英特爾在過去兩個季度的強勁收益報告中均處於火爆狀態。但是，這家芯片製造商正面臨著來自Advanced Micro Devices（AMD ）和 臺積電 （TSA）的日益激烈的競爭 。

儘管如此，該公司的首席財務官仍然認為，英特爾已做好應對新挑戰的有利條件，這給該芯片製造商帶來了光明的未來。

10月下旬，英特爾報告了9月份季度收益，超出了華爾街的預期。該公司報告調整後的第三季度每股收益為1.42美元，而華爾街的平均預期為1.23美元。收入192億美元超出預期的181億美元。此外，這家芯片製造商的2019年指導方針超出了華爾街全年的預期。

當時，英特爾還表示，其雲計算客戶的需求有所改善。九月份季度，其雲計算部門的銷售額同比增長了3％，而上一季度則下降了1％。

上週五，今年4月被任命為英特爾首席財務官的喬治·戴維斯（George Davis ）被巴倫（Barron）的辦公室停下來，併為該公司令人振奮的未來打了基礎。

這是我們對英特爾高管採訪時的剪輯稿：

問：英特爾的雲計算業務在9月份季度有所改善。但是自該報告發布以來，我們已經有了幾個與軟雲相關的數據點-包括 Arista Networks 糟糕的指導以及 Facebook 的 資本支出預測低於預期。這些

戴維斯（Davis）：我無法對任何一個特定客戶和那裡的特定需求發表評論。Facebook（FB）可以說他們想要的任何內容。

但這不會改變我們對下一季度前景的看法。我們與整個生態系統有著密切的聯繫。我們試圖從與客戶直接進行的討論中反映出最佳估計。

問：英特爾的毛利率同比大幅下降。您如何看待未來每2到2.5年的新制造節點節奏產生的毛利率？[英特爾已經表示打算以更快的速度轉向下一代芯片製造技術]

戴維斯（Davis）：我們仍然熱衷於毛利率。從資本效率到我們設計產品的方式，無所不包。

不過，我們所說的10納米的延遲意味著一段時間內我們在單位成本上將處於不利地位。實際上，我們為2021年的毛利率提供了指導，以幫助人們瞭解

2023年是我們最終的指導時期，那時我們將看到非常強勁的收入增長和利潤率擴張。我們必須度過這個時期，因為我們沒有在所處的節點上對10納米進行一些後期調整，因為我們沒有對它進行優化。

但是，到那時，我們將在下一個節點上進行為期兩到兩年半的節奏。因此，我們正在增加7納米的支出，該支出將於2021年下半年開始，因為我們認為競爭是正確的做法。

因此，我們現在進行的投資使我們的效率降低了一點，並體現在了毛利率上。

問：我的行業聯繫人說，AMD的新羅馬服務器芯片在客戶中獲得了良好的吸引力。您能否評論未來幾年與AMD的芯片陣容和臺積電的芯片製造技術相比的競爭格局？

戴維斯（Davis）：我們說過，我們預計在未來18到24個月內將加劇競爭。我們的觀點反映了這一點。自從我們在5月份做出了長期預測以來，我們對競爭和影響的性質的看法並沒有真正改變。

問：對於英特爾未來幾年的未來技術，您最興奮的是什麼？大技術趨勢是什麼？

戴維斯（Davis）：我對AI感到非常興奮。AI的發展將反映出向5G轉移的所有用例以及設備之間的信息量。

讓我舉個例子。Mobileye（英特爾於2017年收購了Mobileye。該公司設計基於視覺的高級駕駛員輔助芯片和系統）既涉及出色的硬件技術，也涉及非凡的軟件。我們正在投入大量資金，而且很快就被採用了，以至於在短期內這實際上是一個誘人的回報，而從長遠來看卻是非常誘人的。

如果您在第二級和第三級[自動駕駛]上贏得設計大獎，那麼Mobileye在全球處於領先地位。

問：人工智能呢？

戴維斯（Davis）：英特爾具有的競爭優勢之一是將AI嵌入到至強處理器裡。考慮到我們在其中添加的功能，您可以得到9倍於競爭對手的功能，這是因為它已經過優化，並且我們已經這樣做很長一段時間了。

人工智能尚處於發展初期。我們有多個賭注，因此我們從多個角度進行研究。能夠查看哪個投資組合的解決方案對我們的客戶更有價值。

英特爾首席執行官談未來規劃

回到Bob Swan和10nm，7nm，5nm和3nm。在最近的電話

英特爾10納米產品時代已經開始，我們的新型第10代Core Ice Lake處理器正在引領潮流。在第三季度，我們還交付了首批10納米Agilex FPGA。到2020年，我們將繼續通過激動人心的新產品擴展我們的10納米產品組合，這些新產品包括AI推理加速器，5G基站SoC，用於服務器存儲和網絡的至強CPU和獨立的GPU。本季度，我們實現了首個獨立GPU DG1的推出，這是一個重要的里程碑。

按原定按計劃，我們將在推出10納米兩年後，也就是2021年推出首款基於7納米的GPU，這是一個面向數據中心的獨立GPU。當然，我們還在5納米的工程路線上走得很好。

回到分析日，我們嘗試了很多細節，其中之一是我們從10挑戰中汲取的經驗教訓，以及我們在思考時如何捕捉這些經驗教訓接下來的兩代人。但是首先，我們現在的關注點和精力在擴展10納米 左右。

而且，正如我們所說，在過去六個月中，我們對現有產能，即將投入生產的產品以及正在實現的收益感到非常滿意。因此，對於10納米，我們感覺真的很好。

其次，當我們將設計規則應用於7納米時，我們在密度方面不那麼積極。我們從14nm到10nm的學習是有後見之明的，那時我們試圖以2.7的比例進行擴展，這就導致最終在工廠環境中投入了太多的發明或革命性的節點，而無法滿足此類要求。我們從中吸取教訓是，當您注意到動態變化變得越來越具有挑戰性時，我們無法達到那些真正激進的目標。從10nm中，我們學到了很多東西。我們過渡到10nm，我們將其納入7nm，設計規則減少了複雜性，並且在最近幾年中，我們一直在投入EUV。

光刻是挑戰。我們已經使用了幾年的EUV，並且我們希望在規模達到7nm時使用EUV。我們表示，我們的第一個產品將在本季度起兩年後使用。因此，到2021年第四季度，我們的首款7納米產品將會問世，我們的期望是，我們將從7nm以後的產品中恢復兩年的節奏。我們已經從10納米中學到了很多東西，我們在5月份就說了，今天我們重申了這一點，我們希望至少可以回溯到兩年到兩年半的節奏。接下來的幾個節點。

Bob Swan強調，英特爾的底線是在沒有EUV的10nm工藝上擁有2.7倍的縮放率，設計規則對於工藝成熟度而言過於複雜。經過四年的延遲，Intel 10nm終於進入了HVM，而7nm也在順利進行中。EUV在臺積電（TSMC）的HVM中，臺積電（TSMC）進行了繁重的EUV提升，因此我有信心英特爾有望在2021年2H獲得7nm工藝。

英特爾7納米將為FinFET，但英特爾5納米將為（horizontal nanosheets）和英特爾3納米CFET。絕對是英特爾未來的有趣時刻！

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