三星宣佈推出用於遊戲筆記本的10納米級DDR4 SO-DIMM

三星電子有限公司宣佈已開始批量生產業內首款用於遊戲筆記本電腦的32GB DDR4存儲器,其廣泛使用的格式為小外形雙列直插式內存模塊(SoDIMM)。新的SODIMM基於10納米(nm)級工藝技術,可讓用戶在旅途中享受豐富的PC級電腦遊戲,並具有更大的容量,更高的速度和更低的能耗。

三星宣佈推出用於遊戲筆記本的10納米級DDR4 SO-DIMM

使用新的內存解決方案,個人電腦製造商可以構建速度更快的頂級面向遊戲的筆記本電腦,其電池續航時間更長,超越傳統的移動工作站,同時保持現有的PC配置。三星電子內存市場高級副總裁Sewon Chun表示:“三星的32GB DDR4 DRAM模塊將為筆記本電腦帶來前所未有的遊戲體驗。“我們將繼續為包括高端筆記本電腦和臺式機在內的所有關鍵細分市場提供最先進的DRAM產品組合,並提高其速度和容量。”

與三星2014年推出的基於20nm級8千兆位(Gb)DDR4的16GB SoDIMM相比,新款32GB模塊的容量翻了一番,速度提高了11%,能效提高了約39%。

三星最新的16GB千兆位(Gb)DDR4 DRAM芯片(前後各安裝8顆芯片)共有16顆,32GB SoDIMM可讓遊戲筆記本電腦的速度達到2,666兆位每秒(Mbps)。

配置有兩個32GB DDR4模塊的64GB筆記本電腦在主動模式下功耗不到4.6瓦(W),閒置時功耗低於1.4W。與目前領先的配備16GB模塊的面向遊戲的筆記本電腦相比,這分別降低了大約39%和超過25%的用電量。

三星已經開始積極擴展其業界最大的10nm級DRAM陣容(16Gb LPDDR4,16Gb GDDR5和16Gb DDR4),這將在移動,圖形,PC和服務器領域迎來16Gb DRAM的新時代,並且隨後在其他市場延展,如超級計算機和汽車系統。


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