2019年7月12日，根据科技部国家科学技术奖励工作办公室公告第93号，公布了 2019年度初评通过的53项国家自然科学奖项目、56项国家技术发明奖通用项目、152项国家科学技术进步奖。初评通过的20项国家技术发明奖专用项目和43项国家科学技术进步奖专用项目在委托管理单位、提名单位及项目完成单位等进行内部公布。
值得国内功率半导体人骄傲的是，由株洲中车时代电气股份有限公司和浙江大学联合申报的项目《高压大电流IGBT芯片关键技术及应用》，通过了2019年度国家技术发明二等奖的初评！
高压IGBT芯片广泛应用于轨道交通（高铁）、高压直流输电(柔性直流输电和特高压输电)、电磁驱动（军事）等事关国家重大战略的关键领域，这一项目的申报也标志着，经过多年功率半导体人的努力，国家将在这些“卡脖子”芯片的关键领域取得突破！
高压IGBT通过国家技术二等奖初评
2019年国家技术发明奖初评通过名单
分享到:
