多年來，芯思想研究院（ChipInsights）對國內12英寸、8英寸、6英寸晶圓生產線的情況進行了長期深入的跟蹤調研。
根據芯思想研究院的統計，截止2019年底我國12英寸晶圓製造廠裝機產能約90萬片，較2018年增長50%；8英寸晶圓製造廠裝機產能約100萬片，較2018年增長10%；6英寸晶圓製造廠裝機產能約230萬片，較2018年增長15%；5英寸晶圓製造廠裝機產能約80萬片，較2018年下降11%；4英寸晶圓製造廠裝機產能約260萬片，較2018年增長30%；3英寸晶圓製造廠裝機產能約40萬片，較2018年下降20%。
為了讓大家對我國新的晶圓製造線的最新情況有個瞭解，本文對2019年度有關中國晶圓生產線的最新情況進行盤點，現將調研情況梳理如下。
共計63個項目，其中6個項目已經停擺，刨除停擺項目外，其他57個項目宣佈投資總額超過15000億人民幣，較2018年統計增長7%。
本文分為兩大部分，一是硅基項目，二是化合物項目；每部分包括投產篇、產能爬坡篇、在建篇、規劃篇、停擺篇。
投產篇：2019年度宣佈投產的晶圓製造生線
產能爬坡篇：2019年前投產的生產線，2019年產能較2018年開始提升
在建篇：2019年度還在建設的晶圓生產線
規劃篇：宣佈建線計劃
停擺篇：2019年度停止建設的項目
一、硅基項目（53）
投產篇（12）
中芯南方集成電路製造有限公司（12英寸14納米）
華虹半導體（無錫）有限公司（12英寸）
武漢新芯集成電路製造有限公司二期（12英寸）
三星（中國）半導體有限公司二期一階段
廣州粵芯半導體技術有限公司（12英寸）
重慶萬國半導體科技有限公司（12英寸）
江蘇時代芯存半導體有限公司（12英寸）
SK海力士半導體（中國）有限公司（12英寸）
福建省晉華集成電路有限公司（12英寸）
中芯集成電路製造（紹興）有限公司（中芯紹興，8英寸）
北京燕東微電子科技有限公司（8英寸）
江蘇英銳半導體有限公司（6英寸）
產能爬坡篇（14）
上海華力集成電路製造有限公司（12英寸）
長江存儲科技有限責任公司（12英寸）
長鑫存儲技術有限公司（12英寸）
合肥晶合集成電路有限公司（12英寸）
聯芯集成電路製造（廈門）有限公司（12英寸）
臺積電（南京）有限公司（12英寸）
英特爾半導體（大連）有限公司（12英寸）
中芯國際集成電路製造（深圳）有限公司（12英寸）
中芯國際集成電路製造（天津）有限公司（8英寸）
中芯集成電路（寧波）有限公司（N1，8英寸）
杭州士蘭集昕微電子有限公司（士蘭集昕，8英寸）
上海新進芯微電子有限公司（8英寸）
四川廣義微電子股份有限公司（6英寸）
河南芯睿電子科技有限公司（芯睿電子6英寸）
在建篇（15）
廈門士蘭集科微電子有限公司（12英寸）
武漢弘芯半導體制造有限公司（弘芯半導體，12英寸）
三星（中國）半導體有限公司二期二階段（12英寸）
成都紫光國芯存儲科技有限公司（12英寸）
芯恩（青島）集成電路有限公司（芯恩，12英寸）
泉芯集成電路製造（濟南）有限公司（泉芯集成，12英寸）
芯恩（青島）集成電路有限公司（芯恩，8英寸）
賽萊克斯微系統科技（北京）有限公司（賽萊克斯，8英寸）
上海積塔半導體有限公司（積塔半導體，8英寸）
中芯集成電路（寧波）有限公司二期（中芯寧波二期，8英寸）
杭州士蘭集昕微電子有限公司（士蘭集昕二期，8英寸）
海辰半導體（無錫）有限公司（無錫海辰，8英寸）
濟南富能半導體有限公司（富能半導體，8英寸）
吉林華微電子股份有限公司（華微電子，8英寸）
山東興華半導體有限責任公司（6英寸）
規劃篇（7）
華潤微電子（重慶）有限公司（華潤重慶，12英寸）
華潤微電子無錫項目（華潤微電子，8英寸）
上海積塔半導體有限公司（積塔半導體，12英寸）
紫光DRAM項目（紫光DRAM，12英寸）
青島城芯半導體科技有限公司（城芯半導體，12英寸）
四川中科晶芯集成電路製造有限責任公司（中科晶芯，8英寸）
贛州名芯半導體項目（贛州名芯，8英寸）
停擺篇（5）
南京紫光存儲科技控股有限公司（12英寸）
格芯（成都）集成電路製造有限公司（格芯成都，12英寸）
德淮半導體有限公司（12英寸）
德科碼（南京）半導體科技有限公司（德科碼南京，8英寸）
江蘇中璟航天半導體實業發展有限公司（中璟航天，8英寸）
二、化合物項目（10）
投產篇（1）
廈門士蘭明鎵化合物半導體有限公司（6英寸）
產能爬坡篇（4）
英諾賽科（珠海）科技有限公司（8英寸）
株洲中車時代電氣股份有限公司（6英寸碳化硅）
蘇州能訊高能半導體有限公司（氮化鎵）
江蘇能華微電子科技發展有限公司（氮化鎵）
在建篇（3）
英諾賽科（蘇州）半導體有限公司（8英寸）
北京世紀金光半導體有限公司（6英寸碳化硅）
濟南富能半導體有限公司（6英寸）
規劃篇（1）
上海積塔半導體有限公司（積塔半導體，6英寸）
停擺篇（1）
北京雙儀微電子科技有限公司（6英寸砷化鎵）
一、硅基項目
投產篇
中芯南方集成電路製造有限公司
（中芯南方，12英寸14納米）
2019年中芯南方集成電路製造有限公司12英寸14納米生產線正式投產，標誌著中國大陸集成電路生產工藝向前推進一步，順利完成《推進綱要》的目標。。
2019年第一季度，中芯南方FinFET工廠首臺光刻機搬入，開始產能布建。目前已經具備月產能3500片規模，最終達到每月產能35000片的目標。
中芯南方成立於2016年12月1日，是配合中芯國際14納米及以下先進製程研發和量產計劃而建設的具備先進製程產能的12英寸晶圓廠。
華虹半導體（無錫）有限公司一期
（華虹無錫，12英寸）
2020年1月1日舉行首批功率器件晶圓投片儀式，並和無錫新潔能簽約。華虹無錫的IC+Power戰略，Logic、eFlash、BCD、SOI RF和Power等工藝平臺陸續推出，可滿足無錫絕大多數設計公司。
2019年5月24日首臺設備搬入，並舉行了HHFAB7廠授牌儀式。2019年6月6日華虹無錫集成電路研發和製造基地12英寸生線一期3臺光刻機臺搬入；2019年9月17日試投片生產，標誌著中國第一條12英寸90納米/55納米工藝的功率器件生產線投產。
2017年8月2日，華虹宏力與無錫市政府及國家集成電路產業投資基金（大基金）簽訂了一份投資協議，三方將在無錫投資建設一座12英寸晶圓廠。據介紹，大基金向華虹注資9.22億美元，其中4億美元投給華虹半導體，持股18.94%；5.22億美元投給華虹無錫，持股29%。
華虹無錫集成電路研發和製造基地項目佔地約700畝，總投資100億美元，一期項目總投資約25億美元，新建一條工藝等級90-65/55納米、月產能約4萬片的12英寸特色工藝集成電路生產線，支持5G和物聯網等新興領域的應用。
