單軌帆
ASML否認斷供中國，實際上5月份就有一臺光刻機搬入了中芯國際。而ASML說出口光刻機需要荷蘭政府許可證，而中國許可證只是年底到期，他們正在續期。（在《瓦森納協定》的33國家，以及ASML股東英特爾、三星和臺積電可以獲得銷售，但是中國不在協定名單，所以需要許可證。上一臺機器也延遲交貨，原因是配件供應商火災）
光刻機的關鍵不在ASML
光刻機靠完全零部件自給基本是不可能完成的，即使我們現階段90納米以上的光刻機，你依然要依賴大量的國外進口配件。如今最先進的紫光EUV光刻機（其實紫光光刻機不是隻能做7nm芯片，如果你技術跟上，你可以做3nm芯片。），其大量技術本身來自於西方各國，90%的配件對外採購，可以說，他是西方工業化百年集大成者。所以，不要盯著ASML。
比如紫光技術，就是來自於美國國防部的技術，是星球大戰計劃的時候產生的技術。光束要達到一定級別是很難的。
比如集成電路曝光線路，早期是英特爾七叛逆時代和肖克利實驗室的成就（也就是光刻技術的起點，也是摩爾定律的起點）。
比如浸沒式光刻技術是從臺積電過來的，這個創意提出後由ASML實踐。
比如專用反光鏡片需要非常精細的精工技術，所以大部分鏡片來自蔡司工業。這家公司從1846年就專注在鏡片這個領域，不是隨便一家公司能夠超越的。
比如那家配件供應商Prodrive,元器件提供商，總部在荷蘭，美國和中國蘇州都有分公司。
比如新邦電子（臺灣）、光罩股份（臺灣）、布魯克斯自動化（瑞典）、sparton公司（美國）、貳陸股份（美國）、尼康（日本）。還有很多，這只是很小的一部分。
所以實際上，如今這個產業鏈當中，也就芯片製造業如今掌握在西方整個工業手裡，樹立了專利壁壘強。這裡面不只是專利，而且還有精工元器件，德國很多企業不申請專利，因為他們怕申請專利被人抄襲，所以這些技術是硬技術，他們自信你追是追不上的。你要向上追，那麼你在每個行業都要積累百年的技術。
日本做到黃光，最後無法再往紫光挺近。日本尼康當年也是供應英特爾光刻機的。但是做到後面逐漸趕不上了。日本國內的普遍看法是，光刻機上面日本太過封閉了，太講工匠精神，沒有融入全球化產業鏈當中。很多的技術，即使日本人很努力的，終身僱傭制的專家奮鬥一輩子，他們也沒有攻克技術壁壘。
所以日本人常說，99分和100分的技術，差距是很大的。而中國現在90分。
我們怎麼辦？
既然《瓦森納協定》有33個國家，簽署過累積有42個國家，墨西哥、阿根廷都在列，那麼增加這方面的投入，加入進去應該是可以的。首先要進入規則，然後通過技術實力來主導規則或者改變規則。也可以通過像英特爾、三星和臺積電的做法，反向用技術和資本來資助ASML，來主導整個摩爾定律。
財經紙老虎
國望光學、上海光機所（上海微電子），長春光機所參與研發的國產光刻機已於2017年首次曝光成功，且曝光光學系統在整機環境下已通過驗收測試，目前90納米國產高端光刻機已順利驗收交付。上海微電子自主生產的SSA600/20光刻機，可以用來加工90nm製程工藝的芯片，如果用來生產軍用和航天芯片，那一點問題也沒有，但是如果用來製造消費類電子芯片，那隻能死路一條，我國能夠實現的大規模商業化精度僅僅只達到了90nm，與國外頂級商業化生產差距至少達到了10年
而中國目前最新的65nm光刻機還在設備驗證階段，但這也為中國自主研發28nm雙工件乾颱式及浸沒式光刻機奠定了基礎。
還有最近中國自主研發的14nm先進製程工藝光刻機已經初步通過專家組的驗收和審核，但是如果需要實現量產仍然需要一段時間。
