段勇賓
晶振電路中的兩個小電容叫做晶振負載電容
晶振的負載電容大小一般是幾個皮法到幾十個皮法，需要選用NPO/G0G材質的電容
晶振負載電容怎麼確定大小？
負載電容的大小不是固定的，需要晶振的規格要求而定，晶振的規格書都標有負載電容的要求，一定要看清楚規格書，選擇匹配的負載電容。假如負載電容要求是12.5pF，晶振兩端的電容用20pF~24pF就差不多了
- 選擇NPO/G0G材質，溫度和高頻特性更好
- 公差當然是儘量選擇小的，最好選擇2%或者1%的。
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電子產品設計方案
晶振分為有源晶振和無源晶振，有源晶振需要供電不需要電容。無源晶振需要外接電容才可以起振。無源晶振典型的電路圖如下圖所示：
上圖中，晶振的兩個引腳接單片機的晶振引腳。在晶振的兩端接兩個瓷片電容，這兩個電容一般為15-30pF,成為起振電容。
如果單片機沒有特別說明，則選擇15-30pF的電容即可，否則要在單片機數據手冊的指導下進行電容選型。單片機的數據手冊都會介紹外接晶振的起振電路，如下表所示，就是單片機手冊上推薦的晶振電容的選擇方法。
根據所接晶振的頻率，選擇合適的電容。在設計電路時一定要多研究單片機的數據書冊。
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玩轉嵌入式
一.因為每一種晶振都有各自的特性，所以最好按照製造廠商所提供的參數來選擇外部器件。
二.允許範圍內，外部的這兩電容越小越好。值越小，起振時間越短，值越大，穩定性高。一般12MHZ的晶振可以選擇18pf或者22pf的電容。
三.晶振需要考慮分類，比如有源和無源。考慮等效電阻，負載電容，頻率偏差等。找份規格書多瞭解一下，就能學到很多。當然有點英語知識是必要的。
RIVO夜視儀
晶體的FL除以二 精密點的話FL=C/2+雜散電容 選材Npo
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