11月29日，中科院光電技術研究所宣佈，其承擔的國家重大科研裝備研製項目“超分辨光刻裝備研製”通過驗收。
這是世界上首臺用紫外光源實現了22納米分辨率的光刻機。突破了多項關鍵技術，其採用365納米波長光源，單次曝光最高線寬分辨力達到22納米，結合多重曝光技術後，可用於製造10納米級別的芯片！光刻機是製造芯片的核心裝備，我國在這一領域長期落後。它採用類似照片沖印的技術，把母版上的精細圖形通過曝光轉移至硅片上，一般來說，光刻分辨力越高，加工的芯片集成度也就越高。但傳統光刻技術由於受到光學衍射效應的影響，分辨力進一步提高受到很大限制。為獲得更高分辨力，傳統上採用縮短光波、增加成像系統數值孔徑等技術路徑來改進光刻機，但技術難度極高，裝備成本也極高。
項目副總設計師胡松介紹，中科院光電所此次通過驗收的表面等離子體超分辨光刻裝備，打破了傳統路線格局，形成一條全新的納米光學光刻技術路線，具有完全自主知識產權，為超材料/超表面、第三代光學器件、廣義芯片等變革性領域的跨越式發展提供了製造工具。
經過近6年艱苦攻關，在無國外成熟經驗可借鑑的情況下，項目組突破了高均勻性照明，超分辨光刻鏡頭，納米級分辨力檢焦及間隙測量，超精密、多自由度工件臺及控制等關鍵技術，完成了國際上首臺分辨力最高的超分辨光刻裝備研製。
專家組一致認為：
- 項目組按照實施方案的要求，圓滿完成了超分辨光刻裝備的研製工作，裝備所有技術指標均達到或優於實施方案規定的考核指標要求，關鍵技術指標達到超分辨成像光刻領域的國際領先水平。
- 項目在原理上突破分辨力衍射極限，建立了一條高分辨、大面積的納米光刻裝備研發新路線，繞過了國外高分辨光刻裝備技術知識產權壁壘，實現了我國技術源頭創新，研製出了擁有自主知識產權、技術自主可控的超分辨光刻裝備。
- 項目組突破了超分辨光刻鏡頭、精密間隙檢測、納米級定位精度工件臺、高深寬比刻蝕和多重圖形配套光刻工藝等核心關鍵技術，加工分辨力已延伸到10nm以下。
- 利用超分辨光刻裝備，為多家單位制備了一系列納米功能器件，驗證了超分辨光刻裝備納米功能器件加工能力，已達到實用化水平。專家組一致同意項目通過驗收。
據瞭解，這種超分辨光刻裝備製造的相關器件已在中國航天科技集團公司第八研究院、電子科技大學、四川大學華西醫院、中科院微系統所等多家科研院所和高校的重大研究任務中得到應用。（來源：材料科學與工程公眾號，綜合報道）
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