首次!我們能夠「親眼」看見Si顆粒是如何膨脹破碎的了!

隨著鋰離子電池比能量的不斷提高,傳統的石墨材料已經無法滿足高比能電池的設計需求,Si材料理論容量可達4200mAh/g(Li

4.4Si),嵌鋰電勢與石墨材料接近,是一種理想的鋰離子電池負極材料,但是Si材料在完全嵌鋰狀態下體積膨脹高達300%,這不僅僅會導致Si材料顆粒的粉化和破碎,引起SEI膜的破壞和再生長,消耗有限的Li,還會破壞負極導電網絡,導致部分活性物質無法參與反應,從而導致含有Si材料的負極的可逆容量快速衰降。納米化是解決Si負極體積膨脹的有效方法,例如納米顆粒、納米線和納米薄膜等都是常見的抑制Si負極材料體積膨脹對本身結構破壞的有效方法。

在材料的生產的過程中缺陷的產生幾乎是無法避免的,因此看似完美的納米結構中也必然包含著一定數量的缺陷,有研究顯示即便是在能夠避免Si顆粒膨脹破碎的尺寸下,如果出現了一定的結構缺陷,也會導致Si顆粒在充放電過程中發生破碎,也就是說缺陷的存在導致了Si顆粒不發生破碎的尺寸進一步減小,不利於Si材料性能的提升。但是我們對於缺陷導致Si顆粒膨脹破碎的作用機理研究還比較少,近日北京大學的Le Yang(第一作者)和Hao-Sen Chen(通訊作者)採用光學原位觀測的方法研究了不同形狀缺陷對Si顆粒穩定性的影響,研究表明在Si負極嵌鋰膨脹的過程中,裂紋首先從顆粒內部缺陷的頂角處產生,並迅速擴散導致Si顆粒的破壞,同時研究表明內部缺陷結構的曲率越大會導致Si顆粒越容易的發生破碎

首次!我們能夠“親眼”看見Si顆粒是如何膨脹破碎的了!

為了製備用於研究的Si負極,Le Yang以石英為沉底,通過磁控濺射一層30nm的Ti層,然後再濺射一層300nm厚的Cu層作為集流體,然後再沉積一層30nm厚的Ti層,最後採用製備光學傳感器的方法,在上述的基底沉積上厚度為300nm,邊長為50um的正方形Si顆粒。這些Si顆粒中共計有5中類型的橢圓形狀缺陷(如下圖所示),在長度方向上所有的缺陷都為b=15um,在寬度方向上5種結構的缺陷分別為a=3、6、9、12、15um,橢圓型狀的缺陷的曲率定義為k=b/a2,因此隨著寬度方向上的變小,會導致橢圓狀的缺陷曲率顯著增加,同時作者採用邊長為50um的正方形無缺陷Si顆粒作為對照組。

下圖c為具有不同結構缺陷的Si顆粒在充放電後的SEM圖片,從圖中能夠看到所有的Si顆粒在充放電後,四個邊的位置都發生了翹起的現象,表明Si顆粒與集流體之間發生了剝離。同時SEM圖片還顯示Si顆粒內部在水平方向上的缺陷是從顆粒內部缺陷的頂角的位置產生,內部缺陷曲率大的Si顆粒在充放電過程中更容易發生破碎。同時我們也注意到內部沒有缺陷的Si顆粒,在經過充放電後在水平方向上沒有產生明顯的缺陷。

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同時作者還通過原位的光學系統對Si負極在充放電過程中的結構變化進行了全程的跟蹤,光學系統的研究顯示Si顆粒型狀變化主要發生在放電(嵌鋰,相當於全電池充電過程)的過程中,上圖d-i展示Si顆粒在不同的嵌鋰狀態下的形狀變化,圖中的紅色箭頭的位置標示出了裂紋最初產生的位置。從圖中我們能夠注意到所有的裂紋最初都是在缺陷的頂角處產生,也就是曲率最大的位置。從裂紋出現的前後順序,我們也能夠注意到缺陷的平均曲率越大,則出現裂紋的時間越早,Si顆粒也就越容易產生裂紋。

首次!我們能夠“親眼”看見Si顆粒是如何膨脹破碎的了!

為了分析不同結構的缺陷對Si顆粒穩定性影響的機理,作者還採用有限元工具對充放電過程中具有不同結構缺陷的Si顆粒內部的應變分佈情況進行了分析。從圖c展示了不同結構缺陷的Si顆粒內部的應變分佈情況,可以看到應變最大的位置主要分佈在缺陷的頂角位置,這也解釋了為何裂紋總是從缺陷的頂角位置出現。上圖d則展示了在整個嵌鋰過程中不同缺陷的Si顆粒中應力變化的過程,從圖中能夠看到缺陷的曲率越大,則應變變化曲線的斜率也就越大,意味著在嵌鋰過程中產生的應變也就越大。上圖e展示了不同的Si顆粒的應變平均濃度,可以看到曲率最大的Si顆粒(a/b=0.2)的應變平均濃度是曲率最小的Si顆粒的兩倍,這也解釋了為何Si顆粒失效的前後順序是按照缺陷的曲率排布的。

Le Yang的研究表明雖然Si材料納米化能夠有效穩定Si顆粒,減少體積膨脹過程中的破碎、粉化現象,但是Si顆粒內部的不規則形狀缺陷卻會導致原本穩定的Si顆粒在體積膨脹時從缺陷的曲率最大的位置產生裂紋,進而導致Si顆粒的破碎和失效,降低Si顆粒的穩定性。因此在高性能Si材料的生產過程中顆粒內部的缺陷也是需要重點控制的內容,避免在Si顆粒內部產生曲率很多的缺陷,能夠有效的提升Si顆粒的穩定性,提升Si負極循環性能。

首次!我們能夠“親眼”看見Si顆粒是如何膨脹破碎的了!

【附本論文第一作者留言】

我是本文一作楊樂,感謝新能源Leader的報道,感謝北理工方岱寧,陳浩森,宋維力老師的指導與支持。FDN-CS力化耦合能源小組致力於力學/電化學耦合新機理,新結構,新應用。更多硅負極原位光學工作可以參見本組前期工作:

Failure mechanisms of 2D silicon film anodes: in situ observations and simulations on crack evolution,Chemical Communications,32, 2018

Geometric design of micron-sized crystalline silicon anodes through in situ observation of deformation and fracture behaviors, JMCA, 25, 2017


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