前不久，长江存储联席首席技术官程卫华日前在接受媒体采访时表示，长江存储生产正如期推进，能够在2019年底前大规模生产64层3D NAND。言下之意，原定2018年的计划，已经跳票一年。
“长江存储的大规模生产NAND Flash的计划进展顺利，没有任何障碍。我们已经制定了大规模生产计划。”程卫华表示。由长江存储主导投资的3D NAND Flash厂，总投资额240亿美元，位于武汉东湖高新区的武汉未来科技城，占地1,968亩，将建立三座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash厂房，一座总部研发大楼和其他若干配套建筑，第一期2018年建成启用投产，2020年全部完工，月产能将达30万片，年产值将超过100亿美元。同时也将成为全球最大单一NAND晶片制造厂。
硬件确实建设的非常壮观。可是人才引进和科研成果还是乏善可陈。
目前，三星、东芝/西部数据、美光/英特尔、SK海力士等已经开始量产96层3D NAND。三星计划在今年下半年推出100层NAND Flash。而此前有消息称西部数据和东芝已开发出128层512Gb 3D TLC NAND裸片，是东芝下一代3D NAND技术，被命名为BiCS5。
如果长江存储能够在2019年底成功批量生产64层NAND Flash，一些媒体认为，长江存储与三星的技术差距将大幅缩小至两年左右。我认为这纯属白日做梦。你要明白，虽然长江存储达到64层的时间点，距离三星曾经达到的时间点确实是2-4年，但是三星已经量产96层/128层 3D TLC，也许96层/128层 3D QLC也已经研究的差不多，而生产工艺端，可能已经突破5nm EUV FinFET工艺。人家是淘汰一代、量产一代、研发一代、预研一代，我们其实落后人家3代。
计算仅仅差2年，但是要知道一代产线的生命周期也就是2-4年。落后一代，可能导致代代落后，产生不了商业价值。
因此，笔者看来，长江存储的突围之路还遥遥无期。
怎么办？
祝福他们吧！
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