武漢新芯集成電路製造有限公司二期
（新芯二期，12英寸）
2019年二期擴產項目已經順利投產。
2018年8月28日，武漢新芯集成電路製造有限公司召開二期擴產項目現場推進會在武漢召開。據悉武漢新芯二期擴產項目規劃總投資17.8億美元；2018年12月開始進入設備安裝調試。
據悉，二期將緊抓物聯網和5G運用的市場機遇，建設NOR Flash（自主代碼型）閃存、微控制器和三維特種工藝三大業務平臺，相當於再造一個武漢新芯。
根據規劃，武漢新芯的NOR Flash閃存能力每個月擴充8000片，從月產能1.2萬片擴至月能2萬片，微控制器每個月擴充5000片，計劃用5年時間把武漢新芯建設成中國物聯網芯片領導型企業。
三星（中國）半導體有限公司二期一階段
（三星西安X2-PH1，12英寸）
2019年7月開始設備安裝調試，目前已經開始試運行生產，為量產做準備，2020年3月正式量產。
2018年3月，三星宣佈在西安舉行了3D NAND閃存芯片二期一階段項目奠基儀式。
三星半導體西安存儲芯片基地進行了重新規劃，將二期項目分為兩個階段，目前在建的做為二期第一階段，投資70億美元，規劃月產能6萬片，到2020年底，西安3D NAND月產能將由目前的12萬片增至18萬片，增幅約50%。
廣州粵芯半導體技術有限公司
（廣州粵芯，12英寸）
2019年9月20日，粵芯半導體第一階段的生產線正式投產。
2019年3月15日，廣州粵芯半導體有限公司舉行了12英寸生產線設備搬入儀式，首批進入的設備來自全球前五大半導體設備供應商，包括ASML的光刻機、AMAT的晶圓缺陷檢測設備、LAM Research的刻蝕設備、TEL的塗膠顯影設備和KLA的檢測和量測設備。3月19日，有多臺國產設備開始搬入並安裝調試；2019年6月29日，粵芯半導體宣佈，第一階段的生產線調試已經完成，首批樣品已經出貨，良率已達到預期目標。
2018年3月開始樁基工程，10月11日舉行了12英寸集成電路生產線項目主廠房封頂；12月7日潔淨室正壓送風。
2017年12月舉行開工儀式，這是國內第一座以虛擬IDM (Virtual IDM) 為營運策略的12英寸晶圓廠，也是廣州第一條12英寸晶圓生產線。
粵芯半導體項目投資70億元，新建廠房及配套設施共佔地14萬平方米。建成達產後，粵芯半導體將實現月產40000片12英寸晶圓的生產能力，採用130nm到180nm工藝節點生產，產品包括微處理器、電源管理芯片、模擬芯片、功率分立器件等，滿足物聯網、汽車電子、人工智能、5G等創新應用的模擬芯片需求。
重慶萬國半導體科技有限公司
（重慶萬國，12英寸）
2019年上半年，重慶萬國完成了12英寸生產線設備安裝，7月開始小批量12英寸晶圓生產。
2015年9月，兩江新區管委會與萬國半導體科技有限公司簽訂“12英寸功率半導體芯片製造及封裝測試生產基地項目投資協議”，2016年4月22日成立重慶萬國，將主要從事功率半導體器件（含功率MOSFET、IGBT等功率集成電路）的產品設計和生產製造。2017年2月動工建設。2018年3月開始搬入設備並裝機。
萬國半導體科技有限公司是全球技術領先的功率半導體企業，該項目總投資10億美元，將分二期建設。其中，項目一期投資約5億美元，建築面積93111平方米，預計每月生產2萬片芯片、封裝測試5億顆芯片；二期投資約5億美元，預計每月生產5萬片芯片、封裝測試12.5億顆半導體芯片。
江蘇時代芯存半導體有限公司
（時代芯存，12英寸）
2019年8月26日，時代全芯發佈了基於相變材料的2兆位可編程只讀相變存儲器產品（EEPROM）“溥元611”，標誌著中國首條PCRAM後道生產線投產，其前道生產還是選擇和華力微合作。
2019年4月，KLA和日立（Hitachi）的量測機臺，以及Wet Etch、CVD機臺陸續搬入。2018年4月10日，生產線核心設備ASML 1950Hi光刻機進廠安裝，1950Hi可滿足38納米工藝生產。
2018年12月公司入選工信部存儲器“一條龍”應用計劃“示範企業”，年產10萬片12英寸相變存儲器項目入選“示範項目”，是少數幾家入選“示範企業”和“示範項目”的公司 ，更是全國唯一一家相變存儲器（PCM）入選的公司。
2016年9月28日，項目正式破土動工；2017年3月1日，年產10萬片12英寸相變存儲器項目舉行動工儀式；2017年11月9日主廠房封頂。
江蘇時代芯存半導體有限公司正式致力於開發及生產搭載最新PCM技術的存儲產品。江蘇淮安PCRAM生產項目總投資130億元，一期投資43億元。公司宣稱擁有相變存儲器完整的技術和工藝的知識產權及產業化能力，已制定了未來十年的產品規劃。2017年6月16日，與IBM公司就相變存儲知識產權移轉淮安簽約暨大容量存儲產品研發合作啟動儀式舉行。
SK海力士半導體（中國）有限公司
（SK海力士，12英寸）
2019年4月18日SK海力士半導體（中國）有限公司舉行了無錫工廠擴建（C2F）竣工儀式，不過海力士對於產能爬坡不是太積極。
2018年11月30日，首臺生產裝備開始搬入廠房。
2016年11月二工廠破土動工，2017年10月29日，SK海力士與無錫市政府就海力士新上二工廠項目簽約，總投資高達86億美元。擴建完成之後，到滿產時，無錫基地將形成月產能20萬片10納米制程等級的晶圓生產基地。
SK海力士半導體（中國）有限公司是由韓國SK海力士株式會社於2005年4月投資設立的半導體制造工廠，主要生產12英寸半導體集成電路芯片。
SK海力士半導體（中國）有限公司在錫進行了多次增資及技術升級，累計投資額約200億美元。
福建省晉華集成電路有限公司
（晉華集成，12英寸）
2019年以來，筆者在多個場合見到晉華集成副總，雖然並未透露任何有關晉華的信息，但其代表晉華公開現身，應該表明“晉華仍在運轉當中”。
2018年10月30日，美國商務部以國家安全為由，宣佈自10月30日起對晉華集成實施出口管制，被美國列入出口管制“實體清單”的中國企業。限制對其出口，原因是該公司新增的存儲芯片生產能力將威脅到為軍方提供此類芯片的美國供應商的生存能力。目前項目陷入危機中。
2016年2月26日，晉華集成在福建省晉江市成立；2016年4月，臺灣經濟部投審會通過聯電和晉華集成合作共同開發32納米DRAM製程；由聯電在南科研發，再移轉到晉華集成生產；2016年5月，晉華集成與聯電簽署技術合作協議，開發DRAM相關製程技術。由晉華支付技術報酬金，開發出的DRAM技術成果，將由雙方共同擁有；2016年6月9日晉華集成首座12英寸晶圓廠項目立項備案；2016年7月，晉華集成首座12英寸晶圓廠舉行施工典禮；2016年10月18日，晉華集成首座12英寸晶圓廠正式開工建設；2017年11月，晉華集成首座12英寸晶圓廠廠房封頂；2018年7月晉華集成首座12英寸晶圓廠工藝設備進場安裝，計劃年底進行小規模投片試產。