但是，對於中國來說，這是一個極大的進步。而這也讓三星非常羨慕，因為韓國尚無法研發光刻機。讓華為、中興等如虎添翼。
未來中國的光刻機將不再受制於人。
還有華中科技大學的甘棕松教授已經用跟ASML公司完全不同的技術路線，首次在世界範圍內實現了單線9納米線寬的超分辨光刻，而且成本只是動輒1億美元的主流光刻機的幾分之一，國產9納米光刻機即將出現。
科技狗弟
光刻機技術，荷蘭ASML公司是目前全球最先進的企業 ，其提供的光刻機技術已經達到7nm水平，目前國內有關光刻機技術還處於90nm工藝水平，要達到28nm工藝水平，也需要藉助國外光刻機實現。目前中芯國際，華虹集團已經實現28nm光刻機量產，14nm工藝研發也已完成，他們在國內的年銷售額位居第一和第二。
那麼中國光刻機技術和國外的差距水平到底有多大？根據中科院院士劉明的說法，目前國內光刻技術與國外差距大約15~20年，劉明院士坦言，目前光刻技術是整個集成電路中我們與國外差距最大的。 目前荷蘭一臺機七nm光刻機，價值1億多美元，而且是全球唯一供貨商，目前被終止交貨的這臺光刻機，按照計劃將於年底交付，價值1.2億美元，近9億人民幣，是目前世界上最先進的，不僅中國，韓國，日本和美國等先進國家也要從荷蘭進口，這部光刻機關鍵零件，來自美國，德國，瑞典，法國，這些全球頂級零配件，全都禁止出口中國，所以ASML公司自信地說，“即便給你全套的圖紙，你也造不出來”。
即使中芯國際擁有一臺7nmmASML光刻機，也有很多使用限制，不能自主CPU代工，也不能給龍芯，申威，等自主CPU代工或者商業化量產，在很大程度上，影響了自主技術的發展，如果失去先進光刻機技術，中芯國際就無法進軍國際高端市場。中國在許多科技領域，都曾經被外國人卡脖子，但是中國人民有志氣有能力，經過廣大科技工作者的不懈努力，一步步攻關，終究克服了困難，趕超世界先進水平，甚至實現彎道超車，如中國的高鐵技術，5G技術，就是在壓力下取得的成果，有壓力才有動力 ，中國科學家有能力，克服困難，研製出自己的光刻機。
中科院光電技術研究所研究員胡松，在接受記者採訪時說，“如果國外禁運，我們也不用怕，因為我們這個技術再走下去，我們認為可以有保證。在芯片未來發展，下一代光機電集成芯片，或者我們說的廣義芯片，有可能彎道超車，走在前面”。值得一提的是，中國科技人員研製成功了九nm光刻實驗樣機，是一種功能非常強大的光刻機，是一種沒有參考任何西方技術新思路，新方法，其光刻技術與目前的主流光刻技術不同，波長更長，成本更低，在這方面，如果發展順利，很有可能實現彎道超車，不但技術領先，而且可以大幅降低光刻機成本。
面對中國的崛起，西方大國，怕得要死，恨得要命，千方百計阻礙中國發展的腳步，用禁運和封鎖卡中國的脖子，但是他們的陰謀不會得逞，正如偉人所說的一句話：“封鎖吧！封鎖它十年，八年，中國的一切問題都解決了”！
藍色的憂傷
藍色的憂傷U3
世界頂級的光刻技術是5納米，實用產業階段的是7納米，美國和日本自己過去研製的達到14納米，但是已經放棄了繼續研發的想法，我們的多種原因的影響，直到這一兩年來取得了突破，已經達到了22納米級別，算是在世界上屬於第三梯隊的存在，跟先進的還是有不小的差距，這一點不得不面對現實。
