沙子：硅是地殼內第二豐富的元素，而脫氧後的沙子(尤其是石英)最多包含25％的硅元素，以二氧化硅(SiO2)的形式存在，這也是半導體制造產業的基礎。▼
硅熔鍊：12英寸/300毫米晶圓級，下同。通過多步淨化得到可用於半導體知道質量的硅，學名電子級硅（EGS），平均每一百萬個硅原子中最多隻有一個雜質原子。此圖展示了是如何通過硅淨化熔鍊得到大晶體的，最後得到的就是硅錠（ingot）▼
單晶硅錠：整體基本呈圓柱形，重約100千克，硅純度 99.9999％。▼
硅錠切割：橫向切割成圓形的單個硅片，也就是我們常說的晶圓 (Wafer)。順便說，這下知道為什麼晶圓都是圓形的了吧？▼
晶圓：切割出的是晶圓經過拋光後變得幾乎完美無瑕，表面甚至可以當鏡子。事實上，intel自己並不生產這種晶圓，而是從第三方半導體企業那裡直接購買成品，然後利用直接的生產線進一步加工，比如現在主流的45nm HKMG（高K金屬柵極）。值得一提的是，intel公司創立之初使用的晶圓尺寸只有2英寸/50毫米▼
光刻膠(Photo Resist)：圖中藍色部分就是在晶圓旋轉過程中澆上去的光刻膠液體，類似製作傳統膠片的那種。晶圓旋轉可以讓光刻膠鋪的非常薄、非常平。▼
光刻：光刻膠層隨後透過掩模(Mask)被曝光在紫外線(UV)之下，變得可溶，期間發生的化學反應類似按下機械相機快門那一刻膠片的變化。掩模上印著預 先設計好的電路圖案，紫外線透過它照在光刻膠層上，就會形成微處理器的每一層電路圖案。一般來說，在晶圓上得到的電路圖案是掩模上圖案的四分之一。▼
光刻：由此進入納米尺寸的晶體管級別。一塊晶圓上可以切割出數百個處理器，不過從這裡開始把視野縮小到其中一個上，展示如何製作晶體管等部件。晶體管相當於開關，控制著電流的方向。現在的晶體管已經如此之小，一個針頭上就能放下大約3000萬個。▼
溶解光刻膠：光刻過程中曝光在紫外線下的光刻膠被溶解掉，清除後留下的圖案和掩模上的一致▼
蝕刻：使用化學物質溶解掉暴露出來的晶圓部分，而剩下的光刻膠保護著不應該蝕刻的部分。▼
清除光刻膠：蝕刻完成後，光刻膠的使命宣告完成，全部清除後就可以看到設計好的電路圖案。▼
光刻膠：再次澆上光刻膠(藍色部分)，然後光刻，並洗掉曝光的部分，剩下的光刻膠還是用來保護不會離子注入的那部分材料。▼
離子注入（ion implantation）：在真空系統中，用經過加速的，要摻雜的院子的離子照射（注入）固體材料，從而在被注入的區域形成特殊的注入層，並改變這些區域的硅的導電性。經過電場加速後，注入的離子流的速度可以超過30萬千米每小時。▼
清除光刻膠：離子注入完成後，光刻膠也被清除，而注入區域(綠色部分)也已摻雜，注入了不同的原子。注意這時候的綠色和之前已經有所不同。▼
晶體管就緒：至此，晶體管已經基本完成。在絕緣材(品紅色)上蝕刻出三個孔洞，並填充銅，以便和其它晶體管互連。▼
電鍍：在晶圓上電鍍一層硫酸銅，將銅離子沉澱到晶體管上。銅離子會從正極(陽極)走向負極(陰極)。▼
銅層：電鍍完成後，銅離子沉積在晶圓表面，形成一個薄薄的銅層。▼
拋光：將多餘的銅拋光掉，也就是磨光晶圓表面。▼
金屬層：晶體管級別，留個晶體管的組合，大約500納米。在不同晶體管之間形成複合互連金屬層，具體佈局取決於相應處理器所需要的不同功能性。芯片表面看起來異常平滑，但事實上可能包含20多層複雜的電路，放大之後可以看到極其複雜的電路網絡，形如未來派的多層高速公路系統。▼
晶圓測試：內核級別，大約10毫米/0.5英寸。圖中是晶圓的局部，正在接受第一次功能性測試，使用參考電路圖案和每一塊芯片進行對比。▼
晶圓切片(Slicing)：晶圓級別，300毫米/12英寸。將晶圓切割成塊，每一塊就是一個處理器的內核(Die)。▼
丟棄瑕疵內核：晶圓級別。測試過程中發現的有瑕疵的內核被拋棄，留下完好的準備進入下一步。▼
裝箱：根據等級測試結果將同樣級別的處理器放在一起裝運。▼
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