晉華集成是由福建省電子信息集團、及泉州、晉江兩級政府共同出資設立，被納入我國“十三五”集成電路重大生產力佈局規劃。晉華集成電路與臺灣聯華電子開展技術合作，專注於DRAM產品領域。預估2018年9月正式投產，到2019年底一廠一期項目可實現月產6萬片12英寸晶圓的產能，到2020年底一廠二期也將達產6萬片。並適時啟動二廠的建設，到二廠達產時，總產能將達24萬片。
中芯集成電路製造（紹興）有限公司
（中芯紹興，8英寸）
2109年11月16日，中芯集成電路製造（紹興）有限公司宣佈8英寸生產線通線投片，2020年3月正式量產。
2019年6月19日，主體工程結頂；9月搬入工藝設備，10月完成了151臺套設備的安裝調試。
2018年5月18日，中芯紹興8英寸廠房項目舉行奠基儀式，標誌著中芯國際微機電和功率器件產業化項目正式落地紹興。
2018年3月1日，中芯紹興項目舉行簽約儀式，項目首期投資58.8億元人民幣。
北京燕東微電子科技有限公司
（北京燕東，8英寸）
2019年12月燕東微電子8英寸生產線投片，經過多次工藝試驗後，目前良率已經達到預期。
2019年6月25日，燕東微電子8英寸生產線首批設備正式搬入。首臺搬入的設備是北方華創的刻蝕機。
2018年12月31日，燕東微電子8英寸Mini-line試驗線第一片晶圓正式下線，實現了Trench MOSFET 30V產品全流程貫通，器件功能良好，電性能測試單片良率超80%。這是燕東微電子在8英寸晶圓製造的里程碑。
2018年4月15日，燕東微電子8英寸集成電路項目舉行上樑儀式，6月29日主廠房封頂。
江蘇英銳半導體有限公司
（江蘇英銳，6英寸）
江蘇英銳半導體有限公司6英寸廠於2019年第四季度試生產運營。
江蘇英銳半導體有限公司是由深圳英銳集團子公司盈信通科技（香港）有限公司投資建設，於2018年3月正式啟動，項目總投資1.5億美元。項目達產後，可年產芯片60萬片，主要生產功率分立器件。
從日本、美國引進生產所需光刻機、離子注入機、刻蝕機、PECVD、濺射臺等共計415臺（套）。
產能爬坡篇
上海華力集成電路製造有限公司
（華力二期，12英寸）
自投產以來，上海華力集成電路製造有限公司（華力二期，HH FAB6）的產能迅速爬坡，2019年第二季度達月產10000片，到第四季度達月產20000片。
2018年10月18日，上海華力集成電路製造有限公司（華力二期，HH FAB6）生產線正式投片，首批12英寸硅片進入機臺，開始28納米工藝芯片製造。
2016年12月30日上海華力集成電路製造有限公司（華力二期，HHFAB6）12英寸先進生產線開工建設；2017年5月20日樁基工程完工，開始主廠房鋼結構屋架吊裝，11月2日廠房主體結構完成；2018年5月21日實現首臺工藝設備光刻機搬入。
上海華力集成電路製造有限公司（華力二期，HH FAB6）12英寸先進生產線建設項目是上海市最大的集成電路產業投資項目，總投資387億元人民幣，建成月產能4萬片的12英寸集成電路芯片生產線，工藝覆蓋28-14納米技術節點。項目計劃於2022年底達產。
長江存儲科技有限責任公司
（長江存儲，12英寸）
2019年長江存儲32層3D NAND閃存芯片實現全速量產；9月64層3D NAND閃存芯片已經開始生產。目前月產能約2萬片，2020年將爬坡至5萬片。
2018年第四季度，長江存儲一期工程正式投產，32層3D NAND閃存芯片成功實現小規模量產。
2016年7月26日，長江存儲有限責任公司成立；2016年12月30日，國家存儲器基地項目正式開工建設；2017年7月，32層3D NAND 芯片T/O（設計完成）；2017年9月，國家存儲器基地項目一期工程提前封頂；2017年11月，耗資10億美元、1000人團隊歷時2年研發的32層3D NAND 芯片完成首次驗證；2018年4月11日，一期工程生產機臺正式進場安裝。
國家存儲器基地項目規劃，預計5年投入1600億元（約合240億美元），到2020年形成月產能30萬片的生產規模，到2030年建成每月100萬片的產能。
長鑫存儲技術有限公司
（長鑫存儲，12英寸）
2019年9月20日宣佈正式量產，目前裝機月產能200
00片。2019年5月15日的GSA Memory+論壇上，長鑫存儲董事長朱一明表示，公司DRAM項目計劃年內大規模投產，產生正向現金流，實現商業可持續。長鑫存儲DRAM技術來源於奇夢達，持續投入研發超過25億美元，並不斷完善自身研發技術；長鑫存儲完成了第一座12英寸DRAM存儲器晶圓廠建設，技術和產品研發有序開展，已持續投入晶圓超15000片。
2016年5月6日合肥12英寸存儲器“506項目”啟動；2017年3月廠房開工；2018年1月開始設備安裝；2018年7月16日，合肥12英寸存儲器“506項目”正式投片；2018年底19納米產品第一階段成果通過鑑定。
根據規劃，長鑫存儲合肥12英寸晶圓廠分為三期，第一期滿載產能為12萬片，預計分為三個階段執行，第一階段要完成單月4萬片，目前為2萬片，2020年第一季底達到4萬片。2020年開始規劃建設二期項目，並於2021年完成17納米工藝的DRAM研發。
合肥晶合集成電路有限公司
（合肥晶合，12英寸）
2019年底月產能達到20000片規模，較2018年12月擴增1倍。
2018年，晶合以110納米-180納米工藝製造LCD驅動芯片。由於因為股權問題，和力晶陷入冷凍期，此後不再從力晶進行技轉，而是自研55納米工藝技術邏輯工藝，原計劃2019年量產，目前看來較計劃有所落後。
2015年10月20日，晶合總投資128.1億元人民幣的12英寸晶圓製造基地項目（一期）開工；2016年11月16日晶合集成一期舉行封頂儀式；2017年4月20日，晶合集成主機臺進駐；2017年6月28日投產；2017年9月25日達到量產標準；2017年10月1日宣佈正式量產。
公司計劃建置4座12英寸晶圓廠。其中一期投入資金超過百億元，目前已完成N1、N2兩個廠房主體的建設，N1廠計劃2020年達到滿產每月4萬片規模。
聯芯集成電路製造（廈門）有限公司
（廈門聯芯，12英寸）
2019年聯芯集成一期滿載月產能約為25000萬片，實際產出每月18000+片。
