在三星上週紙面預覽了其3nm工藝後，臺積電也毫不示弱，業內人士稱，
臺積電年底前會敲定南部科技園的30公頃土地（30萬平米），隨後啟動3nm晶圓廠的建設。
目前，臺積電的12寸超大晶圓廠有六座，分別是總部及晶圓十二A廠、研發中心及十二B廠、晶圓十四廠、晶圓十五廠、晶圓十六廠（南京）和晶圓十八廠。
在7nm世代取得大捷後，臺積電在上週的財報會議上表示，5nm的進度比7nm更順利，產能也會提至新高。
關於3nm的技術細節，臺積電尚未披露。至少三星方面稱，FinFET（鰭式場效晶體管，華人科學家、前臺積電CTO胡正明教授發明）會在4nm LPE之後走到盡頭。他們提出的新解決方案是GAA MCFET（多橋通道FET），且有3 GAAE（GAA Early）和3 GAAP（GAA Plus）兩代。
2010年，Bulk CMOS工藝技術在20nm走到盡頭，胡正明發明的FinFET和FD-SOI工藝。
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