氮化镓（GaN）拥有极高的稳定性，它的熔点约为1700℃。作为目前是最优秀的半导体材料之一，GaN用作整流管能降低开关损耗和驱动损耗，提升开关频率，附带地降低废热的产生。这些特性让氮化镓应用在电源上有很好的发挥，降低元器件的体积同时能提高效率。
认识GaN半导体
氮化镓，第三代半导体材料，作为半导体材料的新晋成员，“氮化镓”这一新兴半导体材料的诞生，犹如平地一声雷，技术革命快速渗入5G、射频以及快充等市场，以其特性优势，横扫其他众多半导体材料。
在国内，氮化镓被称为第三代半导体材料（又称为宽禁带半导体材料）。GaN的禁带宽度、电子饱和迁移速度、击穿场强和工作温度远远大于Si和GaAs，具有作为电力电子器件和射频器件的先天优势。
目前第三代半导体材料以SiC和GaN为主。相较于SiC，GaN材料的优势主要是成本低，易于大规模产业化。尽管耐压能力低于SiC器件，但优势在于开关速度快。同时，GaN如果配合SiC衬底，器件可同时适用高功率和高频率。
氮化镓充电器到底有什么优点呢？
① 体积小。因为运用了氮化镓的原因以及氮化镓的一个特性：开关频率高。它是目前全球最快的功率开关器件，开关频率高可以减小变压器和电容的体积，那么自然氮化镓充电头就会比一般充电头的体积和重量更小、更低了，同时发热量也会降低。
② 功率大。因为氮化镓本身具有更宽的带隙，而宽带隙也就等于能承受更高的电压，具有更好的导电能力，并且会让电子产品的用电量减少10%~25%。
当然不止省电费，主要还是充电快！具体有多快呢？以小米10氮化镓充电为例，它可在45min内为小米10 Pro充电100%，为iPhone 11充电100%的时间是1h50min，比5W原装充电器快了约50%。
③ 易散热。GaN与第一代半导体Si和第二代半导体GaAs相比，GaN的禁带宽度大、零界击穿电场强度大、导热系数更高。
GaN器件可在200℃以上的高温下工作，能够承载更高的能量密度，可靠性更高；较大禁带宽度和绝缘破坏电场，使得器件导通电阻减少，有利于提升器件整体的能效；电子饱和速度快，以及较高的载流子迁移率，可让器件高速地工作。
④ 兼容好。根据公开的数据，小米GaN充电器可以智能识别输出电流，兼容大多数Type-C型智能手机、笔记本电脑、平板电脑、新潮游戏设备，包括全系iPhone、Switch以及众多品牌的笔电。
目前市面上的充电器运用最广泛的半导体材料还是硅（Si）,比如你手边的苹果充电器或者华为充电器等等。但硅已经快被人类运用到极限了，所以氮化镓作为硅的三代半导体材料，开始逐步应用在大部分的电子器件上。
氮化镓刺激功率半导体市场繁荣
氮化镓领域的投资机会将呈现由点到面，多领域相互促进的态势。第一层，GaN充电器已经走进消费电子，将迎来快速爆发；第二层，疫情过后，国内市场5GSub-6GHz基站建设需求加速回补，美国市场5G毫米波建设如期推进，全球5G基站建设将刺激射频GaN和电源GaN的应用普及；第三层，随着GaN产品在消费电子渗透率提升和5G基建刚需的带动下，成本下降，应用场景将进一步扩大到新能源汽车、激光雷达、数据中心等，从而刺激功率半导体市场繁荣。
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