錄製、硬件加速的人臉識別等等。QC 4.0快速充電、Aqstic音頻解碼+揚聲器
在快速充電規格上，驍龍835支持QC4.0，兼容USB-PD協議，充電器支持5V~9V/3A~5.6A輸出，配合INOV3.0電壓調整算法，與上代QC3.0相比速度充電速度快20%，充電效率提高30%。
leeson3
高通驍龍835芯片基於三星10nm製造工藝打造。10nm工藝相比14nm將使得芯片速度快27%，效率提升40%，高通驍龍835芯片面積將變得更小。
驍龍835的主頻為1.9GHz+2.45GHz，並採用八核設計。驍龍835將採用10nm八核心設計，大小核均為Kryo280架構，大核心頻率2.45GHz，大核心簇帶有2MB的L2 Cache，小核心頻率1.9GHz，小核心簇帶有1MB的L2 Cache，GPU為Adreno 540@670MHz，相比上代性能提升25%，支持4K屏、UFS 2.1、雙攝以及LPDDR4x四通道內存，整合了Cat.16基帶。
新的驍龍835處理器，支持Quick Charge 4快速充電，比起Quick Charge 3.0，其充電速度提升20%，充電效率提升30%。另外其具備更小的芯片尺寸，能為手機廠商提供更靈活的內部空間設計，Quick Charge 4.0快充技術充電5分鐘可以延長手機使用時長5小時，此外QC 4.0還集成了對USB-C和USB-PD（Power Delivery）的支持，適配範圍更廣泛，
10nm工藝將會帶來更好的性能，提升功率效率，作為對比高通驍龍820基於14nm製造工藝打造。三星表示10nm工藝相比14nm將使得芯片速度快27%，效率提升40%。
為你執著5
說是神U有點誇張了只能說是正常的產品升級換代，相對於821來說835進步還是很大的，性能提升巨大
