俄罗斯的电子工业比较落后这是事实，但这主要是民用电子工业落后太多。在军用电子技术方面，俄罗斯还是有很强的实力，特点是品种全、实用、耐用、性能稳定，并且拥有独立技术，在半导体微波功率器件、抗辐射专用集成电路等方面还有一定优势。
军用电子元器件，并不特别强调性能先进，比如民用手机芯片都进入10纳米级别了，而军用芯片45纳米、65纳米还是很先进的芯片。因为军用芯片强调的是稳定性、可靠性、环境适应性、抗冲击、抗辐射、抗电磁脉冲等，对工艺、功耗等要求不高。
我们知道的真空电子器件，如宽带大功率连续波行波管、连续波毫米波行波管、大功率脉冲行波管、空间行波管等由于功率密度比半导体功率器件高2个数量级，所以现在的雷达、卫星通信、电子战装备、微波武器仍然在用，而且有着不可替代的地位。
苏联时期出于和西方进行核大战的考虑，苏军武器装备在上世纪60-70年代一直是超小型真空管和晶体管并存，比如当时苏军装备的无线电台基本上都是超小型真空管和晶体管并存，这样可以充分发挥各自的优点。
到上世纪80年代，苏联的半导体工业进一步成长，进入了大规模集成电路时代，在超高速集成电路和集成电路抗冲击方面，苏联具有很高的技术水平。在其他方面，当时苏联相对于美国，局部的差距最多不过5年。而且苏联建立起了从原材料、设备、设计、制造等一整套完整的半导体工业体系，当时仅有美国超过苏联。
在苏联解体后，原先完整的半导体工业体系完蛋了，人才流失也很严重，这是导致俄罗斯电子工业衰落的根源，而不是体制问题。但由于军用电子对工艺、功耗等要求不高，所以俄罗斯才能够用比较落后的工艺生产军用电子元器件和芯片，满足新型武器装备的需要。这也是俄罗斯民用电子一塌糊涂，而雷达、导弹等武器装备先进的奥秘所在。
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