与非网 2 月 1 日讯，存储公司 Kioxia（原东芝存储）近日宣布，将在今年 Q1 送样 112 层TLC Flash芯片，这是第五代 BiCS Flash 3D 存储芯片。
第五代处理技术可提供 1T 比特（128G 字节）的 TLC 和 1.33T 比特的 4 位 / 单元（四级单元，QLC）器件。
112 层堆叠工艺技术在 96 层堆叠基础上增加了大约 20%的单元阵列密度。
它还可以将接口速度提高 50%，并提供更高的编程性能和更短的读取延迟。
第五代 BiCS FLASH 将在该公司的横滨工厂和新建的北川工厂生产。
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