聯芯集成電路製造（廈門）有限公司為臺灣聯華電子與廈門市人民政府及福建省電子信息集團合資成立之一流晶圓專工企業，於福建省廈門市從事集成電路製造，提供12英寸晶圓專工服務。聯芯集成電路製造公司於2014年底開始籌建，2015年3月26日奠基動工，2016年11月開始投產，可提供40nm及28nm的晶圓專工服務，一期月產能為25000片12英寸晶圓。
廈門聯芯廠在引進28納米制程後，2017年第二季度投產5000片，第三季度投產12000片。2017年12月13日通過189.9億元新臺幣（約合6.3億美元）資本預算執行案，間接增資廈門聯芯集成電路製造有限公司，擴增晶圓廠產能。2018年第一季度月產能將擴增至16000片規模，2018年年底實現月產25000片的目標。
臺積電（南京）有限公司
（臺積電南京，12英寸）
2019年月產能提升為15000片，2020年第一季達到20000片的規劃產能。
2018年10月31日，臺積電正式對外宣佈南京12英寸晶圓廠FAB16量產，提供12寸16nm FinFET晶圓代工業務。
2015年年底，臺積電宣佈，已向臺灣“投審會”遞件申請赴大陸設立12英寸晶圓廠與設計服務中心，設立地點確定為江蘇省南京市江北新區，投資金額大約在30億美元；2016年3月28日臺積電南京項目正式落戶南京，2016年7月7日項目一期正式開工建設；2017年9月12日，臺積電南京公司舉行了機臺MOVE-IN典禮；2018年5月晶圓廠開始試投產。
這次臺積南京也打破了多項臺積的紀錄，第一是建廠最快，從動土到進機只花了14個月，第二是上線最快，進機到開始生產不到半年的時間；第三，這是最美、最宏偉、最有特色的臺積廠區。
英特爾半導體（大連）有限公司
（英特爾大連，12英寸）
2019年月產能為85000片。
2018年第二季，英特爾宣佈大連的Fab 68二期投產，主要生產96層的3D NAND閃存。
2015年10月19日，英特爾與大連市舉行“大連•英特爾非易失性存儲製造”項目簽約。英特爾宣佈，為了積極追趕競爭對手的市佔率，Fab 68二期改造工程總投資55億美元，該戰略性計劃是英特爾深化其非易失性存儲器業務發展戰略的一個重要舉措。
此項投資符合英特爾大連工廠的長期發展策略，也體現了英特爾與中國共成長的長期發展承諾。
中芯國際集成電路製造（深圳）有限公司
（中芯深圳，12英寸）
中芯國際深圳基地12英寸MINI晶圓生產線月產能3000片。
中芯國際深圳基地規劃一條月產能4萬片的12英寸產線，聚焦在0.11微米到55納米這些工藝的生產，2017年第4季投產。
中芯國際集成電路製造（天津）有限公司二期
（中芯天津，8英寸）
2019年二期月產能維持20000片裝機規模。
根據公司財報，天津一期裝機產能為45000片，2018年第四季天津基地產能達60000片，較2018年第二季增長了20%。
2017年2月擴產項目正式啟動。2018年7月，中芯國際天津廠舉行了P2 Full Flow擴產計劃的首臺設備進駐儀式。公司在2018年持續對天津基地進行投資以擴充產能。
2016年10月18日開始，正式啟動天津廠產能擴充計劃，該計劃預計投資金額為15億美金。在計劃完成後，產能將達到每月15萬片的規模，有望成為全球最大的單體8英寸晶圓的生產基地。
中芯集成電路（寧波）有限公司一期
（寧波中芯N1，8英寸）
一期規劃月產能15000萬。
2018年第三季度，中芯寧波8英寸特種工藝N1產線生產設備進廠，2018年11月2日正式投產。
這是中芯支持建設的特色工藝生線。中芯集成電路（寧波）有限公司由中芯晶圓與寧波勝芯、華創投資等聯合成立。公司將通過對相關知識產權和技術的收購、吸收、提升和發展，在高壓模擬半導體以及包括射頻與光電特色器件在內的模擬和特色工藝半導體技術領域，開發、建立新的核心器件及技術平臺，以支持客戶面向智能家電、工業與汽車電子、新一代射頻通訊以及AR/VR/MR等專用系統應用的芯片設計、產品開發。
中芯集成電路（寧波）有限公司分為N1（租用小港安居路現有廠房）與N2（柴橋）兩個項目，將建成為中國最大的模擬半導體特種工藝的研發、製造產業基地，採用專業化晶圓代工與定製產品代工相結合的新型商業模式，並提供相關產品設計服務平臺。
杭州士蘭集昕微電子有限公司
（士蘭集昕，8英寸）
一期8英寸生產線的產能規劃40000片，目前已經趨於飽和。
2015 年開工建設；2016 年1月主要生產廠房已結頂，部分生產設備運抵公司；2016 年 12 月底，主廠房建設、淨化裝修和機電動力設備安裝等均已完工，部分工藝設備也已安裝完畢並進入調試階段預計。
2017年3 月產出第一片合格芯片；2017年6月正式投入量產；2017年12月實現月產15000片；當年共產出芯片5.71 萬片。
2018年公司進一步加快8英寸芯片生產線投產進度，已有高壓集成電路、高壓MOS管、低壓MOS管、肖特基管、IGBT等多個產品導入量產。2018年6月，月產能達20000片，全年總共產出芯片30萬片。
上海新進芯微電子有限公司
（上海新進，8英寸）
2019年年底增加到月產15000片晶圓。
自2015年啟動6英寸升級計劃，2016年8英寸設備開始進廠安裝調試，2017年第四季完成了對8英寸晶圓質量評估。2018年第一季度末每月產能達3000片8英寸晶圓，2018年年底增加到月產10000片晶圓。
四川廣義微電子股份有限公司
（四川廣義，6英寸）
2019年7月19日《英飛凌技術轉移項目》全面啟動，按節點完成IFXGEN5.0、GEN7.0的產品量產。月產能爬坡順利，至12月，月產能達60000片。
2018年12月，在北京燕東微電子的支持下，公司6英寸月產能順利達到30000片，較2018年7月的12000片，增長了150%。
2017年8月18日公司“0.25微米6英寸MOSFET”芯片項目一期生產線的正式投產；2018年6月與英飛凌簽訂了戰略合作協議；2018年8月與北京燕東微電子公司簽訂增資入股協議。
四川廣義微電子股份有限公司是一家專業化的集成電路設計、製造、銷售於一體的IDM高科技企業，公司規劃月產能15萬片。
河南芯睿電子科技有限公司
（芯睿電子，6英寸）
2019年底，芯睿電子6英寸生產線月產能達20000片。
芯睿電子6英寸線於2018年6月6英寸開始全面投產，達產後，將形成年產20億隻智能終端產品用超小型傳聲器。
芯睿電子與中科院固體物理所、西安電子科技大學等知名科研院所深度合作，組建的光電傳感與集成應用河南省重點實驗室、聲電轉換專用集成電路河南省工程實驗室、微電子研究院成為企業持續創新、保持技術領先的秘密所在。公司獨有的“0.33微米厚度聲電轉換芯片技術”一些關鍵技術指標達到了國際先進水平。
