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有些MOS管需要用三极管驱动，而不是直接用单片机的I/O口驱动，这是因为单片机的工作电压一般在5V以下，其I/O口输出的驱动电压的幅度较小（不会大于单片机的供电电压），而MOS管是一种电压驱动器件，要想使其充分饱和导通，一般需要较高的驱动电压，故不能直接用单片机I/O口驱动MOS管。为了使MOS管能够充分饱和导通，一般采用下图所示电路。
有不少型号的单片机工作电压较低，譬如STM8L151单片机的工作电压范围为1.8～3.6V，C8051F330的工作电压为2.7～3.6V，它们一般都采用3.3V的稳压电源供电，这样其I/O口输出电压的幅度一般≤3.3V。
而像IRF840（其外形封装见上图）这类阈值电压较高的大功率MOS管，其栅源两极之间的驱动电压一般要≥10V，才能使其充分饱和导通，显然用上述工作电压为3.3V的单片机输出的信号直接驱动这类MOS管根本无法使其导通。
为了能使MOS管充分饱和导通，一般先将单片机I/O口输出的信号经双极型三极管放大，然后再驱动MOS管。
图1电路中，STM8L151单片机I/O口若输出为高电平时，VT1导通（一般只要该高电平信号的幅度稍大于0.7V，即可使其导通），VT2栅极为低电平，处于截止状态，负载RL不工作。当STM8L151的I/O口输出为低电平时，VT1截止，VT2栅极电压几乎等于电源电压12V（VT1截止时，R2两端的压降几乎为零），这样便可以使VT2获得足够幅度的电压而充分饱和导通了。
顺便说一下，现在有不少贴片功率MOS管（譬如SI2301）的阈值电压较低，有的在5V左右的电压下即可饱和导通，不过这类管子的漏极电流只有几安，无法驱动工作电流更大的负载。
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单片机的GPIO口可以直接驱动三极管没有问题，对于很多MOS管却不能直接驱动，需要通过三极管或者光耦来转化一下，这是为什么呢？
单片机的常用工作电压一般为5V或者3.3V，不会超过5V，对于功率较大的MOS管可能无法满足导通条件，因为MOS管是电压驱动型的，而三极管是电流驱动型的，对驱动电压要求不高。
1 单片机为什么可以直接驱动三极管
三极管是流控型器件，具有三个工作状态，分别为截止区、放大区和饱和区。用作电子开关时需要工作在截止区和饱和区。以NPN三极管为例，三极管饱和导通时，基极和发射极之间的压差大约为0.7V，所以只要基极端的电压高于0.7V，三极管就能导通，而单片机在输出高电平时至少可达3.3V，所以单片机可以直接驱动三极管。单片机驱动三极管的电路如下图所示。
2 单片机为什么无法直接驱动MOS管
对于很多小功率的MOS管，单片机是可以直接驱动的，因为其开启电压Vth要求不是很高，但是对于大多数的MOS管，其开启电压在2.5-4.5V之间，甚至更高，单片机直接驱动可能会出现问题，所以就需要通过三极管来转换一下。下图就是单片机通过单片机来驱动MOS管的例子。
上图中，如果负载端的电流较大，选用的MOS管Vth可能较大，多数MOS管的VGS在±20V范围内，Vth在(2.5-5)V之间，如果是3.3V的单片机可能导致MOS管不能正常工作。这是就通过三极管来间接驱动。
单片机输出高电平时，三极管导通，集电极时低电平那么MOS管截止；当单片机输出低电平时，三极管截止集电极是高电平，MOS管导通。也可以在三极管的G和S极之间加一个稳压管。
除了三极管之外，单片机也可以通过光耦来驱动MOS管，在有些场合光耦驱动MOS管更为合适。用三极管，还是用光耦，还是用单片机直接驱动需要根据实际的电路参数来确定。
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根据提问者的意思，为什么经常看到在使用单片机I/O口驱动MOS管时，不是使用单片机I/O口直接驱动，而是经过一级三极管，使用三极管驱动MOS管。
三极管和MOS管控制区别
三极管和MOS管在驱动上是有区别的，三极管是电流驱动，而MOS管是电压驱动，三极管的基极驱动电压只要高于Ube的死区电压即可控制三极管导通，硅材料三极管的死区电压一般为0.6V，锗材料三极管的死区电压一般为0.3V，所以控制三极管的电压对于硅材料的三极管来说只要高于0.6V左右即可，而对于锗材料的三极管来说只要高于0.3V左右即可。