去年年底跟荷蘭方面談攏了購買荷蘭7納米級別的光刻機，荷蘭方面口頭答應了賣給我們，只是在後來這家公司倉庫突然異常失火，加上這幾天突然宣佈顧及到美國的感受，所以暫停售賣我們光刻機，雖然說第二天又改了一個說法是重新申請出口許可的原因，其實意思很明顯就是想賣賣不出來，不想得罪美國又不想失去中國市場不想引起中國方面的反感，所以就換了一個好聽一點的理由而已。
核心技術我們仍然被卡脖子，不能把科技希望寄託到別人身上，特別是這種現實應用型尖端設備，對科技發展影響巨大的東西，更應該掌握在自己手中比較好，有求於別人其實是非常被動的，要看別人的心情和臉色，這種感覺是相當不舒服和憋屈的，知恥後勇發奮圖強是我們現在最需要做的一件事，自己不能掌握先進技術永遠會是被動的無奈的。
光刻機技術的難點來自三個方面，一個是穩定的光源，一個是穩定和精密度極高的工作平臺，一個是光刻機的鏡頭鏡片工藝，這三個是影響光刻機突破的最大難度，光源還好說，我們國內的激光技術非常厲害，對於光刻機的穩定光源其實難度並不是特別大，我們的問題出現在鏡片和工作臺的精密度上面。
這就要涉及到了尖端精密機床加工工藝，和材料學上面了，鏡片打磨需要非常精密的加工工藝才行，荷蘭光刻機上的鏡片就是德國提供的，有科學家曾經說過，光刻機鏡片的平整度要求極高，就好比把鏡片放大到200平方公里的面積，表面的不平度要在十釐米以內，這是什麼樣一個概念可想而知，要多厲害的精密機床才能做出來，而我們缺少的就是這種機床。
國內的機床水平其實跟日德美還是有差距的，這也是導致了許多的東西被卡脖子，還有就是在材料工藝的處理上面，在這上面其實也是影響巨大的，雖然說我們已經突破了22納米，但是離7納米還有兩個級別的差距，不要小看這兩個級別，差距比較大的，更不用說5納米級別了，所以說我們需要努力的地方還很多，不過相信我們的聰明才智，別人能做到的我們也一定能，只是需要一點時間，還需要花更多的心思才行。
無法超越的足跡
如下圖，在光刻機技術上，分為如下四個檔次，高端是指7-28nm，超高端是指7/5nm，中端是65nm+，低端是90nm+。
所以中國沒有高端光刻機，甚至連中端都沒有，只有低端光刻機，目前能夠生產出來的還是在90nm技術，還在攻關65nm技術。
目前國內排名前三的光刻機廠商分別是上海微電子裝備(SMEE)、合肥芯碩半導體有限公司、無錫影速半導體科技有限公司。
先說一說上海微電子裝備(SMEE)，是國內最先進的光刻設備生產商了，但也只能提供最高90mn的工藝技術，在整體水平上處於低端水平。
而合肥芯碩半導體有限公司成立與2006年4月，是國內首家半導體直寫光刻設備製造商。該公司自主研發的ATD4000，已經實現最高200nm的量產。
無錫影速成立與2015年1月，也已經實現最高200nm的量產，所以說中國的水平離國際水平真的差太遠太遠。
從90nm到7nm/5nm，10年9年的差距至少有吧，說不定時間更長。
可見，要想達到ASML的水平，真的是和萬里長征差不多，還剛剛起步，但不管再難，也得繼續研究，畢竟自己沒有，就要被人卡脖子啊。
最後提一提90nm後的一些技術，按照專家的說法，從90nm到65nm不會太難，但從65到45nm就有點難了。
而從45nm到32nm也不難，而從32到22nm就又了，而在這之後，更是一步一臺階，越來越難，尤其到達EUV，也就是極紫外光刻機，就是真正的大臺階了
互聯網亂侃秀
首先確認一點，我國不存在高端光刻機！
全球光刻機領域背景