在建篇
廈門士蘭集科微電子有限公司
（士蘭集科，12英寸）
2019年5月開始土建； 8月完成樁基工程，主體施工開始，2019年12月23日主廠房封頂。預計2020年投產。
2018年10月18日，士蘭微廈門12英寸特色工藝芯片生產線舉行開工典禮。
12英寸特色工藝芯片項目總投資170億元，建設兩條以MEMS、功率器件為主要產品的12英寸集成電路製造生產線。第一條12英寸產線，總投資70億元，工藝線寬90nm，計劃月產8萬片，分兩期實施：其中一期總投資50億元，實現月產能4萬片，將於2020年投產；項目二期總投資20億元，新增月產能4萬片。而第二條12英寸產線為項目三期，預計總投資100億元，工藝線寬65nm--90nm。
項目由廈門士蘭集科微電子有限公司負責，公司註冊資本為20億元，其中廈門半導體投資集團以貨幣出資17億元，佔股85%；士蘭微以貨幣出資3億元，佔股15%。
武漢弘芯半導體制造有限公司
（弘芯半導體 ，12英寸）
2019年12月22日，首臺ASML光刻機搬入。
2019年7月3日，蔣爸尚義正式加盟弘芯；7月4日，主廠房封頂。目前有消息說公司正在商談14納米光掩模製版事宜。
2018年9月11日弘芯半導體制造產業園項目舉行開工儀式。公司宣稱立志成為全球第二大CIDM晶圓廠。（筆者實在不知全球第一大CIDM晶圓廠是哪家公司？）
項目總投資1280億元，主要從事12英寸晶圓的集成電路製造代工業務。項目計劃於2019年上半年完成主廠房工程施工，2019年下半年正式投產。項目一期設計產能月產4.5萬片，預計2019年底投產；二期採用最新的製程工藝技術，設計月產能4.5萬片，預2021年第四季度投產。
公司表示，主要運營邏輯先進工藝、成熟主流工藝、以及射頻特種工藝，並持續研發世界先進的製程工藝。
三星（中國）半導體有限公司
二期二階段（三星西安X2-PH2，12英寸）
2019年12月25日三星西安基地二期二階段正式開工建設。預計2021年投產。
2019年12月10日，三星西安基地二期二階段投資正式啟動，預計投資達80億美元，規劃月產能7萬片。
三星西安基地二期一階段月產能6萬片，已經日前開始投片試產，將於2020年3月正式量產。
二期整體完工後，西安總產能將高達25萬片。
成都紫光國芯存儲科技有限公司
（紫光成都，12英寸）
目前正在澆土建筏板，整體進度相對遲緩！原預計2020年第三季投產的時間表應該要推後。
2018年10月12日，紫光成都存儲器製造基地項目開工。
據介紹，紫光成都存儲器製造基地項目佔地面積約1200畝，總投資達240億美元，將建設12英寸3D NAND存儲器晶圓生產線，並開展存儲器芯片及模塊、解決方案等關聯產品的研發、製造和銷售，旨在打造世界一流的半導體產業基地。據悉，項目全部建成將可形成月產芯片30萬片。
芯恩（青島）集成電路有限公司
（芯恩，12英寸）
目前12英寸廠房還在建設中。
芯恩（青島）集成電路項目正在建設特色型工藝的8英寸集成電路生產線一條，國內最先進數模混合工藝的40納米12英寸集成電路生產線一條，國內最先進14納米光掩膜版生產線一條，芯片測試廠一個以及組建嵌入式芯片32位MCU集成電路設計團隊。
2018年3月30日，寧波芯恩半導體科技有限公司和青島西海岸新區管委、青島國際經濟合作區管委、青島澳柯瑪控股集團有限公司簽署框架協議，打造中國首個CIDM集成電路項目；2018年4月6日完成項目立項備案，4月18日項目公司完成註冊，註冊名稱為芯恩(青島)集成電路有限公司（註冊資本12.5億元，實繳資本2.231億元），4月25日完成首筆資金注入；2018年5月18日芯恩集成電路項目舉行開工典禮；2018年12月13日，簽署投資合作協議。
芯恩（青島）集成電路項目分兩期建設，總投資約188億元。項目開工日期為2018年8月12日，工程接收日為2019年12月26日，工期總日曆天數為501日曆天。
泉芯集成電路製造（濟南）有限公司
（泉芯集成，12英寸）
泉芯集成12英寸晶圓製造線於2019年第一季度開工建設。目前到位資金約50億。
泉芯集成12英寸晶圓製造線計劃採用12nm/7nm的工藝節點。
股東包括逸芯集成技術（珠海）有限公司80%、濟南高新控股集團有限公司10%、濟南產業發展投資集團有限公司10%。
逸芯集成技術（珠海）有限公司2018年11月28日成立，註冊資本1億元人民幣。註冊地是珠海市橫琴新區寶華路6號105室-64419(集中辦公區)。法定代表人是曹山。高管信息包括：夏勁秋總經理。
芯恩（青島）集成電路有限公司
（芯恩，8英寸）
2019年10月28日宣佈8英寸項目廠房封頂，12月27日高調宣佈首臺設備Olympus AL3120搬入。經諮詢，Olympus AL3120是一臺顯微鏡。
芯恩（青島）集成電路項目正在建設特色型工藝的8英寸集成電路生產線一條，國內最先進數模混合工藝的40納米12英寸集成電路生產線一條，國內最先進14納米光掩膜版生產線一條，芯片測試廠一個以及組建嵌入式芯片32位MCU集成電路設計團隊。
2018年3月30日，寧波芯恩半導體科技有限公司和青島西海岸新區管委、青島國際經濟合作區管委、青島澳柯瑪控股集團有限公司簽署框架協議，打造中國首個CIDM集成電路項目；2018年4月6日完成項目立項備案，4月18日項目公司完成註冊，註冊名稱為芯恩(青島)集成電路有限公司（註冊資本12.5億元，實繳資本2.231億元），4月25日完成首筆資金注入；2018年5月18日芯恩集成電路項目舉行開工典禮；2018年12月13日，簽署投資合作協議。
芯恩（青島）集成電路項目分兩期建設，總投資約188億元。項目開工日期為2018年8月12日，工程接收日為2019年12月26日，工期總日曆天數為501日曆天。
賽萊克斯微系統科技（北京）有限公司
（賽萊克斯，8英寸）
2019年12月25日，賽萊克斯北京
8英寸項目一期開始設備搬入，較原計劃有所遲緩。2018年賽萊克斯微系統科技（北京）有限公司繼續完善核心管理及人才團隊，推進8英寸MEMS國際代工線建設項目的建設，2018年11月基礎工程建設已部分封頂。項目規劃分三期建設。
原2019年第3季度一期達到試生產狀態，2020年形成新增產能；二期預計2012年投產；三期預計在2023年投產，2024年力爭實現滿載，形成年產能38萬片8英寸MEMS硅晶圓。
上海積塔半導體有限公司
（積塔半導體，8英寸）
2019年12月28日8英寸廠房開始設備搬入。
2019年5月21日，上海積塔半導體有限公司8英寸特色工藝生產線項目廠房舉行了結構封頂儀式。
