段勇宾
晶振电路中的两个小电容叫做晶振负载电容
晶振的负载电容大小一般是几个皮法到几十个皮法，需要选用NPO/G0G材质的电容
晶振负载电容怎么确定大小？
负载电容的大小不是固定的，需要晶振的规格要求而定，晶振的规格书都标有负载电容的要求，一定要看清楚规格书，选择匹配的负载电容。假如负载电容要求是12.5pF，晶振两端的电容用20pF~24pF就差不多了
- 选择NPO/G0G材质，温度和高频特性更好
- 公差当然是尽量选择小的，最好选择2%或者1%的。
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晶振分为有源晶振和无源晶振，有源晶振需要供电不需要电容。无源晶振需要外接电容才可以起振。无源晶振典型的电路图如下图所示：
上图中，晶振的两个引脚接单片机的晶振引脚。在晶振的两端接两个瓷片电容，这两个电容一般为15-30pF,成为起振电容。
如果单片机没有特别说明，则选择15-30pF的电容即可，否则要在单片机数据手册的指导下进行电容选型。单片机的数据手册都会介绍外接晶振的起振电路，如下表所示，就是单片机手册上推荐的晶振电容的选择方法。
根据所接晶振的频率，选择合适的电容。在设计电路时一定要多研究单片机的数据书册。
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一.因为每一种晶振都有各自的特性，所以最好按照制造厂商所提供的参数来选择外部器件。
二.允许范围内，外部的这两电容越小越好。值越小，起振时间越短，值越大，稳定性高。一般12MHZ的晶振可以选择18pf或者22pf的电容。
三.晶振需要考虑分类，比如有源和无源。考虑等效电阻，负载电容，频率偏差等。找份规格书多了解一下，就能学到很多。当然有点英语知识是必要的。
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晶体的FL除以二 精密点的话FL=C/2+杂散电容 选材Npo
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