全球光刻機領域如果按照高中低來區分的話，我國排位最末，整體處於低端水平；中端市場則有日本的尼康和佳能把控，這兩家在過去的10年中進展不利（主要燒不起錢了，日本的經濟大家也知道），整體水平止步不前，最終不敵荷蘭的ASML，徹底退出高端領域。至於ASML就不說了，近10年來發展神速，已經徹底掌控了整個光刻機高端市場，佔了全球光刻機80%的市場份額，代工廠商想要使用最先進工藝來生產芯片，沒它的設備就不行。
我國光刻機發展情況
上海微電子（SMME）：這是我國唯一具備光刻機整機生產能力的廠商，2002年時零起步，現在能生產支持90nm工藝的光刻機（SSA600/20），這個工藝相對於ASML最先進的7nm光刻機可以說差距相當大。如果按採用光源來計算代差，那麼至少差了3代。
當然，SMEE前進步伐不可阻擋，最新消息顯示現在已經完成了65nm製造工藝的研發，未來1-2年可量產，而28nm的工藝已經在研發中。
就我國的現狀而言，人家已經在研發5nm工藝的光刻機，而我們還在研發28nm的工藝，這當中還差了14nm、12nm、10nm、7nm這些工藝。所以，單就現在來說，我國根本就不存在什麼高端光刻機。
武漢光電國家研究中心：2018年時曾有消息稱，我國研製出了9nm光刻機，其實這是新聞的誤報，這則新聞裡所提到的技術其實是能光刻出9nm的線寬的線段，或許對光刻機研發有幫助，但和真正的光刻機風馬牛不相及。
最後看一下目前其他國產光刻機廠商的進展吧，見下圖。
光刻機發展核心要靠光學
上面提到的SMEE其實只是光刻機的系統製造商而已，其自身並不生產任何光刻機相關零配件，用直白的話說，SMEE本質上仍舊是全球採購然後組裝（當然這裡面並非沒技術含量）。因此，想要真正生產出高端光刻機，並且在零部件上不受制於人，不能僅靠SMEE，核心還是得提高我們整體制造業的水平。
尤其是光學器件，因為對光刻機來說，最核心的技術其實是對光學的應用，現代光刻機核心三大件是光源、鏡頭、光柵，這三項都屬於光學器件，分別由美德兩國掌握。日系廠商這2年沒有取得突破，核心問題也在這些零配件上，可以說這些技術內容直接卡了中日兩國的脖子。
因此，未來我國想要進軍高端光刻機市場，並且想要完全實現獨立自主，那麼勢必要在這些核心領域取得突破，否則今後仍舊會受制於人。
Lscssh科技官觀點：
最終想說我國的光刻機還處於較低的水平，但我們已經在快速的發展中，未來幾年應該能拉進和競爭對手的距離。同時，如果想要徹底擺脫被外國企業斷供的可能，那麼則需要更長的發展時間，需要國內整個製造業水平的提升，尤其是光學領域。
Lscssh科技官
中國目前並沒有高端光刻機呢。世界頂尖的光刻機源自ASML，其也是全球唯一可以供應 EUV 光刻機的半導體設備大商。
ASML光刻機年產量大概也就只有20來臺，價格不是一般的高昂，即便有錢也未必能買到。而目前臺積電與三星都已經導入 EUV 光刻機來實現 7nm 工藝高端芯片的量產。
國產光刻機巨頭--上海微電子
上海微電子主要從事半導體裝備、泛半導體裝備以及高端智能裝備的設計製造銷售，其中光刻設備是公司的主營業務，在光刻設備領域擁有全國最先進的技術。
ASML目前已實現7 nm EUV光刻先進工藝，並向5nm EUV製程工藝進發。而國內而言，上海微電子光刻設備領域擁有全國最先進的技術。亦是代表著國產光刻機的最高水平。由於起步較晚且技術積累薄弱，目前技術節點為90 nm，且多以激光成像技術為主，客觀上與國際先進水平存在較大差距。
中芯國際