積塔半導體特色工藝生產線項目總投資359億元，目標是建設月產能6萬片的8英寸生產線和5萬片12英寸特色工藝生產線，還將建設一條6英寸碳化硅生產線，將在國內首家實現12英寸65納米BCD工藝，建設一條汽車級IGBT專用生產線。
產品重點面向工控、汽車、電力、能源等領域，將顯著提升中國功率器件（IGBT）、電源管理、傳感器等芯片的核心競爭力和規模化生產能力。
2018年8月16日，積塔半導體有限公司特色工藝生產線項目正式開工。
中芯集成電路（寧波）有限公司二期
（寧波中芯N2，8英寸）
2019年2月28日，中芯寧波特種工藝N2項目正式開工。規劃月產能45000萬。
N2項目位於寧波市北侖區柴橋，項目用地面積192畝，建築面積20萬平方米，項目總投資39.9億元，建設工期2019年-2021年，2019年計劃投資5億元。
根據規劃，N2項目建成後將形成年產33萬片8英寸特種工藝芯片產能，同期開發高壓模擬、射頻前端、特種半導體技術製造和設計服務。
這是中芯支持建設的特色工藝生線。中芯寧波分為N1（小港）與N2（柴橋）兩個項目，將建成為中國最大的模擬半導體特種工藝的研發、製造產業基地，採用專業化晶圓代工與定製產品代工相結合的新型商業模式，並提供相關產品設計服務平臺。
杭州士蘭集昕微電子有限公司
（士蘭集昕二期，8英寸）
士蘭集昕擬對8英寸線進行技術改造。本項目利用士蘭集昕現有的公用設施，在現有生產線的基礎上，通過增加生產設備及配套設備設施，形成新增年產43.2萬片8英寸芯片製造能力。
本項目總投資15億元，建設週期約為五年，分兩期進行。其中，一期計劃投資6億元，形成年產18萬片8英寸芯片的產能。二期計劃投資9億元，形成年產25.2萬片8英寸芯片的產能。
海辰半導體（無錫）有限公司
（無錫海辰，8英寸）
2019年12月12日，首批從韓國搬遷的工藝設備搬入海辰半導體廠房。
2019年2月27日，海辰半導體新建8英寸非存儲晶圓廠主廠房正式封頂。
2018年7月SK海力士表示，旗下晶圓代工子公司SK海力士系統IC公司與無錫市政府旗下的無錫產業發展集團有限公司組成的合資公司，2018年下半年啟動工廠的建設。
海辰半導體項目將建設200毫米晶圓模擬生產線，項目總投資67.9億，規劃年產能126萬片8英寸晶圓，主要生產面板驅動IC(DDI)、電源管理IC(PMIC)、CMOS影像感測器(CIS)。
SK海力士系統IC公司負責半導體生產設備，而無錫產業發展集團則負責提供其他必要的基礎設施。據悉SK海力士位於韓國清州M8廠的設備將在2021年底前運至無錫。
濟南富能半導體有限公司
（富能半導體，8英寸）
2019年12月4日，富能半導體一期項目成功封頂。
2019年3月15日，富能半導體一期項目舉行樁基工程。據悉一期項目投資60億元，建設月產3萬片8英寸硅基半導體功率芯片（MOSFET、IGBT）和月產一千片的6英寸碳化硅功率器件的產能，產品覆蓋消費、工業、電網以及新能源車的應用，計劃2020年底實現量產。
富能半導體成立於2018年11月8日，法人代表陳昱升，持股40%，另60%的持有人是濟南富傑產業投資基金；富能半導體項目規劃建設月產10萬片的兩個8英寸廠及一個月產5萬片的12英寸廠。
濟南富傑產業投資基金的股東包括濟南產業發展投資集團有限公司、思華（北京）投資管理有限公司、富士邁半導體精密工業（上海）有限公司、鴻富晉精密工業（太原）有限公司、訊芯電子科技（中山）有限公司。
富士邁半導體、鴻富晉、訊芯電子都是富士康集團的關聯企業，這也說明該項目確實和富士康有一定的關係。
吉林華微電子股份有限公司
（華微電子，8英寸）
華微電子8英寸生產線籌備將近十年，終於有望實現。目前購買設備和廠房建設同步進行。
2019年4月1日，華微電子公告，擬配股募集資金不超過10億元（含發行費用），扣除發行費用後的淨額擬全部用於新型電力電子器件基地項目（二期）的建設。項目建成後，華微電子將具有年產8英寸芯片24萬片的加工能力。產品包括重點應用於工業傳動、消費電子等領域，形成600V-1700V各種電壓、電流等級的IGBT芯片；同時包括應用於各領域的具有成熟產業化技術的MOSFET芯片，以及與公司主流產品配套的IC芯片。
華微電子是中國功率半導體器件領域首家主板A股上市公司，是飛利浦、松下、日立、海信、創維、長虹等國內外知名企業的配套供應商。
山東興華半導體有限責任公司
（山東興華,6英寸）
2019年6月15日，據稱是由我國最早的半導體制造公司香港興華半導體工業有限公司投資的山東興華半導體項目在日照開工。運營主體是5月17日註冊成立的山東興華半導體有限責任公司。
項目計劃總投資50億元，分兩期建設，一期計劃建設一條年產36萬片的5英寸/6英寸的晶圓製造線，二期建設一條8英寸集成電路晶圓製造線。
香港興華成立1979年，1982年5英寸晶圓生產線開始運營，公司主要提供1.5μm/2.0μm/3.0μm /5.0μm硅柵CMOS、2.0μm低壓金屬柵CMOS、5.0μm高壓金屬柵CMOS工藝製程。
興華半導體為我國培養了大批的半導體工藝製程人才，目前國內很多晶圓生產線的高管都在此工作過。
規劃篇
華潤微電子（重慶）有限公司
（華潤重慶，12英寸）
華潤重慶基地將利用現有廠房建設12英寸生產線。
2018年11月5日，華潤微電子與西永微電園簽署協議，共同發展12英寸晶圓生產線項目，該項目投資約100億元，建設12英寸功率半導體晶圓生產線，將主要生產MOSFET、IGBT、電源管理芯片等功率半導體產品。
華潤微電子無錫項目
（華潤微電子，8英寸）
根據華潤微電子招股說明書顯示，公司計劃在無錫基地擴建一條8英寸生產線。
上海積塔半導體有限公司
（積塔半導體，12英寸）
12英寸特色芯片工藝生產線計劃2023年投產。
積塔半導體特色工藝生產線項目總投資359億元，目標是建設月產能6萬片的8英寸生產線和5萬片12英寸特色工藝生產線，還將建設一條6英寸碳化硅生產線，將在國內首家實現12英寸65納米BCD工藝，建設一條汽車級IGBT專用生產線。
產品重點面向工控、汽車、電力、能源等領域，將顯著提升中國功率器件（IGBT）、電源管理、傳感器等芯片的核心競爭力和規模化生產能力。
紫光DRAM項目
（紫光DRAM，12英寸）
紫光國芯DRAM存儲芯片製造工廠原預計2019年底開工建設，預計2021年建成投產。但截止目前，紫光國芯集成電路股份有限公司還沒有註冊成立。
2019年8月27日，紫光集團和重慶市人民政府簽署紫光存儲芯片產業基地項目合作協議。
根據協議，紫光集團將在重慶兩江新區發起設立紫光國芯集成電路股份有限公司，建設包括DRAM總部研發中心在內的紫光DRAM事業群總部、DRAM存儲芯片製造工廠、紫光科技園等。
