比现有 eUFS 2.1 芯片快 2 倍，下半年更会投产 1TB 版本。
随着智能设备的存储空间愈来愈大，相关的芯片技术也要积极提速才能平衡需要。三星今天宣布正式量产新的 512GB 和 128GB eUFS 3.0 记忆体芯片，前者叠合了 8 层第 5 代 V-NAND，配合高性能的控制器，将会有着比前代 eUFS 2.1 快 2 倍的读取速度，达 2,100MB/s；写入速度也有 1.58 倍的加乘，至 410MB/s。
三星于新闻稿表示，如此的速度的内存芯片，过往只有用于超薄笔记本电脑才会有的。但今天的 512GB eUFS 3.0 芯片却已经有超过 SATA SSD 的读取速度，随机读写能力也高达 63,000 IOPS 和 68,000 IOPS。他们更透露会在 2019 年的下半年开始量产 1TB 和 256GB 版本的 eUFS 3.0 芯片，预期会在旗舰级手机市场上占一重要席位，当然，Samsung Galaxy Fold 已经确认是其中一台用上 eUFS 3.0 的手机啰。
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