12.02 感謝美國的封鎖!如今我國又多一項自主研發,真是有力的回擊


感謝美國的封鎖!如今我國又多一項自主研發,真是有力的回擊

感謝美國的封鎖!如今我國又多一項自主研發,真是有力的回擊

就在上週五,華為被媒體爆出來要去IGBT廠商裡挖人,自己搞(自主研發),全行業的眼球都湊了過來。


IGBT到底是什麼鬼?愛個變態嗎?(笑)

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這東西的全稱是絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor),簡單的說是雙極型三極管(BTJ)+絕緣柵型場效應管(MOS)=IGBT。這是一種神奇的半導體元件,一般應用在不間斷電源UPS和變頻器上。


這段是否看蒙圈了,再直白一點這個IGBT有個響亮的外號——電子裝備的“CPU”,膩害不?但這東西還是非常有專業壁壘的,咱們國家能造出來的公司非常少(特別是高壓大功率IGBT)。可以說目前從需求端看全球功率半導體市場我國佔50%,而從供給端看能國產替代少之又少。所以IGBT早早被納入了國家戰略新興產業。無論是軌道交通、新能源車、智能電網等二級市場上熱起來的大部分板塊,都需要採購IGBT。因為本質上說那個上個世紀80年代起,IGBT的核心就是晶閘管結構。40多年過去了IGBT的發展就是核心材料——硅片的發展。


目前,這種膩害的特殊硅片材料,具有較高的生產壁壘。其中區熔硅佔90%,碳化硅(SiC)佔10%,別小看這10%,正是前文中所提高壓大功率IGBT的核心材料。對於我們需求量大的這個區熔硅,其實生產壁壘很高。國內只有少數廠家如中環股份、有研新材以及中國電科46所(主要軍用,你懂的)可以生產。


區熔硅這個提法其實菠菜聽上去比較彆扭,還不如叫區熔法制備單晶硅。與之對應的是直拉法制備(中國第一個8寸單晶硅出自中環)。區熔其實就是不用石英坩堝改用電磁感應加熱多晶硅,讓單晶懸浮式生長(如下圖)。這樣的好處是出來的單晶硅純度高、含氧少、含碳量低,出來的單晶硅自然電阻率低壽命長,受到市場歡迎。

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而在國內市場IGBT一旦產能擴大,自然會帶動上游硅片的需求量增加,特別是這個賽道並不擁擠。從下游看除了剛喊出口號的華為,比亞迪、中國中車、臺基股份都有涉及。但比亞迪乾的是碳化硅粉,整個弄上下游產業鏈菠菜認為沒個三、五年夠嗆。在IGBT領域臺基的優勢更明顯一些。不過,如果IGBT真不賺錢,比亞迪也不會傻到喊出讓其單獨上市的口號,足見現在是整體處於景氣週期內的行業。


還有個問題,我國生產的能否賣給外國客戶?


人家買不買你還是主要看你產品質量和性能,好用誰都買。國際對手技術成熟,產量大,比如德國wacker(18噸/月)和日本信越(11噸/月)產能都很大。就龍頭中環而言,整個行業市場的容量是6億美金區熔單晶硅片,中環自身的優勢還是在6、8英寸硅片,因為主要客戶是比亞迪、中車。也就是說搶一下以前外資在國內的客戶,這條路走得通。週末我們團隊@星空下的大橙子老師文章從 光伏大硅片的產品角度分析了中環的財務狀況,而菠菜則認為中環目前的戰略階段是投入研發。


中環大的坩堝和拉晶設備都需要靠更大規模的訂單來降低生產成本。你總不能指望一個爬坡階段的公司去搞百米衝刺,就是這個道理。但中國公司的優勢在市場能力,說白了,就是會做銷售。這點整個電子產業,日韓都比不上中國企業,這也算是一種軟實力,至少客戶都認這一套。還有最重要的一點,市場在中國,早晚技術和產品也在中國。


任何生產製造都需要降低生產成本,一方面需要技術提升,另一方面就是需求端刺激。技術提升不是一兩天的事,但刺激在現階段可以有。一個不缺錢的企業,才能鋌而走險去幹技術創新,這是電子行業的基本規律。作為中線投資邏輯,去投不缺錢的企業一定不會吃虧。


電子產業下游企業一定會花精力整合供應鏈,比如華為這次邁出IGBT這步,也是對岸逼的。菠菜希望這波國產化的浪潮能在電子元器件行業中多帶動幾個龍頭,早日實現全部國產替代。

注:本文不構成投資建議,股市有風險,投資需謹慎,沒有買賣就沒有傷害。本文一些數據和區熔晶部分參考了《申萬宏源電新IGBT會議》內容。


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