第四代AMD锐龙处理器,持续旧工艺生产
来自AMD官方3月5日的公开消息,包含EPYC在内第四代Zen3架构Ryzen处理器家族,依然采用以往的7nm DUV制程生产,仅作工艺优化(也就是台积电所谓N7P)。这对半年多以来业界早已达成共识的7nm EUV期待浇上了一盆冷水:
7nm EUV vs 7nm DUV对比
为什么要揪着7nm EUV不放?极紫外光刻机就那么好吗?
不急,简单看看他俩的差别就好理解了。紫外光源是曝光系统的核心模块之一,而常见的光源分为以下几类:
- 可见光:g线——436nm;
- 紫外光(UV):i线——365nm;
- 深紫外光(DUV):KrF准分子激光——248 nm;ArF 准分子激光——193 nm等;
- 极紫外光(EUV):10 ~ 15 nm。
或许以上数字并不能让读者们感受到同为7nm、DUV时代和EUV时代的巨大差异,那么看看下面这个图例吧:
AMD意外而突然地宣布不采用7nm EUV制造工艺,几乎意味着Zen3对比Zen2很难存在晶体管密度、功耗、发热量等重要指标上产生巨大的改变。换句大家熟悉的话来说:AMD开始挤牙膏了。
AMD敢于挤牙膏的底气在哪?
对于这个问题,相信大家都有各自的答案。
类似nVIDIA对于AMD在GPU领域的技术优势一样,采用12nm打造的图灵系GPU轻松碾压7nm的Navi家族。反观CPU领域,AMD在Zen2架构上的整体优势已经显而易见,而尚存的功耗、时钟频率、小核聚热问题是否必须借由EUV来解决?AMD看来选择了“更省钱”的方案来搞定。
当然,上述观点仅仅基于对TSMC N7P改良版工艺的乐观预估,说白了,这就是AMD版本的7nm+。然而,结合Intel CFO 来看,7nm EUV的关键词热度正在面临快速消退的趋势。Intel在CPU产品线迭代的问题上,也已明确表达了“暂时借道7nm、快速切换5nm”的态度。
根源:“名义”制程的快速迭代
,三星和台积电对于芯片制程的定义方式和Intel完全不同。就TSMC现有的7nm工艺来说,初期仅66.7MTr/mm²的晶体管密度,而三星的8nm也仅有61.2MTr/mm²。在台积电拿到AMD等7nm大单、深耕研磨之后,7nm DUV才达到了96.5MTr/mm²的水准。而这依然不能匹敌Intel 10nm高达100.76MTr/mm²的程度。
简而言之,台积电和三星的名义制程,在Intel看来是缩水货。而7nm EUV对比7nm DUV的性能代差巨大,按照台积电的观感来说,恐怕继续使用“7nm”这个名头,有浪费之嫌。不管是3月5号AMD的这份官方Roadmap,还是乔治·戴维斯的言论,都暗示过“7nm EUV+之后,快速迭代至5nm制程”的说法。因此... ...
毕竟,从光刻机的角度来说,7nm级别设备如
ASML NXE3400B,都从硬件上支持向5nm甚至3nm节点继续延伸。因此,7nm EUV的改良进度似乎比预料中更顺利,因此干脆直接跨入5nm时代得了,你好我好大家好,改头换面大伙都赚钱。总结:挤挤更健康?
锐龙4000系列缺席7nm EUV之后,似乎意味着这代产品的香甜指数直线下降。毕竟近似工艺、几乎相同的架构、规格参数,和以往十年间Intel的挤牙膏策略没什么两样了。
面对Comet Lake-S的第10代酷睿CPU家族,AMD或许确实有挤牙膏的本钱,毕竟Ryzen9 3950X这16核心/32线程的规格摆在这里,依然是一览众山小。台积电的N7P如果能在时钟频率、温度、功耗上小改一波,倒也算是满足了“升级”二字的最低要求,只是... ...
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