而MOS管就不一样了，MOS管是电压型驱动，其驱动电压必须高于其死区电压Ugs的最小值才能导通，不同型号的MOS管其导通的Ugs最小值是不同的，一般为3V~5V左右，最小的也要2.5V，但这也只是刚刚导通，其电流很小，还处于放大区的起始阶段，一般MOS管达到饱和时的驱动电压需6V~10V左右。
实际应用
了解三极管和MOS管在控制上的区别之后，那么单片机I/O口怎么控制三极管和MOS管呢？单片机一般采用5V或3.3V供电，其I/O口高电平为5V或3.3V，处理器一般讲究低功耗，如今使用3.3V供电的单片机较多，所以其I/O口高电平也只有3.3V。
（1）3.3V的电压足够可以驱动三极管，三极管属于电流驱动，根据I/O口的电压VIO以及限流电阻R1的值可以推算出基极电流，Ib=(VIO-0.6V）/R1，选择不同的电阻R1阻值，可以改变基极电流，只要VIO大于0.6V，想要使三极管工作在饱和区都可以，下图为简单的NPN三极管控制LED指示灯的原理。
（2）MOS管是电压驱动，MOS管开启最低驱动电压为3V~5V左右，不同型号MOS管驱动电压不同，一些小功率MOS管最低驱动电压为2.5V左右，单片机I/O口可以直接驱动，但是此时MOS管处于半导通状态，内阻很大，驱动小电流负载可以这么使用。大电流负载就不可以这么使用了，内阻大，管子的功耗过大，很容易烧毁MOS管。MOS管达到饱和状态所需驱动电压一般为6V~10V左右，3.3V的电压不足以直接驱动MOS管使其饱和。因此，可以在I/O口的输出端加一级三极管，使MOS管的驱动电压变高。举例说明，仅供参考，原理如下图所示。
原理分析：当单片机I/O口为高电平时，NPN三极管Q5导通，直接将N-MOS管控制极G极拉低，MOS管截止，负载不工作；当单片机I/O口为低电平时，NPN三极管Q5截止，电阻R12和R13将24V电源分压得G极电压为：24V*20K/(10K+20K)=8V，MOS管导通并达到饱和状态，负载工作。
总结：三极管为电流驱动，较低的电压就可以驱动三极管，而MOS管为电压驱动，驱动电压较高，单片机I/O口的电压不足以驱动MOS管，所以经常使用三极管作为缓冲改变电压，当然除了使用三极管之外还可以使用光耦等。
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技术闲聊
MOS管(场效应管)是电压驱动型器件，只要驱动电压满足要求就可以驱动MOS管导通
MOS管是电压驱动型元件，在设计MOS管驱动电路时，需要注意所选用MOS的导通维持电压（Vgs）。如果驱动电压达不到导通维持电压（Vgs)，MOS管就不能稳定、可靠的导通。
MOS管驱动电路分析
在设计电子产品的时候，单片机的工作电压有可能是1.8V、3.3V、5V。因为驱动MOS管并不需要太多的电流，如果单片机IO的驱动电压合适，可以直接驱动MOS管的。比如所选择的MOS的VGS最小值为2.5V，单片机的工作电压为5V，那么IO直接驱动MOS管是完全没有问题的
N MOS管:DR为高电平时导通，DR为低电平时断开
P MOS管:DR为低电平时导通，DR为高电平时断开
如果单片机IO的驱动电压不能满足MOS管的VGS要求，比如MOS管的VGS最小为3~4.5V，而单片的工作电压为3V，如果直接用IO驱动MOS管，是不可靠的，需要加入三极管驱动。三极管是电流型的驱动器件，只要给三极管的基极提供驱动电流就可以导通，再通过三极管的集电极给MOS管提供驱动电压。
N MOS管:DR为低电平时导通，三极管截止，三极管的集电极为高电平，可以驱动MOS导通；DR为高电平时，三极管导通，三极管的集电极为低电平，N MOS管就断开了。
P MOS管:DR为高电平时导通，三极管导通，三极管的集电极为低电平，可以驱动MOS导通；DR为低电平时，三极管截止，三极管的集电极为高电平，P MOS管就断开了。
所以MOS的驱动是否加入三极管需要根据实际应用而定！并不能一概而论！
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有单片机直接驱动的MOS管，查logic MOS就可以找到一大堆。