2019年6月30日，紫光集團發佈公告，成立DRAM事業部。
青島城芯半導體科技有限公司
（城芯半導體，12英寸）
但截止目前，城芯半導體沒有任何實質性進展。
青島城芯半導體科技有限公司計劃建設一條月產4萬片的12英寸模擬集成電路芯片生產線。
2018年7月5日，矽力傑12英寸先進模擬芯片集成電路產業化項目簽約，項目共同投資約180億元人民幣，建設一條12英寸模擬集成電路芯片生產線，規劃產能每月可達4萬片。
據悉，矽力傑半導體項目未來規劃建設2條12英寸模擬集成電路芯片生產線，1條8英寸模擬集成電路芯片生產線。
實際上，青島城芯要建設的12英寸生產線就是矽力傑半導體青島項目，令人疑惑的是，除青島項目外，目前有多個地方園區收到矽力傑晶圓廠的計劃書。
四川中科晶芯集成電路製造有限責任公司
（中科晶芯，8英寸）
2019年5月15日，中國華冶科工集團有限公司、中國電子系統工程第二建設有限公司組成聯合體與中科晶芯集成電路製造有限公司在成都簽訂了8寸圓晶廠項目合作意向書，據悉，工廠將在綿陽設立。
但截止目前，中科晶芯沒有任何實質性進展。
贛州名芯半導體項目
（贛州名芯，8英寸）
2019年6月6日，贛州經開區與名芯有限公司、電子科技大學廣東電子信息工程研究院簽訂三方合作框架協議，總投資200億元的名芯半導體項目順利落戶。
據悉，項目分兩期建設：一期投資60億元，建設一條8英寸功率晶圓生產線；二期投資120-140億元，規劃建設第三代6/8英寸晶圓製造生產線或12英寸硅基晶圓製造生產線。
項目涉及的產品類型包括IGBT、功率MOS、功率IC、電源管理芯片等，覆蓋全球功率器件領域全部類別中80%品種。
同時，項目規劃建設與晶圓關聯的封測工廠、IC設計公司、微電子研究院等三個項目。
截止目前，公司都還沒有註冊。
停擺篇
南京紫光存儲科技控股有限公司
（紫光南京，12英寸）
目前項目處於事實停工狀態 ，工地已經是草長鶯飛。
2018年9月30日，紫光南京半導體產業基地項目項目開工，總投資300億美元。據悉，南京基地原計劃生產64層3D NAND芯片。
項目一期投資約105億美元，月產芯片10萬片，主要產品為3D NAND Flash、DRAM存儲芯片等。預估項目全部建成將可形成月產12英寸3D NAND存儲器芯片30萬片。
格芯（成都）集成電路製造有限公司
（格芯成都，12英寸）
2019年初，格芯（成都）集成電路製造有限公司已經事實停擺。
2018年10月26日，格芯與成都合作伙伴簽署了投資合作協議修正案。基於市場條件變化、格芯於近期宣佈的重新專注於差異化解決方案，以及與潛在客戶的商議，將取消對成熟工藝技術（180nm/130nm）的原項目一期投資。同時，將修訂項目時間表，以更好地調整產能，滿足基於中國的對差異化產品的需求包括格芯業界領先的22FDX技術。
2017年2月10日，格芯宣佈正式啟動建設12英寸晶圓成都製造基地，推動實施成都集成電路生態圈行動計劃，投資規模累計超過100億美元，其中基礎設施是93億美元，其餘為基礎設施和生態鏈的建設，力爭打造中國大陸單一邏輯產品產能最大的12寸工廠。
格芯12寸晶圓代工廠分兩期建設，第一期0.18um和0.13um，技術轉移來自GF新加坡，2018底預計產能約2萬每月；第二期為重頭戲22nm SOI工藝，2018年開始從德國FAB轉移，計劃2019年投產，預計2019年下半年產能達到約6.5萬每月。
德淮半導體有限公司
（德淮，12英寸）
公司目前已經處於停滯狀態。
2018年4月28日生產線核心設備尼康（Nikon）光刻機（S308/S206）進廠安裝，其中S308可滿足65納米工藝生產，S206可滿足110納米工藝生產。
德淮半導體有限公司是一家專注於CMOS影像傳感器的半導體公司，總投資預計約500億人民幣。規劃建設三個12英寸CMOS圖像傳感器專屬晶圓廠。項目首期預計投入150億元，為年產24萬片的12英寸晶圓廠。
2016年1月19日公司註冊成立；2016年3月27日12英寸晶圓廠破土動工；2016年4月1日在日本成立芯片設計公司；2016年12月與意法半導體簽署工藝授權；2016年12月與安森美半導體簽署CIS產品和技術授權；2017年6月公司舉行封頂儀式。
德科碼（南京）半導體科技有限公司
（德科碼南京，8英寸）
2019年，工地現場已經人去樓空，廠房已經成為爛尾樓。
2015年10月，德科碼（南京）半導體科技有限公司成立，服務於南京半導體項目籌建；並與南京經濟技術開發區簽署並執行南京8英寸和12英寸晶圓廠項目。
2015年11月27日項目簽約，總投資25億美元。項目將分期建設，一期項目為8英寸晶圓廠一座，規劃月產能40000片晶圓，以電源管理芯片、微機電系統芯片生產為主。2017年8月21日宣佈獲得以色列TowerJazz技術支持。
一期建設8英寸晶圓廠，總投資5億美元，以自主設計的圖像傳感器芯片製造為主，預計投產後產能可達4萬片/月；二期項目為12英寸晶圓廠，總投資20億美元，投產後產能可達2萬片/月。
2016年6月8日項目奠基，2017年2月全面啟動廠區土木與機電建設工程。2018年2月舉行上樑儀式。
據悉，地方政府已經推出一系列優惠政策，希望有公司可以接手該項目。
江蘇中璟航天半導體實業發展有限公司
（中璟航天，8英寸）
目前暫時處於停滯狀態。
2019年4月盱眙政府表示，現階段，中璟項目的推進工作有了一定的成效，但還未形成規模，盱眙會進一步落實項目主體責任，助推項目取得實質性的發展。
2017年，中璟航天半導體8英寸晶圓製造項目落戶小龍蝦之鄉淮安市盱眙縣，盱眙成為全國第三個引進8英寸生產線的縣城。
據悉，項目晶圓製造為核心，打造半導體全產業鏈全域化、國家級半導體產業基地，創建以產學研、創融投相結合的共融共生全生態循環經濟發展模式，實現真正的“中國芯”。當時項目方表示，項目總投資120億元，其中兩條年產24萬片8英寸CIS晶圓製造廠的投資為60億元，原預計將於2018年12月底前竣工投產。
2018年4月在南京舉行的“2018中國半導體市場年會暨第七屆集成電路產業創新大會”上，中璟航天獲得賽迪顧問頒發的“最具成長力企業獎”和“投資新銳獎”兩個獎項。
中璟航天實力如何，筆者不得而知。但是中璟航天確實是高調。
2017年3月11日，中璟航天半導體宣佈投資近40億美元的12英寸CIS晶圓廠落戶成都郫都區，沒有下文；2017年4月22日宣佈投資60億元半導體生產基地項目落戶廣東江門市開平翠山湖科技園，無疾而終；2018年4月28日，江蘇發佈了《2018年省重大項目名單》，在第二部分“前期工作項目”中，我們也發現有“如皋中璟航天第三代化合物半導體”，沒有動靜了。
