中国的存储芯片步入量产阶段，预计到明年中国产的存储芯片将占全球市场份额5%左右，而在2018年及之前中国在这个行业几乎没有任何生产能力，这意味着经过数年的努力，中国在存储芯片市场迈出了从无到有的关键一步。
行业空间及发展趋势
1、先看闪存芯片赛道：闪存芯片主要的产品就是NOR、NADA，NOR目前市场规模在26亿美金，NAND目前的市场规模610亿美金，总体来时说行业空间还是比较大的，但是兆易创新目前的NOR Flash芯片主要以低端产品为主，未来提升空间较大。NOR Flash未来专注汽车，工业和物联网高成长细分市场,其中物联网以 16%-18%的增速。另外高级驾驶辅助系统（ADAS ） NOR 市场复合增速达到 28%，智能显示技术（AMOLED+TDDI）拉动 NOR Flash 市场规模在 2018-2020 年达到3.76 亿美元、4.30 亿美元、4.62 亿美元，NOR赛道发展趋势处在非常良好阶段。
2、DRAM赛道：DRAM目前是存储芯片赛道中市场空间最大的，已经达到了830亿美金。预计一期设计产能12万片/月，三期满产后->36万片/月。合肥长鑫的量产意味着兆易进军千亿美金DRAM赛道，NOR、NAND、DRAM存储全平台模式正式形成。
行业竞争格局
存储芯片产业技术含量高、规模效应明显，全球DRAM和NAND市场均表现出明显的垄断格局。其中DRAM市场的前三大厂商占据95%的市场份额，NAND市场的前五大厂商占据92%的市场份额。NOR存储芯片行业同样高度垄断，全球前五大巨头垄断了近50%的市场。根据19Q2数据，华邦（23.4%）、旺宏（23.2%）、Cypress（18.3%）、兆易创新（13.9%）以及美光（10.9%）。存储芯片的三个细分赛道当中兆易创新只在最小的NOR领域有一定的份额，另外两个份额较大的赛道几乎被国际玩家垄断，好在国内竞争对手有限并且兆易都有进行产业投资长江存储的NADA、合肥长鑫的DRAM。
国内存储器芯片发展加速
存储器作为半导体第一大细分领域，市场空间超过1200亿美元，但存储器行业均呈寡头垄断，国内厂商亟待突破。
存储器行业DRAM/NAND/NOR的资金和技术门槛高，在经历产业转移，企业兼并之后，目前呈垄断竞争格局。DRAM领域三星、SK海力士和美光三足鼎立，CR3（Current Rank 3，业务规模前三名的公司所占的市场份额，后面术语类似）超95%；NAND领域除了DRAM三巨头外还有东芝和西部数据，CR5达97%；NOR领域则由美光、Cypress、旺宏、华邦电和兆易创新垄断，CR5超90%。目前来看，除了NOR Flash有国内厂商身影，其他领域大陆企业均缺席，与国外的技术，规模等差距较大，自主产品亟待突破。
目前，国内布局的三大存储芯片基地，分别为专注于NAND Flash的长江存储（紫光集团旗下）、聚焦于DRAM的合肥长鑫和福建晋华（被美国制裁）。
合肥长鑫专注研发19nm DRAM，主攻移动式内存，这不仅是兆易创新存储芯片全平台的最后一块版图，也是国内20nm以下DRAM唯一厂商。若成功达成规划进度，合肥长鑫将成为继国际三寡头之后，全球第四家量产20nm以下DRAM的公司。未来规划最大产能为12.5万片12寸硅晶圆/月，预计将在全球DRAM市场占得约8%的市场份额，从而填补国产DRAM存储器在本国市场的空白。随着进口替代逐步完成，未来成长空间巨大。
紫光集团旗下长江存储今年9月宣布已开始量产基于Xtacking架构的64层3DNAND闪存，该产品采用长江存储自主知识产权的Xtacking架构技术，拥有同代产品中最高的存储密度和最快的I/O速度。据介绍，该芯片将广泛应用于手机，电脑，服务器，数据中心，智能汽车等领域，提供大容量，高速率，高耐久度的存储解决方案。这款产品的成功量产，也意味着中国在高端芯片设计制造领域零的突破。
另外，紫光集团也在今年6月底宣布成立DRAM事业群，加大布局DRAM存储器。紫光集团布局DRAM由来已久，旗下西安紫光国芯一直专注于存储器尤其是DRAM的产品技术研发，拥有从产品立项、指标定义、电路设计、版图设计到硅片、颗粒、内存条测试及售前售后技术支持等全方位技术积累。
8月27日，重庆市政府与紫光集团签订重庆紫光存储芯片产业基地项目合作协议，根据协议，双方将聚焦存储芯片领域开展全方位深层次合作。共同加大产业投资，在渝组建存储芯片领域核心产业集团，设立紫光国芯集成电路股份有限公司和重庆紫光集成电路产业基金。完善存储芯片产业链，在渝建设12英寸DRAM存储芯片工厂，布局包括DRAM总部研发中心在内的紫光DRAM事业群总部，建设紫光科技园，引入产业链上下游企业。
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