據韓國媒體報導，三星電子的領導人李在鎔(Lee Jae-yong) 今日討論了三星將計劃首發3nm GAA 製程芯片的戰略計劃。
該報導稱，李在鎔昨日參觀了三星電子位於京畿道華城(Hwaseong) 的半導體研發中心。這也是李在鎔在2020 年的首個官方行程，期間他聽取三星電子3nm 製程技術報告，並與半導體部門主管討論了新一代半導體戰略。
據三星電子稱，李在鎔討論了三星計劃採用正在研發中的最新3nm GAA 製程技術來製造尖端晶片的計劃。GAA 被認為是當前FinFET 技術的升級版，能確保芯片製造商進一步縮小體積。
去年4 月三星電子完成了採用EUV 的5nm FinFET 製程技術的研發。如今該公司正在研究下一代製程技術(即3nm GAA)。三星電子表示，與5nm 製程相比，3nm GAA 技術的邏輯面積效率提高了35% 以上，功耗降低了50%，性能提高了約30%。
此舉也呼應三星先前所說的，將全力進攻非DRAM 與NAND Flash 晶片的半導體市場，在去年，三星宣佈了一項摺合美金高達1118.5 億美元的投資計劃，目標是要讓三星能夠成為全球最大的半導體芯片製造商。
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