二、化合物項目
1、投產篇
廈門士蘭明鎵化合物半導體有限公司
（士蘭明鎵，6/4英寸，砷化鎵/氮化鎵）
士蘭化合物半導體生產線項目於2019年12月23日投產，計劃7款產品逐步投入量產，將於2021年達產。
士蘭化合物半導體項目由廈門士蘭明鎵化合物半導體有限公司負責實施運營，公司註冊資本為8億元，其中廈門半導體投資集團以貨幣出資5.6億元，佔股70%；士蘭微以貨幣出資2.4億元，佔股30%。
項目總投資50億元，建設4/6英寸兼容先進化合物半導體器件生產線，主要產品包括下一代光模塊芯片、5G與射頻相關模塊、高端LED芯片產品。分兩期實施，其中，項目一期投資20億元，2019年底投產，2021年投產；項目二期投資30億元，計劃2021年啟動，2024年達產。
2018年10月18日，項目舉行開工典禮；2019年4月主廠房封頂；6月進入設備安裝調試階段，砷化鎵與氮化鎵芯片產品已分別於10月18日、12月10日正式通線點亮。
2、產能爬坡篇
英諾賽科（珠海）科技有限公司
（英諾賽科珠海，8英寸，氮化鎵）
2019年8英寸硅基氮化鎵生產線產能進一步提升，公司現有三臺世界領先的針對8英寸硅基氮化鎵外延的產業化設備G5+ MOCVD機臺。
2017年11月9日，英諾賽科（珠海）科技有限公司8英寸硅基氮化鎵生產線通線投產。主要產品包括8英寸硅基氮化鎵晶圓及100V-650V氮化鎵功率器件。
株洲中車時代半導體有限公司
（株洲中車，6英寸，碳化硅）
株洲中車時代半導體有限公司成立於2019年1月18日，承接株洲中車時代電氣股份有限公司半導體事業部的現有資產、負債及業務。專業從事大功率半導體器件的研發與製造，是我國最早開發大功率半導體器件的單位之一，全面掌握晶閘管、整流管、IGCT（集成門極換流晶閘管）、IGBT（絕緣柵雙極晶體管）、SiC（碳化硅）器件及功率組件全套技術。
2018年1月，在中國科學院微電子研究所的技術支持和協助下，株洲中車6英寸碳化硅（SiC）芯片生產線順利完成技術調試，廠務、動力、工藝、測試條件均已完備，可實現4英寸及6英寸SiC SBD、PiN、MOSFET等器件的研發與製造。這是國內首條6英寸碳化硅生產線。
生產廠房2017年8月交付使用，12月SiC芯片生產線便完成了工藝設備技術調試，2018年1月首批芯片試製成功。
蘇州能訊高能半導體有限公司
（蘇州能詡，4英寸，氮化鎵）
2019年5月，蘇州能訊高能半導體有限公司4英寸氮化鎵芯片產線建成。
蘇州能訊高能半導體有限公司3英寸氮化鎵器件生產線於2011年開始建設；2013年試生產，2014年投產，2015年開始批量生產。2017年開始轉換4英寸。
能訊半導體採用整合設計與製造（IDM）的模式，自主開發了氮化鎵材料生長、芯片設計、晶圓工藝、封裝測試、可靠性與應用電路技術。目前完成了面向5G通信系統的技術與產品的積累，產品性能已通過國際一流通訊企業的測試與認證。
江蘇能華微電子科技發展有限公司
（江蘇能華，4/6英寸，氮化鎵）
2017年11月15日公司生產線正式投產後，產能一直在穩定提升中。
江蘇能華微電子科技發展有限公司是專業設計、研發，生產、製造和銷售以氮化鎵（GaN）為代表的複合半導體高性能晶圓、以及用其做成的功率器件、芯片和模塊的高科技公司。
3、在建篇
英諾賽科（蘇州）半導體有限公司
（英諾賽科蘇州，8英寸，氮化鎵/碳化硅）
2019年8月29日主廠房封頂，預計12月底生產設備正式進廠，2020年投產。
2018年6月23日開工，計劃在5年內完成投資60億，達產後，月產能達6萬片。項目將聚焦在氮化鎵和碳化硅等核心產品，目標是打造一個包括理論研究、材料研發與製造、器件設計、芯片製造、封裝測試、失效分析和應用驗證等全產業鏈半導體研發基地。為5G通信、新能源汽車、智能製造、人工智能、電子信息、大數據等領域提供更先進的、高效、節能和低成本的核心半導體芯片。
北京世紀金光半導體有限公司
（世紀金光，6英寸，碳化硅）
2018年2月1日，北京世紀金光半導體有限公司6英寸碳化硅器件生產線成功通線。截止目前，工藝還在調試中。
北京世紀金光半導體有限公司成立於2010年12月24日，其前身為中原半導體研究所。公司主營寬禁帶半導體晶體材料、外延和器件的研發與生產。
濟南富能半導體有限公司
（富能半導體，6英寸，碳化硅）
2019年12月4日，富能半導體一期項目成功封頂。
2019年3月15日，富能半導體一期項目舉行樁基工程。據悉一期項目投資60億元，建設月產3萬片8英寸硅基半導體功率芯片（MOSFET、IGBT）和月產一千片的6英寸碳化硅功率器件的產能，產品覆蓋消費、工業、電網以及新能源車的應用，計劃2020年底實現量產。
富能半導體成立於2018年11月8日，法人代表陳昱升，持股40%，另60%的持有人是濟南富傑產業投資基金；富能半導體項目規劃建設月產10萬片的兩個8英寸廠及一個月產5萬片的12英寸廠。
濟南富傑產業投資基金的股東包括濟南產業發展投資集團有限公司、思華（北京）投資管理有限公司、富士邁半導體精密工業（上海）有限公司、鴻富晉精密工業（太原）有限公司、訊芯電子科技（中山）有限公司。
富士邁半導體、鴻富晉、訊芯電子都是富士康集團的關聯企業，這也說明該項目確實和富士康有一定的關係。
4、規劃篇
上海積塔半導體有限公司
（積塔半導體，6英寸，碳化硅）
積塔半導體特色工藝生產線項目總投資359億元，目標是建設月產能6萬片的8英寸生產線和5萬片12英寸特色工藝生產線，還將建設一條6英寸碳化硅生產線，將在國內首家實現12英寸65納米BCD工藝，建設一條汽車級IGBT專用生產線。
產品重點面向工控、汽車、電力、能源等領域，將顯著提升中國功率器件（IGBT）、電源管理、傳感器等芯片的核心競爭力和規模化生產能力。
5、停擺篇
北京雙儀微電子科技有限公司
（北京雙儀，6英寸，砷化鎵）
目前項目終止。
2018年7月30日，北京雙儀微電子科技有限公司宣佈擬投資10億元，租賃北京燕東微電子科技有限公司的部分廠房建設具備規模化量產能力的先進工藝技術生產線，進行6英寸砷化鎵微波集成電路（GaAs MMIC）芯片的代工服務，該項目預計於2019年初投產使用，規劃每月2萬片產能。
北京雙儀微電子科技有限公司是一家技術初創公司，旨在為5G和IoT毫米波市場領域所遇到的挑戰開發出新的解決方案，提供高性能的射頻組件。
2020年特別關注項目
2020年關注以下項目，看命運如何？
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