國內比較薄弱的是半導體設計及製造，尤其是半導體工藝。目前臺積電、三星已經實現7nm工藝芯片量產，而中芯國際還在14/12nm中“徘徊”著。而更高性能芯片更依賴外有先進工藝。
中芯國際在高端工藝上是在不斷追趕，肩負著國內高端芯片製造的使命。中芯國際目前量產的最先進製程為14nm，而12nm已經取得重大突破。要想進一步提升，就需要在工藝上不斷進步。EUV光刻機主要用在7nm及以下製程，還得依靠ASML光刻機設備。要知道的是，7nm EUV 光刻機目前全球只有ASML一家公司有能力生產。
而目前ASML的EUV光刻機延遲交貨，對我國半導體產業的快速推進造成一定程度上的打擊，或也會牽涉到中芯國際在高端工藝技術的佈局與時程吧。
IT小眾
清華大學已經成功研製出了雙工件臺的光刻機，使我國光刻機名列世界第二，僅次於荷蘭的ASML公司的光刻機。
跪射俑
世界上最先進的光刻機來自於荷蘭的ASML，製程工藝為7nm，明年有望實現5nm。我國的高端光刻機來自於上海微電子，成熟的製程工藝為90nm，落後10年以上。
上海微和荷蘭ASML在光刻機上的差距，反映在中西方精密製造領域的差距。一臺頂級的光刻機，關鍵零部件來自不同的發達國家，美國的光柵、德國的鏡頭、瑞典的軸承等，可以說集人類智慧大成。由於《瓦森納協定》的限制，這些精密零部件和儀器對我國是禁運的。
荷蘭ASML光刻機
目前，光刻機領域的龍頭老大是荷蘭ASML，佔據了高達80%的市場份額，而最先進的EUV光刻機，全球只有ASML能夠生產，7nm製程工藝的EUV光刻機，單價超過了1億美元。
光刻機的技術門檻極高，整個設備的不同部位同時採用了世界上最先進的技術，德國的光學技術和超精密機械、美國的計量設備和光源設備等。ASML需要做的是精密控制，將誤差分散到13個系統，3萬個分件中，如果德國的蔡司光學設備不準、美國的Cymer光源不精，那麼ASML瞬間失去了精神。
不僅是技術難度高，ASML高端光刻機的產量很低，ASML還有個奇特的規定，只有投資ASML，才能獲得優先供貨權。三星、英特爾、海力士、臺積電在ASML有相當的股份，大部分訂單也被這些廠商佔有。
上海微電子
我國唯一一家研發光刻機的廠商是上海微電子有限公司，成立於2002年，所生產的光刻機主要集中於中低端市場。上海微最先進的光刻機是SSA600/20，製程工藝為90nm，相當於2004年奔騰四CPU的水平，距離全球最先進的7nm製程工藝還有一定的差距，ASML明年將量產5nm製程的光刻機。正因為如此，國內晶圓廠商所需的高端光刻機完全依賴進口。
中芯國際
說到光刻機，不得不提中芯國際，可以提供0.35微米到28nm製程工藝的晶圓代工服務。中芯國際已經突破了14nm製程工藝的技術，大規模量產有望在2021年實現。
中芯國際曾在2018年4月，在ASML成功預定一臺7nm EUV製程工藝的光刻機，價值1.2億美元，原計劃2019年年底交付，2020年中期完成安裝。
最近，ASML決定暫時終止向中芯國際交付EUV光刻機，原因可能是“擔心刺激到美國，將最先進的芯片設備運往中國，將會使美國政府感覺不安”。
總之，我國的高端光刻機技術與世界先進水平還有一定的差距。ASML暫停向中芯國際提供EUV光刻機，以及華為被美國列入實體名單，種種事件驗證了“自己有的才是真的，只要你突破了技術，就沒有人能卡住你的脖子”。
Geek視界
光刻機一臺售價1.2億美元，去年中國對荷蘭貿易順差600億美元，不行十倍加錢買一臺，做生意嘛，誰和錢有仇
